Современная электроника №4/2023

ЭЛЕМЕНТЫ И КОМПОНЕНТЫ 18 СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА • № 4 / 2023 WWW.SOEL.RU Таблица 15. ПЛИС GOWIN серии GW2AR Устройство GW2AR-18 Количество ячеек LUT4 20 736 Количество ячеек Flip-Flop (FF) 15 552 Теневая память SSRAM, бит 41 472 Блочная память BSRAM, бит 828K Количество блоков BSRAM 46 Память PSRAM, бит 64M Память SDR/DDR SDRAM, бит 64M / 128M Количество умножителей 18×18 48 Количество PLL 4 Количество банков линий I/O 8 Максимальное количество линий I/O 384 Напряжение питания ядра , В 1,0 Таблица 16. ПЛИС GOWIN серии GW2ANR Устройство GW2ANR-18 Количество ячеек LUT4 20 736 Количество ячеек Flip-Flop (FF) 15 552 Теневая память SSRAM, бит 41 472 Блочная память BSRAM, бит 828K Количество блоков BSRAM 46 Память NOR FLASH, бит 32M Память SDR SDRAM, бит 64M Количество умножителей 18×18 48 Количество PLL 4 Количество банков линий I/O 8 Максимальное количество линий I/O 384 Напряжение питания ядра , В 1,0 Таблица 17. ПЛИС GOWIN серии GW2A-A Устройство GW2A-LV18 A6 Количество ячеек LUT4 20 736 Количество ячеек Flip-Flop (FF) 15 552 Блочная память SRAM, бит 828K Пользовательская память Flash, бит – Количество умножителей 18×18 48 Количество PLL 4 Количество банков линий I/O 8 Напряжение питания ядра , В 1,0 Исполнение в корпусе QFN88 BG256 Количество линий I/O 66 207 Ethernet, DDR3, HyperRAM, PSRAM), встроенной оперативной памятью , встроенными модулями аппаратных умножителей , встроенными DSP и PLL, встроенной дополнительной пользова - тельской Flash- памятью . Доступная в настоящее время номен - клатура серий семейства GOWIN Arora представлена в табл . 13–17. Данные взя - ты с сайта GOWINSemiconductor Corp [1]. Типичные характеристики ПЛИС семейства Arora: ● техпроцесс по нормам 55 нм ; ● исполнение в широкой линейке ( око - ло двадцати типоразмеров ) корпу - сов : от QFN88 размерами 10×10 мм до PG1156 размерами 35×35 мм ; ● встроенная Flash- память , использу - емая в устройстве в качестве пользо - вательской памяти ; ● гибкая система программирования , позволяющая использовать для про - граммирования ( загрузки конфигу - рации ) следующие режимы и интер - фейсы : JTAG, MSPI, SSPI, SERIAL, CPU; ● поддержка программирования памя - ти SPI Flash, реализованной в виде IP- ядра , через интерфейсы JTAG и SSPI; ● поддержка включаемой специаль - ным битом защиты шифрованием файла конфигурации ; ● поддержка интерфейсов в виде ап - паратных ядер MIPI CSI-2, MIPI DSI, LVDS, HDMI, USB 2.0, PCI, Ethernet, DDR3, HyperRAM, PSRAM; ● рабочий температурный диапазон от 0 до +85ºC ( коммерческое исполне - ние ), от –40 до +100ºC ( промышлен - ное исполнение ). В семействе GOWIN Arora одна и та же ПЛИС может иметь различные зна - чения напряжения питания ядра , на что указывает суффикс в обозначении ПЛИС : ультранизковольтное устрой - ство (LV), низковольтное устройство (EV), обычное устройство (UV). Типичные характеристики встроен - ной блочной памяти BSRAM ПЛИС GOWIN серии GW2A семейства Arora [4]: ● максимальное значение частоты синхросигнала 380 МГц ; ● организация данных от 1 до 36 раз - рядов ; ● поддерживаемые операцион - ные режимы : однопортовое ОЗУ (SinglePort), двухпортовое ОЗУ (DualPort), полудвухпортовое ОЗУ (SemiDualPort), ПЗУ (ROM); ● поддержка бита паритета ;