СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА №6/2012

● высокоскоростныеMOSFET семейст ва HiPerFET; ● Q3 – семейство высокоскоростных MOSFET с низким сопротивлением канала и зарядом затвора; ● CoolMOS в изолированных корпусах с быстрым обратным диодом; ● P канальные MOSFET транзисторы; ● MOSFET с отрицательным напряже нием закрытия (depletion mode); ● низковольтные Trench MOSFET с ультранизким сопротивлением ка нала; ● новое семейство PolarHT с низким сопротивлением канала; ● MOSFET силовые модули основных и специализированных конфигу раций. Новое семейство Q3 объединяет мощные надёжные N канальные тран зисторы с пониженным сопротивле нием открытого канала R ds(on) , низким зарядом затвора Q g и малыми потеря ми. Все транзисторы в линейке содер жат встроенный обратный диод, что дополнительно снижает потери при переключении и позволяет использо вать транзисторы для высокочастот ных задач. Широко представлены высоко вольтные MOSFET транзисторы на 1000…1400 В, оптимизированные для различных режимов: высокоскорост ные семейства Q2 и HiPerFET с быст рым диодом, стандартные N каналь ные транзисторы в изолированных корпусах. Также имеется семейство HV MOSFETs на 2,5…4 кВ. Семейство CoolMOS представлено спектром дискретных транзисторов на напряжения 600…800 В со встроенным быстрым диодом. IXYS предлагает CoolMOS в изолированных корпусах IXKF40N60SCD1 для построения мос товых схем в разнообразных источни ках питания. Д ИОДЫ , ТИРИСТОРЫ И ИХ МОДУЛИ Семейство биполярных продуктов представленошироким спектром дио дов и тиристоров: ● выпрямительные диоды и модули (диодные и тиристорно диодные); ● быстрые и сверхбыстрые диоды се мейства FRED и HiPerFRED; ● диодыШоттки (Si, GaAs, SiC); ● диодные модули с диодами FRED и HiPerFRED; ● модули специальной конфигурации: модули для корректоров коэффици ента мощности, с общим анодомили катодом и т.п.; ● тиристоры и тиристорные модули малой и средней мощности; ● модули AC control (встречно парал лельное включение тиристоров); ● тиристорно диодные модули. Активно развивается семейство дио дов на основе GaAs, для которых харак терно отсутствие температурной зави симости потерь переключения имень ЭЛЕМЕНТЫ И КОМПОНЕНТЫ 22 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 6 2012 current time GaAs диоды Шоттки 2 поколения: очень малое время восстановления при 125°С GaAs диоды Шоттки 1 поколения: только емкость p n перехода в диапазоне от 25 до 125°С Si диоды Шоттки при 25°С Si диоды Шоттки при 125°С Рис. 6. Характеристика переключения GaAs диода SOT 227 WC 501 Рис. 7. Тиристорные модули IXYS Таблица 1. Новые Six Pack IGBT модули Таблица 2. Мощные NPT 3 IGBT модули Наименование Напряжение, В Ток, А Падение напряжения, В E off , мдж I с , A MIXA450W1200TFH В разработке MWI 225 17E9 1700 335 2,5 54 200 MWI 300 17E9 500 2,8 80 300 MWI 451 17E9 580 2,25 90 450 Наименование I C25 , А V ces , В V CE (sat), В R thJC , К/Вт MIO1800 17E10 2500 1700 2,3 0,009 MIO2400 17E10 3300 1700 2,3 0,007 MIO1200 25E10 1650 2500 2,5 0,009 MIO1500 25E10 2100 2500 2,7 0,008 MIO1200 33E10 1650 3300 3,1 0,0085 MIO1200 33E11 1650 3300 3,1 0,0085 MIO600 65E11 840 6500 4,2 0,011 Таблица 3. Модули press pack IGBT Наименование V CES , B I C , B I CM , A V CE (sat), B T1200TB25A 2500 1200 2400 3,0 T2250AB25E 2250 4500 2,9 T1800GB45A 4500 1800 3600 3,7 T2400GB45E 2400 4800 3,6 © СТА-ПРЕСС