СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА №6/2012

ЭЛЕМЕНТЫ И КОМПОНЕНТЫ шая величина времени восстановле ния обратного сопротивления (рис. 6). Области применения GaAs диодов: DC/DC конверторы, корректоры коэф фициента мощности, различные ис точники питания. Одновременно предлагаются диоды на основе SiC и диодные сборки для высокочастотных приложений в изо лированных корпусах (FBS10 12SC). Тиристоры и тиристорные модули широко представлены как в виде дис кретных изделий, так и в виде сборок различной конфигурации. Следует об ратить внимание на тиристоры в кор пусе SOT 227 и двойные тиристорные модули 19…500 А в стандартном про мышленном корпусе WS 501 (рис. 7). Д РАЙВЕРЫ УПРАВЛЕНИЯ Микросхемы управления представ лены семействами драйверов нижнего уровня (IXD_6xx), высоковольтным драйвером IX212, полномостовым драйвером MX6895, оптически изоли рованными драйверами, а также высо комощным драйвером С0044BG400. Семейство IXD_6xx обеспечивает выходной ток 2…30 А с напряжением управления 4.5…35 В и скоростью пе реключения 10 МГц. Драйверы про изводятся в различных корпусах и применяются в DC/DC преобразовате лях, источниках питания, усилителях класса D. PRESS PACK IGBT СБОРКА Для приложений, требующих высо кой надёжности при большоймощнос ти, выпущены IGBT сборки в капсуль ном исполнении (рис. 8, табл. 3). Дан ные изделия востребованы на транс порте, в энергетике, системах индук ционного нагрева, физике и военной технике. Press pack IGBT допускают двусто роннее охлаждение и конструктив но совместимы с тиристорами GTO, что позволяет производить модерни зацию силового оборудования с из менением только схемы управления. Изделия предназначены для жёстких условий эксплуатации на протяже нии 20 лет, что недостижимо для IGBT модулей стандартного испол нения. Для управления затвором IGBT ис пользуется ранее упомянутый модуль C0044BG400 (рис. 9) со следующими характеристиками: ● выходной ток – 44 А; ● изоляция – 11 кВ; ● защита от короткого замыкания. Он также может быть использован для управления IGBT силовыми моду лями большоймощности и капсульны ми тиристорами. З АКЛЮЧЕНИЕ Корпорация IXYS является признан ным производителем качественной силовой электроники. Её клиентская база насчитывает более 2000 компа ний, работающих в таких областях, как телекоммуникации, транспорт, произ водство промышленной и медицинс кой аппаратуры. Продукция IXYS должна дать разработчикам возмож ность получения качественно новых характеристик проектируемых из делий. Л ИТЕРАТУРА 1. Полянский И. IXYS – высокое качество и надёжность. Силовая электроника. 2004. № 2. 23 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 6 2012 Gold gate contact Gate distribution board Cooper emitter pillars Die cells x42 Рис. 8. Технологическая конструкция Press pack IGBT сборка Рис. 9. Драйвер управления C0044BG400 Новости мира News of the World Новости мира Мощные SiC элементы на номинальный ток 50 A В компании Cree имеется семейство карборундовых (SiC) элементов на номи нальный ток 50 A, в том числе Z FET SiC MOSFET на 1700 В. К этим элементам от носятся также Z FET SiC MOSFET 1200 В и три Z Rec карборундовых диода Шоттки. Элементы к бескорпусном исполнении рас считаны на модули высокой мощности, применяющиеся в инверторах гелиотехни чесого оборудования, в системах беспере бойного питания и в приводах. Серия включает в себя МОП транзис тор 1700 В с 40 мОм, МОП транзистор 1200 В с 25 мОм, а также диоды Шоттки на 50 A/1700 В, 50 A/1200 В и 50 A/650 В. Образцы уже предлагаются, поставка производственных партий ожидается с осени 2012 г. www.cree.com Infineon: МОП транзистор серии CoolMOS на 500 В Компания Infineon выводит на рынок новое поколение своих МОП транзисторов по технологии Superjunction. Продукты яв ляются альтернативой стандартным МОП транзисторам для питания таких критич ных к стоимости приложений, как импульс ные источники питания систем освещения (SMPS), блоки питания компьютеров и по требительская электроника. Элемент обеспечивает максимальный КПД именно в диапазоне небольших нагрузок. Первые образцы с R DS(ON) 280 и 500 мОм в корпусе TO 220 уже предлагаются. С мая 2012 г. появятся образцы элементов 500V с R DS(ON) 280, 500 и 950 мОм в корпусах DPAK, а также TO 220 FullPAK. www.infineon.com © СТА-ПРЕСС