СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА 2011-6

5 / 82

РЫНОК
5
СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 6 2011
На правах рекламы
Новости российского рынка
значительно сокращает сроки поставки
этих изделий заказчикам. В настоящее
время доступны для заказа инженерные
модели XE63E и летные версии XE63S ге
нераторов.
Более подробную информацию о продук
ции можно получить на стенде № D2 33
компании «Росспецпоставка» во время
проведения выставке МАКС 2011, г. Жу
ковский, 16–21 августа.
Тел.: +7 (495) 781 2182
Российские микросхемы
с CAN интерфейсом
Компания «Миландр» – российский раз
работчик и производитель интегральных
микросхем – представляет комплект чипов,
позволяющий получить законченное реше
ние при разработке аппаратуры для авто
мобильной техники, железнодорожного,
водного и воздушного транспорта, про
мышленной автоматики и технологии «Ум
ный дом».
Чипсет состоит из трёх микросхем: цент
рального высокопроизводительного 32
разрядного микроконтроллера 1986ВЕ91Т
на базе ядра ARM® Cortex™ M3 производи
тельностью 1,25 DMIPS/MHz (Dhrystone
2.1), периферийного восьмиразрядного
RISC микроконтроллера 1886ВЕ5У, орга
низующего сбор, первичную обработку и
передачу информации, в том числе по
интерфейсам CAN и LIN, а также приёмо
передатчика CAN интерфейса 5559ИН14У
с максимальной скоростью передачи дан
ных до 1 Мбит/с.
Центральный контроллер 1986ВЕ91Т
имеет широкий набор цифровых и анало
говых периферийных блоков, таких как
USB (1.1 или 2.0), CAN (2.0b), UART, SPI
и I2C, 12 разрядный 16 канальный АЦП,
12 разрядный двухканальный ЦАП, схему
аппаратного компаратора, температурный
сенсор, батарейный домен.
Данный чипсет может быть применён в
областях, где предъявляются повышен
ные требования к надёжности и условиям
эксплуатации, и обладает расширенным
рабочим температурным диапазоном от
–60 до +125°С.
Помимо вариантов поставки микросхем
для спецприменения в металлокерамичес
ких корпусах, микросхемы 1986ВЕ91Т и
5559ИН14У могут поставляться в пластико
вых корпусах для потребительского рынка.
Все микросхемы из чипсета уже доступ
ны для заказов у компании «Миландр» и её
партнёров.
Тел. +7 (495) 981 5433
Новый прецизионный
малошумящий экономичный
по потреблению кварцевый
генератор ГК 54М ТС
ОАО «МОРИОН» (Санкт Петербург) –
ведущее предприятие России и один из ми
ровых лидеров в области разработки и се
рийного производства пьезоэлектронных
приборов стабилизации и селекции часто
ты – представляет прецизионный малошу
мящий экономичный по потреблению квар
цевый генератор ГК54М ТС.
ГК54М ТС – современный прибор, сущест
венная модернизация генератора ГК54
ТС, широко известного и хорошо себя за
рекомендовавшего в широком спектре
специальных применений, в том числе –
космических. ГК54М ТС по всем характе
ристикам полностью заменяет ГК54 ТС,
обладая при этом целым рядом сущест
венных преимуществ. Так, ГК54М ТС до
ступен к поставке в малошумящем испол
нении (опция «МШ»): гарантированный
уровень фазовых шумов для 5 МГц состав
ляет <–110 дБ/Гц для отстройки 1 Гц и
<–147 дБ/Гц для отстройки 100 Гц. Прибор
обладает сокращённым временем установ
ления частоты (с точностью ±1 × 10–7) – до
2 мин при +25°С (для сравнения: ГК54 ТС –
5 мин) и до 4 мин при –60°С (ГК54 ТС –
7 мин). Благодаря применению в генерато
ре ГК54М ТС кварцевого резонатора SC
среза возможен вариант исполнения с
ужесточёнными требованиями к кратко
временной нестабильности частоты до 1 ×
× 10–12/с. Расширены интервалы рабочих
температур при заданной температурной
стабильности ±5 × 10–9 и ±1 × 10–8. Кроме
того, планируется расширение верхнего
предела интервала рабочих температур с
+70 до +80…85°С.
Указанные параметры в сочетании с вы
сокой стойкостью к жёстким ВВФ и низким
потреблением (<0,6 Вт) делают данный
прибор эффективным решением для при
менения в мобильной и бортовой специ
альной аппаратуре.
ГК54М ТС выпускается по действующей
документации в категории качества «ВП».
Прибор включен в «Перечень электро
радиоизделий, разрешённых к примене
нию…» (МОП44).
Дополнительная информация о ГК54М
ТС, а также других приборах доступна на
сайте ОАО «МОРИОН».
Тел. (812) 350 7572, (812) 350 9243
Новые мощные GaN on SiC
транзисторы Microsemi
для S band радаров
Microsemi расширила свою линейку
транзисторов для радаров S диапазона,
добавив в неё новые компоненты, выпол
ненные по технологии GaN на подложке из
SiC. Новые GaN on SiC мощные импульс
ные транзисторы позволяют получить наи
высшие в индустрии выходную мощность
и усиление для 2,7…3,5 ГГц радаров.
Преимущества Microsemi GaN on SiC: Vbr
стока выше 350 В, что позволяет транзистору
работать со смещением стока в 60 В, обеспе
чивая значительно более высокую надёж
ность устройства по сравнению с транзисто
рами, произведенными по LDMOS техноло
гии. Большее напряжение смещения стока
увеличивает пиковую выходную мощность, а
более удобные в использовании значения им
педанса устройства упрощают согласование.
2735GN 100: диапазон 2,7…3,5 ГГц,
мощность 100 Вт, усиление 11 дБ, формат
импульса 300 мкс 10%;
2729GN 270: диапазон 2,7…2,9 ГГц,
мощность 280 Вт, усиление 13…14 дБ,
формат импульса 100 мкс 10%;
2731GN 200: диапазон 2,7…3,1 ГГц,
мощность 220 Вт, усиление 12…13 дБ,
формат импульса 200 мкс 10%;
2731GN 170: диапазон 3,1…3,5 ГГц,
мощность 180 Вт, усиление 11…12 дБ,
формат импульса 300 мкс 10%.
Тел.: (812) 324 4008
© СТА-ПРЕСС