Современная электроника №4/2023

ЭЛЕМЕНТЫ И КОМПОНЕНТЫ 14 СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА • № 4 / 2023 WWW.SOEL.RU ● наличие встроенного генератора синхросигнала OSC; ● рабочий температурный диапазон от 0 до +85ºC ( коммерческое испол - нение ), от –40 до +100ºC ( промыш - ленное исполнение ); ● наличие сертификации AEC-100Q для автомобильных приложений . Типичные характеристики встроен - ной блочной памяти BSRAM ПЛИС GOWIN серии GW1N семейства LittleBee [2]: ● максимальное значение частоты синхросигнала 190 МГц ; ● организация данных от 1 до 36 раз - рядов ; ● поддерживаемые BSRAM опера - ционные режимы : однопортовое ОЗУ (SinglePort), двухпортовое ОЗУ Таблица 4. ПЛИС GOWIN серии GW1NS Устройство GW1NS-4 GW1NS-4C Количество ячеек LUT4 4608 4608 Количество ячеек Flip-Flop (FF) 3456 3456 Память B-SRAM, бит 180K 180K Количество блоков B-SRAM 10 10 Количество умножителей 18 × 18 16 16 Память S-SRAM, бит – – Пользовательская память Flash, бит 256K 256K Количество PLL 2 2 Количество OSC 1, точность +/–5% 1, точность +/–5% Аппаратное процессорное ядро – Cortex–M3 Количество банков линий I/O 4 4 Максимальное количество линий I/O 106 106 Напряжение питания ядра , В 1,2 1,2 Таблица 5. ПЛИС GOWIN серии GW1NSE Устройство GW1NSE-4C Количество ячеек LUT4 4608 Количество ячеек Flip-Flop (FF) 3456 Память B-SRAM, бит 180K Количество блоков B-SRAM 10 Количество умножителей 18×18 16 Память S-SRAM, бит – Пользовательская память Flash, бит 256K Количество PLL 2 Количество OSC 1, точность +/–5% Аппаратное процессорное ядро Cortex-M3 Количество банков линий I/O 3 Максимальное количество линий I/O 106 Напряжение питания ядра , В 1,2 Таблица 3. ПЛИС GOWIN серии GW1NR Устройство GW1NR-1 GW1NR-2 GW1NR-4 GW1NR-9 Количество ячеек LUT4 1152 2304 4608 8640 Количество ячеек Flip-Flop (FF) 864 2304 3456 6480 Теневая память SRAM, бит 0 0 0 17 280 Блочная память SRAM (BSRAM), бит 72K 72K 180K 468K Количество блоков BSRAM 4 4 10 26 Пользовательская память Flash, бит 96K 96K 256K 608K Память SDR SDRAM, бит – – 64M 64M Встроенная память PSRAM, бит – 32–64M 32–64M 64–128M Встроенная память NOR FLASH, бит 4M 4M – – Количество умножителей 18×18 0 0 16 20 Количество PLL 1 1 2 2 Количество банков линий I/O 4 7 4 4 Максимальное количество линий I/O 120 126 218 276 Напряжение питания ядра у низковольтного устройства (LV), В 1,2 1,2 1,2 1,2 Напряжение питания ядра у обычного устройства (UV), В – 1,8/2,5/3,3 2,5/3,3 –