Современная электроника №3/2023

ЭЛЕМЕНТЫ И КОМПОНЕНТЫ 22 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА • № 3 / 2023 щим диодом , полностью самозащи - щённые приборы и т . д . Создание приборов с высокими клю - чевыми характеристиками позволит превзойти по такому параметру , как кВт / л , лучшие зарубежные аналоги в преобразовательной технике , что очень важно для лётной отрасли . Не менее важно это и для электромобильной отрасли . Повышение эффективности ключа повысит пробег электромоби - лей на одной зарядке . Сегодня ведущие фирмы России , разрабатывающие силовые приборы , такие как « Ангстрем », « Микрон » и др ., знают о работах Ю . Н . Максименко , но по ряду объективно - субъективных при - чин стараются их не замечать и упорно продолжают работать над улучшением конструкций IGBT и MOSFET. Работа написана с целью привлечь внимание людей , которые могут решить вопрос о начале разработок предлагаемых автором статьи прибо - ров . Литература 1. Unipolar Field – Effect Transistor // Proc. IEEE. 1952. Vol. 40. № 11. P. 1375–1376. 2. Zuleeg R. Asilicon space-charge-limited triode and analog transistor // Solid-State Electronics. 1967. Vol. 10. № 5. P. 449–460. 3. Teszner S., Gicguel R. Gridistor – A new fieldeffect device // Proc. IEEE. 1964. Vol. 52. № 2. P. 1502–1513. 4. Shumka A. A Germanium Solid-State Triode // I. Appl. Phys. 1969. Vol. 40. № 1. P. 438–439. 5. Nishizawa I., Terasaki T., Shibata I. Field- Effect Transistor Versus Analog Transistor (Static Induction Transistor) // IEEE Trans, on Electron Dev. 1975. Vol. 22. № 4. P. 185– 197. 6. Зи С . М . Физика полупроводниковых при - боров / пер . с англ . под ред . А . Ф . Трутко . М .: Энергия , 1975. 7. Транзистор , управляемый полем : патент 52-6076 Япония : МКИ HOI 29/80 / Nishizawa I. № 46-28405; заявл . 28.04.71; опубл . 18.11.77. 8. Nishizawa I., Yamamoto K. High-Frequency High-Power Static Induction Transistor // IEEE Trails, on Electron Dev. 1978. Vol. 25. № 3. P. 314–322. 9. Homola I., Milnest A.G. Turn-off-type Field- Controlled Thyristor. Concepts for High Power Operation // Solid-State Electronics. 1980. Vol. 23. № 11. P. 1101–1105. 10. Мощные транзисторы со статической индукцией / М . Татта и др . // Тохоку Кинд - зоку Гихо . 1980. Т . 8. № 1. С . 45–52. 11. Юкимото Д . Транзисторы со статической индукцией с присоединённым затвором // Дэнки Дзайре . 1981. Т . 20. № 9. С . 29–34. 12. Сихира К . СВЧ - транзисторы со статической индукцией // Хандотай Кэмкюсе Хококу . 1980. Т . 16. № 1. С . 21–27. 13. Normally-off type high speed SI-thiristor / Y. Nakamura, H. Tadano, S. Sagiyama at al. // International Electron Devices Meet. Sun- Fransisco, Calif. 1982. P. 480–483. 14. Ozawa O., Iwasaki H. A Vertical FET with Self-Aligned Ion-Implanted. Source and Gate Regions // Manuscript received Ianury 27, 1977. Revised August 29, 1977. P. 56–57. 15. International Electron Devices Meet / A. Cogan, R. Regan, I. Bencuye at al. Washington, 1983. P. 221–224. 16. Полевой транзистор с продольным управ - ляющим р -n- переходом : патент 52-3791 Япония : МКИ HOI 29/80 / Акиясу И . ( Япо - ния ); Сони К . К . ( Япония ). № 48-115121; заявл . 13.10.73; опубл . 29.01.77. 17. Способ изготовления полевого тран - зистора с продольным расположением областей . Заявка 58-28782 Япония : МКИ НО I 29/80/ Сони К . К . № 50-38313; заявл . 28.03.75; опубл . 17.06. 83. 18. Shino T., Kamo Н ., Aoki М . 2 GHz high power silicon SIIs // Proc. 1979 Int. Conf. Solid State Devices (Tokyo) lap, I. Appl. Phys. Suppb. 