Современная электроника №1/2021

ЭЛЕМЕНТЫ И КОМПОНЕНТЫ 26 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 1 2021 которых важна рабочая частота. Дан- ные доступны для чтения через два так- та после того, как произошёл захват адреса. Flow-Through применяется для достижения наименьшего уровня задержки. Данные доступны для чтения через один такт. Режим Pipeline Временная диаграмма SRAM NBT в режиме Pipeline изображена на рисунке 3. На первом такте захватыва- ется адрес чтения, однако из-за наличия в схеме Pipeline внутреннего регистра данные будут доступны только на тре- тьем такте. Уже на втором такте можно выставить адрес для записи, но данные будут записаны только на четвёртом. Таким образом, доступ к памяти выпол- няется без потери такта на переключе- ние между операциями чтения и запи- си. Режим Flow-Through Временная диаграмма SRAM NBT в режиме Flow-Through изображена на рисунке 4. Адрес для чтения выставляет- ся на первом такте, а данные считывают- ся на втором. Адрес для записи выстав- ляется на втором такте, при этом данные могут быть записаны уже на третьем. Как и в случае с режимом Pipeline, опе- рации чтения и записи занимают оди- наковое количество тактов (два такта – для чтения и два – для записи). Каждый разработчик сталкивается с выбором между режимами Pipeline или Flow-Through. Наличие у него двух отдельных микросхем приводит к расширению номенклатуры. Ком- пания GSI Technology предлагает сле- дующий выход из этого положения. У микросхем GSI имеется дополни- тельный управляющий вывод FT . Его расположение в корпусе предусмо- трено стандартом JEDEC и не влия- ет на взаимозаменяемость с микро- схемами других производителей. У них этот вывод не задействован. Для активации Pipeline необходи- мо подтянуть вывод FT к напряже- нию питания микросхемы или оста- вить неподключённым, так как на линии есть внутренний подтягива- ющий резистор; для активации Flow- Through необходимо вывод FT под- тянуть к «земле». Наличие такой функции позволя- ет использовать одну микросхему в нескольких изделиях, что позволяет получить скидку от производителя на больший объём закупки. Несколько SRAM на одной шине Опция FLXDrive TM GSI Technology позволяет программно задавать зна- чение импеданса на шине данных. Эта функция будет полезна в схе- мах, когда на одной шине размещены несколько SRAM (см. рис. 5). Для управления опцией FLXDriveTM используется только один вывод ZQ: когда ZQ=0, сопротивление линий на стороне SRAM равно 25 Ом, а ког- да ZQ=1, сопротивление меняется на 50 Ом. Уменьшение сопротивления на общей шине может показаться контр- продуктивным, но на самом деле это не так. При уменьшении сопротивления одной линии снижается общее сопро- тивление шины, следовательно, умень- шается уровень «звона» и задержка. Продуктовая линейка GSI Technology выпускает самую широкую линейку SRAM среди всех производителей. Семейство NBT раз- вивается параллельно с семейством SyncBurst. Если в проекте преоблада- ют операцииW-R-W-R-W-R-W-R-W-R-W, тогда лучше использовать NBT, а если WWWW-RRRRR-WWWW, то предпочти- тельны микросхемы SyncBurst (здесь W– операция записи, R – операция чте- ния). В таблице 1 представлен каталог памяти NBT и SyncBurst производства GSI Technology. Максимальный объём микросхем NBT и SyncBurst составляет 288 Мбит, а частота тактирования достигает 400 МГц (на сегодняшний день это рекордные показатели среди всех производителей). Если разработчи- ку потребуется более высокая про- изводительность, тогда необходимо переходить на устройства семейства SigmaQuad-II+ и SigmaDDR-II+. GSI Technology также является единствен- ным производителем SRAM с напряже- нием питания и уровнем напряжения интерфейса 1,8 В. Современный 40 нм технологический процесс производ- ства позволяет разместить 144 и 288 Мбит в самый компактный корпус для этого семейства – 15 × 13 мм 165-BGA. В несколько большем корпусе (165-BGA размером 17х15 мм) из-за изготовле- ния по технологии 65 нм размещаются микросхемы 72 Мбит и меньшего объё- ма. Также только эти семейства постав- ляются в корпусе TQFP. Более совре- FLXDrive SRAM FLXDrive SRAM FLXDrive SRAM uP VSS DQ DQx DQx DQx ZQ ZQ ZQ Рис. 5. Подключение нескольких SRAM NBT к одной шине данных Таблица 1. Продуктовая линейка NBT Модель Объём Архитектура Макс. частота Напряжение питания Корпус Дополнительные опции GS8256xZxx 288 Мбит x18 x36 400 МГц 1,8 В 2,5 В 3,3 В 119-BGA 165-BGA JTAG FLXDrive GS8128xZxx 144 Мбит x18 x36 400 МГц 1,8 В 2,5 В 3,3 В 100-TQFP 119-BGA 165-BGA Ceramic QFP JTAG FLXDrive FT Rad-Hard GS864xZxx 72 Мбит x18 x36 x72 333 МГц 1,8 В 2,5 В 3,3 В 100-TQFP 119-BGA 165-BGA 209-BGA Ceramic QFP JTAG FLXDrive FT Rad-Hard GS832xZxx 36 Мбит x18 x32 x36 x72 400 МГц 1,8 В 2,5 В 3,3 В 100-TQFP 119-BGA 165-BGA 209-BGA Ceramic QFP JTAG FLXDrive FT Rad-Hard GS816xZxx 18 Мбит x18 x32 x36 x72 400 МГц 1,8 В 2,5 В 3,3 В 100-TQFP 119-BGA 165-BGA 209-BGA JTAG FLXDrive FT GS88xZxx 9 Мбит x18 x32 x36 333 МГц 1,8 В 2,5 В 3,3 В 100-TQFP 119-BGA 165-BGA JTAG FLXDrive GS84xZxx 4 Мбит x18 x36 250 МГц 3,3 В 100-TQFP 119-BGA JTAG FLXDrive Примечание: Z – семейство NBT; без Z – семейство SyncBurst