Современная электроника №4/2023

ЭЛЕМЕНТЫ И КОМПОНЕНТЫ 15 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА • № 4 / 2023 (DualPort), полудвухпортовое ОЗУ (SemiDualPort), ПЗУ (ROM); ● поддержка бита паритета ; ● поддержка функции коррекции оши - бок . Типичные характеристики встроен - ной пользовательской Flash- памяти ПЛИС GOWIN серии GW1N семей - ства LittleBee [2]: ● 10 000 циклов записи - стирания ; ● время хранения данных при темпе - ратуре +85ºC – 10 лет ; ● 32- разрядная организация данных ( слово ); ● время записи слова данных ≤ 16 мкс ; ● время стирания страницы данных (64 слова ) ≤ 120 мс ; ● максимальное значение частоты синхросигнала 40 МГц . Типичные характеристики встроен - ного модуля DSP ПЛИС GOWIN серии GW1N семейства LittleBee [2]: ● поддержка аппаратного умножения в режимах 8×8, 18×18, 36×36; ● 54- разрядный аккумулятор ; ● возможность каскадирования умно - жителей ; ● встроенные конвейерные регистры и обходные регистры ; ● адаптивная фильтрация с помощью обратной связи по сигналу ; ● встроенный переключатель потока . Все линии ввода - вывода обще - го назначения (GPIO) внутри ПЛИС серии GW1N семейства LittleBee жёст - ко относятся к банку ввода - вывода с одним из внутренних опорных напря - жений : +3,3 В , +2,5 В , +1,8 В . Таким образом , возможно подключение к ПЛИС различных внешних устройств с рабочими логическими уровнями , Таблица 6. ПЛИС GOWIN серии GW1NRF Устройство GW1NRF-LV4B Количество ячеек LUT4 4606 Количество ячеек Flip-Flop (FF) 3456 Теневая память SRAM SSRAM, бит 0 Блочная память SRAM BSRAM, бит 180K Количество блоков BSRAM 10 Пользовательская память Flash, бит 256K Количество умножителей 18×18 16 Количество PLL 2 Количество банков линий I/O 4 Максимальное количество линий I/O 25 Напряжение питания матрицы FPGA у низковольтного устройства (LV), В 1,2 Напряжение питания матрицы FPGA у обычного устройства (UV), В 1,8/2,5/3,3 Приёмопередатчик Bluetooth 5.0 LE RF Есть Аппаратное процессорное ядро 32-bit ARC Processor Есть Память процессора ROM, бит 136K Память процессора OTP, бит 128K Память процессора IRAM/DRAM, бит 48K/28K Ядро защиты Security Core Есть Система управления электропитанием Есть Стабилизатор питающего напряжения DCDC StepUp / Down Regulator Есть Таблица 7. ПЛИС GOWIN серии GW1NZ Устройство GW1NZ-1 Количество ячеек LUT4 1152 Количество регистров 864 Теневая память SRAM, бит 4K Блочная память SRAM, бит 72K Количество PLL 1 Пользовательская память Flash, бит 64K Максимальное количество линий I/O 48 Напряжение питания ядра у низковольтного устройства (LV), В 1,2 Напряжение питания ядра у ультранизковольтного устройства (ZV), В 0,9 Таблица 8. ПЛИС GOWIN серии GW1NSR Устройство GW1NSR-4 GW1NSR-4C Количество ячеек LUT4 4608 4608 Количество ячеек Flip-Flop (FF) 3456 3456 Блочная память SRAM (B-SRAM), бит 180K 180K Количество блоков BSRAM 10 10 Количество умножителей 18×18 16 16 Пользовательская память Flash, бит 256K 256K Память HyperRAM, бит – 64M Память PSRAM, бит 64M 64M Память NOR FLASH, бит – 32M Количество PLL 2 2 Количество OSC 1, точность +/–5% 1, точность +/–5% Аппаратное процессорное ядро – Cortex-M3 Количество банков линий I/O 4 4 Максимальное количество линий I/O 106 106 Напряжение питания ядра , В 1,2 1,2