Современная электроника №4/2023

ЭЛЕМЕНТЫ И КОМПОНЕНТЫ 13 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА • № 4 / 2023 ( ведомый ), CPU, SERIAL, AUTOBOT, DUALBOOT; ● поддержка интерфейсов в виде ап - паратных ядер MIPI CSI-2, MIPI DSI, LVDS, HDMI, USB 2.0, Ethernet, MIPI I 3 C; ● наличие встроенной защиты , по - зволяющей осуществить шифрова - ние битового потока конфигурации и защиты конфигурации от чтения ; ● наличие интегрированной памяти PSRAM; ● наличие аппаратных процессорных ядер ARMCortex-M3 или Synopsys ARC; ● наличие аппаратного малопотребля - ющего приёмопередатчика Bluetooth; ● поддержка защиты асинхронных приложений на основе PUF; Таблица 1. Номенклатура производимых ПЛИС GOWIN с разбивкой по семействам и сериям Семейство Серия Плотность ( количество LUT на кристалле ) Дополнительные особенности устройства LittleBee ( Матрица FPGA на основе Flash) GW1N 1K, 2K, 4K, 9K – GW1N-A 1K, 2K, 4K Для автомобильных приложений GW1NZ 1K Ультранизкое энергопотребление GW1NS 4K Встроенное аппаратное процессорное ядро MCU Cortex-M3 GW1NR 1K, 2K, 4K, 9K Встроенная память PSRAM GW1NSR 4K Встроенное аппаратное процессорное ядро MCU Cortex-M3 + встроенная память PSRAM GW1NSE 4K Встроенное аппаратное процессорное ядро MCU Cortex-M3 + защита матрицы FPGA GW1NSER 4K Встроенное аппаратное процессорное ядро MCU Cortex-M3 + защита матрицы FPGA + встроенная память PSRAM GW1NRF 4K Встроенное аппаратное процессорное ядро MCU ARC + защита матрицы FPGA + встроенный приёмопередатчик Bluetooth Arora ( Матрица FPGA на основе SRAM) GW2A 20K, 55K – GW2A-A 20K Для автомобильных приложений GW2AN 10K, 20K, 55K Встроенная память Flash GW2AR 20K Встроенная память SDRAM GW2ANR 20K Встроенная память Flash + встроенная память SDRAM AroraV ( Матрица FPGA на основе SRAM) GW5A 23K, 138K Поддержка DDR3 + встроенный АЦП GW5AT 23K, 138K Встроенные высокоскоростные приёмопередатчики + поддержка PCI + поддержка DDR3 + встроенный АЦП Таблица 2. ПЛИС GOWIN серии GW1N Устройство GW1N-1 GW1N-1P5 GW1N-2 GW1N-4 GW1N-9 GW1N-1S Количество ячеек LUT4 1152 1584 2304 4608 8640 1152 Количество ячеек Flip-Flop (FF) 864 1584 2016 3456 6480 864 Теневая память SRAM, бит 0 12 672 18 432 0 17 280 0 Блочная память SRAM (BSRAM), бит 72K 72K 72K 180K 468K 72K Количество блоков BSRAM 4 4 4 10 26 4 Пользовательская память Flash, бит 96K 96K 96K 256K 608K 96K Количество умножителей 18×18 0 0 0 16 20 0 Количество PLL 1 1 1 2 2 1 Количество банков линий I/O 4 6 6 4 4 3 Максимальное количество линий I/O 120 125 125 218 276 44 Напряжение питания ядра у низковольтного устройства (LV), В 1,2 1,2 1,2 1,2 1,2 1,2 Напряжение питания ядра у обычного устройства (UV), В 1,8–3,3 1,8–3,3 1,8–3,3 2,5–3,3 2,5–3,3 –