Современная электроника №4/2023

ЭЛЕМЕНТЫ И КОМПОНЕНТЫ 17 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА • № 4 / 2023 поддерживаемыми соответствующим банком IO ПЛИС . В качестве макси - мального тока нагрузки для каждо - го выхода GPIO ПЛИС может быть задано одно из значений : 4 мА , 8 мА , 16  мА , 24 мА . Линии GPIO ПЛИС под - держивают следующие стандарты вво - да - вывода : LVCMOS33/25/18/15/12; LVTTL33, SSTL33/25/18 I, SSTL33/25/18 II, SSTL15; HSTL18 I, HSTL18 II, HSTL15 I; PCI, LVDS25, RSDS, LVDS25E, BLVDSEMLVDSE, LVPECLE, RSDSE. Для каждой линии GPIO в ПЛИС могут быть включены внутренние резисторы подтяжки к питанию , к общему проводу и режим открытого коллектора . Помимо входов синхросигнала PCLK, используемых в ПЛИС семей - ства LittleBee в качестве источников глобального синхросигнала (GCLK), в ПЛИС также имеются входы высо - коскоростного синхросигнала HCLK с меньшими по сравнению с PCLK вну - тренними задержками распростране - ния , предназначенные для синхрони - зации критичных к задержкам узлов и интерфейсов ПЛИС . Типичные значения внутренних задержек ПЛИС GOWIN серии GW1N приведены в табл . 9 [2]. Типичные значения задержек BSRAM ПЛИС GOWIN серии GW1N приведены в табл . 10 [2]. Типичные значения задержек син - хросигналов и сигналов в линиях I/O ПЛИС GOWIN серии GW1N приведены в табл . 11 а [2]. Для сравнения в табл . 11 б приведены типичные значения задержек синхросигналов и сигналов в линиях I/O ПЛИС Intel (Altera) попу - лярной серии MAX 10 [3]. Типичные значения параметров PLL ПЛИС GOWIN серии GW1N приведе - ны в табл . 12 [2]. Как можно видеть из вышеприве - денной информации , ПЛИС семейства LittleBee по своим ресурсам подходят для разработки приложений малой и средней сложности . 2. Семейство ПЛИС Arora Семейство продуктов GOWIN Arora предлагает энергонезависимые ПЛИС типа FPGA с логической матрицей на основе SRAM, со средним количеством логических ресурсов ( до 55K ячеек LUT4), со средним и большим количе - ством пользовательских линий I/O ( от 66 до 608), несколькими поддерживае - мыми интерфейсами , реализованны - ми в виде аппаратных ядер (MIPI CSI-2, MIPI DSI, LVDS, HDMI, USB 2.0, PCI, Таблица 13. ПЛИС GOWIN серии GW2A Устройство GW2A-18 GW2A-55 Количество ячеек LUT4 20 736 54 720 Количество ячеек Flip-Flop (FF) 15 552 41 040 Теневая память SRAM SSRAM, бит 41 472 109 440 Блочная память SRAM (BSRAM), бит 828K 2520K Количество блоков BSRAM 46 140 Количество умножителей 18×18 48 40 Количество PLL 4 6 Количество банков линий I/O 8 8 Максимальное количество линий I/O 384 608 Напряжение питания ядра , В 1,0 1,0 Таблица 14. ПЛИС GOWIN серии GW2AN Устройство GW2AN-9X GW2AN-18X GW2AN-55 Количество ячеек LUT4 10 368 20 736 54 720 Количество ячеек Flip-Flop (FF) 10 368 15 552 41 040 Теневая память SSRAM, бит 41 472 41 472 109 440 Блочная память BSRAM, бит 540K 540K 2520K Количество блоков BSRAM 30 30 140 Память NOR Flash, бит 16M 16M 32M Количество PLL 2 2 6 Количество входов глобального синхросигнала GlobalClock 8 8 – Количество входов высокоскоростного синхросигнала HighSpeedClock 8 8 – Скорость обмена через LVDS, Мбит / с 1250 1250 – Скорость обмена через MIPI, Мбит / с 1200 1200 – Количество банков линий I/O 9 9 8 Максимальное количество линий I/O 389 389 608 Напряжение питания ядра у ультранизковольтного устройства (LV), В 1,0 1,0 1.0 Напряжение питания ядра у низковольтного устройства (EV), В 1,2 1,2 – Напряжение питания ядра у обычного устройства (UV), В 2,5/3,3 2,5/3,3 –