Современная электроника №1/2021

ЭЛЕМЕНТЫ И КОМПОНЕНТЫ 25 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 1 2021 Микросхемы SRAM-памяти NBT и SyncBurst от GSI Technology В статье приведён краткий обзор семейств SRAM памяти No Bus Turnaround (NBT) и SyncBurst. На примере продуктовой линейки GSI Technology рассмотрены отличия режимов работы микросхем, функциональные возможности и основные параметры. Евгений Павлюкович (y.pauliukovich@semicom.by ) Введение До 2000 года основными потребите- лями микросхем статической памяти (SRAM) являлись производители ком- пьютеров. Однако с появлением совре- менных процессоров с достаточным объёмом внутренней памяти потреб- ность во внешней высокопроизводи- тельной памяти отпала. Дальнейшее развитие SRAM связано с телекомму- никационным и сетевым оборудова- нием. Для удовлетворения запросов рынка производители SRAM продол- жили расширять линейку синхрон- ной SRAM с пакетной передачей дан- ных (BurstSRAM, см. рис. 1). Однако новые семейства берут своё начало от NBT. Микросхемы NBT обладают очень большой скоростью переклю- чения между операциями чтения и записи. Описание NBT Рост спроса на телекоммуникацион- ное оборудование способствовал появ- лению новых стандартов микросхем памяти. С этой целью производители SRAM разработали принципиально новое семейство NBT (см. рис. 2), кото- рое также широко применяется в ради- олокационных вычислительных моду- лях, интерфейсных платах, радиосвязи и БПЛА. Разные производители называют это семейство по-разному, например: ● GSI Technology – No Bus Turnaround (NBT); ● IDT(приобретенаRenesas в2019 году)– Zero Bus Turnaround (ZBT); ● Cypress (приобретена Infineon в 2020 году) – No Bus Latency (NoBL). Все эти микросхемы являются пол- ными физическими и функциональны- ми аналогами. Отличия могут состоять только в присутствии дополнительных опций. Однако все эти компании разра- батывают, производят и продают свои микросхемы независимо друг от друга. Режимы работы NBT Отличием SRAM NBT от SyncBurst является возможность переключать- ся между операциями чтения и запи- си на каждом такте. Семейству SyncBurst для этого необходим один промежуточ- ный такт. Оба семейства являются SDR микросхемами и могут работать в двух режимах: Pipeline или Flow-Through. Pipeline режим выгоден для задач, в #1 Read Clk Rd1 Rd2 Wd2 Wd1 Ra1 Ra2 Wa2 Wa1 WE Address DQx ADV/LD #2 Write #3 Read #4 Write #5 #6 #7 #8 Считывание данных по адресу Ra2 Запись данных по адресу Wa1 Считывание данных по адресу Ra1 Первое чтение #1 Read Clk Ra1 Ra2 Wa2 Wa1 WE Address DQx ADV/LD #2 Write #3 Read #4 Write #5 #6 #7 #8 Rd1 Rd2 Wd2 Wd1 Считывание данных по адресу Ra2 Запись данных по адресу Wa1 Считывание данных по адресу Ra1 Первое чтение Рис. 1. Микросхема SyncBurst SRAM Рис. 3. Временная диаграмма операций чтения и записи для NBT Pipeline Рис. 4. Временная диаграмма операций чтения и записи для NBT Flow-Through Рис. 2. Микросхема NBT SRAM