СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА №6/2012

ЭЛЕМЕНТЫ И КОМПОНЕНТЫ IXYS выпускает IGBT транзисторы и силовые модули: ● NPT, NPT3, XPT, SPT и Trench IGBT; ● высоковольтные дискретные IGBT до 2500 В; ● высокоскоростные дискретные IGBT (>40 кГц); ● IGBT силовые модули различной конфигурации: CBI, Sixpack, H bridge, phase leg, buck&boost чоппе ры и др.; ● BIMOSFET транзисторы для резо нансных преобразователей; ● RIGBT с защитой от обратного тока. Среди выпускаемых IGBT силовых модулей имеются все основные кон фигурации для построения инверто ров на одну, две и три фазы, инверто ров с выпрямителем, тормозным тран зистором и др. Модули доступны в современных корпусах ECO PAC1/2 и в ставшем стандартным для CBI1/2/3 Sixpack модульном исполнении. Особое внимание уделено развитию новой технологии Trench IGBT, улуч шенной по параметру «потери на пе реключения» в среднем на 20…25%. Среди выпускаемых сейчас IGBT мож но найти как дискретные компонен ты, так и модули с Trench IGBT крис таллами. В начале года были выпущены но вые IGBT Six pack модули диапазона до 600 А, 1200 и 1700 В (рис. 4, табл. 1). Модули выполнены по технологии SPT (Soft Punch Through – мягкое сквозное отверстие) на DCB керами ке с медным основанием и содержат шесть транзисторов конфигурации phase leg. Три фазы могут быть ис пользованы раздельно либо в парал лельном включении. Технология SPT позволяет уменьшить падение на пряжения и потери при переключе ниях. В качестве обратных диодов применены новые SONIC диоды, что позволило поднять рабочую частоту до 20 кГц. Типовые приложения моду лей: трёхфазный электропривод, сва рочная техника, источники вторич ного электропитания, ветрогенера торы и др. Для электротранспорта выпущены мощные модули NPT 3 IGBT с расши ренной областью безопасной работы (SOA) (рис. 5, табл. 2). Компания IXYS предлагает для транс портных приложений изделия на под ложкеAlSiCс улучшеннымихарактерис тикамитермоциклирования, сизоляци ей на основе нитрида алюминия AlN, а также изделия с медным основанием и подложкой из оксида алюминия. Сейчас предлагается два варианта исполнения: с изоляцией 6 и 10,2 кВ (HV версия). Все модули выполнены по технологии NPT3 и предлагают комбинацию низких потерь на пе реключениях с новыми границами области безопасной работы (SOA). В подтверждение своей репутации про изводителя компонентов высокой на дёжности IXYS предлагает HP модули для использования в жёстких условиях эксплуатации: приложения с большой индуктивной нагрузкой, где за счёт расширенной области безопасной ра боты может быть улучшена общая на дёжность системы. Особого внимания заслуживают дискретные IGBT на 4000 В, поскольку такая продукция не представлена так широко у других производителей. При выборе IGBT необходимо большое внимание уделять встроенному обрат ному диоду, а именно – его быстродей ствию, характеристике переключения и току. У IXYS можно найти сборки с диодом, оптимизированным для раз личных режимов: обратный диод, чоп перы buck & boost, диод для корректо ра коэффициента мощности, диод с низкой ёмкостью для высокоскорост ных приложений, диод с мягким пе реключением. MOSFET РАЗРАБОТКИ ОТ IXYS Транзисторы и силовые модули MOSFET в линейке IXYS представлены не менее широко: ● стандартные N канальные MOSFET; 21 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 6 2012 Рис. 3. Корпус ISOPLUS DIL Рис. 4. Новые Six Pack модули IGBT Область безопасной работы «полный квадрат» Возможности технологии Новые границы Существующие границы IGBT!модулей n x I nom 2 x I nom V rated V blocking V I Рис. 5. Модули с расширенной областью безопасной работы (SOA) © СТА-ПРЕСС