Современная электроника №1/2021

ЭЛЕМЕНТЫ И КОМПОНЕНТЫ 27 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА № 1 2021 менные семейства производятся только в BGA корпусах. GSI Technology явля- ется единственным производителем, который поставляет SRAM в BGA кор- пусах, шарики которых содержат сви- нец. В настоящее время GSI Technology производит коммерческие, индустри- альные, военные (–55…+125 °C) и ради- ационно-стойкие микросхемы NBT и SyncBurst. Обеим областям применения (вычис- лительным модулям и сетевому обору- дованию) требуется внешняя память с архитектурой от x18 до x72. Сово- купность особенностей архитекту- ры и высокой тактовой частоты при- даёт микросхемам GSI Technology превосходную производительность (см. табл. 2). Отличия и аналоги Приподборе аналогов от других про- изводителейнеобходимо обращать вни- мание на пять выводов (см. табл. 3). При- мер топологиимикросхемв BGA-корпусе приведён на рисунке 6. IP-контроллер В отличие от SRAM асинхронного типа микросхемы NBT и BurstSRAM являются представителями SRAM синхронного типа и нуждаются в IP-контроллере для подключения к ПЛИС. Однако IP-контроллер явля- ется очень простым и легко адапти- руется под любую микросхему для любой схемы подключения. В свя- зи с этим GSI Technology разрабо- тала универсальный IP-контроллер на двух языках программирования: Verilog или VHDL, который нахо- дится в свободном доступе на веб- странице каждой микросхемы. Вме- сте с IP-контроллером на странице размещены ссылки на модели BSDL и IBIS. По запросу компания также пре- доставляет информацию о надёжно- сти микросхем – FIT и MTTF. Заключение В высокопроизводительных вычис- лительных платах оперативная память является критическим элементом, от которого зависит производительность всей системы. Дальнейшее увеличение скоростидоступаипропускной способ- ности не представляется возможным на базе архитектуры NBT и SyncBurst. Поэ- томупоследующее развитиемикросхем SRAMпамятисвязаноспоявлениемново- го подхода к захвату данных и повыше- нием частоты тактирования, о котором речь пойдёт в следующих статьях. Литература 1. Павлюкович Е . Микросхемы сверхопе- ративной ОЗУ памяти от GSI Technology. Элементы и компоненты. 2020. № 5. 2. Application note AN1002. Combatting Signal Integrity Issues with FLXDrive TM SRAMs. GSI Technology. 1998. 3. Application note AN1003. Designing with GSI’s Flow-Through Mode Control Pin. GSI Technology. 2000. 4. Application note AN1009. GSI’s Synchronous Burst/NBT SRAMs Bridge the Gap Between Computer. GSI Technology. 2002. 5. Application note AN1090. NoBL™: The Fast SRAM Architectur. Cypress Semiconductor. 2016. Таблица 2. Зависимость производительности от частоты и шины данных Частота тактирования, МГц Шина данных Полоса пропускания, Гбит/с 200 x18 3,6 x36 7,2 x72 14,4 250 x18 4,5 x36 9,0 x72 18,0 300 x18 5,4 x36 10,8 x72 21,6 375 x18 6,8 x36 13,5 x72 27,0 400 x18 7,2 x36 14,4 x72 28,8 Таблица 3. Состояния функциональных выводов Режим Вывод Состояние Функция GSI Cypress/Renesas/IDT GSI Cypress/Renesas/IDT Burst Order Control LBO MODE L L Linear Burst H H Interleaved Burst Output Register Control FT Не подключён L Flow-Through H или NC Pipeline Must Connect Low MCL Не подключён L SyncBurst Must Connect High MCH H NBT FLXDrive Output Impedance Control ZQ Не подключён H или NC L High Drive (Low Impedance) H или NC Low Drive (High Impedance) Рис. 6. Сравнение расположения выводов микросхем GSI Technology и Cypress