1980. Vol. 19. P. 283–287. 19. 1 G Н z 100 W internally matched Static indution transistor / M. Aiga, Y. Higashi, M. Kato, Y. Kajiwara et al. // Proc. 1979 Europian Microwave Conf. 1979. P. 561–565. 20. Microwaves. 1979. № 11. P. 20. 21. Nishizawa I., Ohmi T., Chen H. Analysis of Static Characteristic of a Bipolar-Mode SIT (BSIT) // IEEE Trans, Electron Dev. 1982. Vol. ED-29. № 8. P. 1233–1244. 22. Tamama T., Murase K., Mizushima Y . Voltage-Controlled negative resistance in A submicron Vertical IFET // Solid-State Electronics. 1984. Vol. 27. № 10. P. 855–866. 23. Способ изготовления полевых транзисто - ров с управляющим р -n- переходом и вер - тикальным каналом : авт . свидетельство 1215546 СССР : МКИ HOI 21/18 / Максимен - ко Ю . Н ., Корнилова С . Н ., Жуковский Н . М . ( СССР ). № 3052227; заявл . 22.06.82; зарег . в Госреестре изобр . СССР 01.11.85. 24. АнтоновМ . И ., Данилов В . С ., МаксимекоЮ . Н . и др . Мощные полевые транзисторыКП 801 В , Г , Д с выходными характеристиками триод - ного типа // Электронная промышленность . 1985. № 7. C. 42–44. 25. Усилитель мощности : авт . свидетель - ство 1270874 СССР : МКИ НОЗ 3/26 / Бессо - нов Г . К ., Семенов Ю . Е ., Максименко Ю . Н ., Воронцов А . А . ( СССР ). № 3343424; заявл . 11.01.85; зарег . в Госреестре изобр . СССР 15.07.86. 26. Максименко Ю . Н . Мощный транзистор со статической индукцией КП 926 А , Б // Современная электроника . 2023. № 3. 27. Воронин П . А . Силовые полупроводнико - вые ключи : семейства , характеристики , применение . М .: Додэка – ХХ I, 2001. 384 c. 28. Максименко Ю . Н . Мощный высоковольт - ный транзистор со статической индукци - ей с антипараллельным диодом // Элек - тронная техника . Сер . 2. Полупроводни - ковые приборы . 2022. Вып . 3 (266). 29. Максименко Ю . Н . Мощный полупрово - дниковый прибор с N- образной вольт - амперной характеристикой // Электрон - ная техника . Сер . 2. Полупроводниковые приборы . 2022. Вып . 4 (267). 30. Максименко Ю . Н . Мощный высоковольт - ный составной транзистор со статиче - ской индукцией // Электронная техника . Сер . 2. Полупроводниковые приборы . 2022. Вып . 4 (267). 31. Максименко Ю . Н . Транзистор со стати - ческой индукцией КП 926 с повышенным быстродействием // Электронная техни - ка . Сер . 2. Полупроводниковые приборы . 2022. Вып . 3 (266). 32. Максименко Ю . Н ., Грабижева В . К . Полно - стью защищённый транзистор со стати - ческой индукцией // Электронная техни - ка . Сер . 2. Полупроводниковые приборы . 2023. Вып . 1 (268). 33. Максименко Ю . Н ., Грабижева В . К . Мож - но ли сделать идеальный полупроводни - ковый ключ ? // Электронная техника . Сер . 2. Полупроводниковые приборы . 2023. Вып . 1 (268). 34. Составной высоковольтный переключа - ющий транзистор : заявка на изобрете - ние от 29.01.86 № 4034830/25 / Максимен - ко Ю . Н ., Данилов В . С ., Корнилова С . Н ., Сергеев А . Г . Решение о выдаче авт . сви - детельства от 30.12.86. 35. Составной транзистор : авт . свидетель - ство от 15.09.1989 № 1538831 / Максимен - ко Ю . Н ., Криштафович И . А ., Фелькер Г . А . 36. Составной высоковольтный переключа - ющий транзистор : авт . свидетельство от 22.12.1989 № 1559990 / Максименко Ю . Н ., Данилов В . С ., Бессонов Г . К . 37. Мощный высоковольтный состав - ной транзистор : авт . свидетельство от 15.08.1990 № 1614715 / Максименко Ю . Н ., Макаров В . А ., Агафонов С . М . 38. Составной транзистор со статиче - ской индукцией : авт . свидетельство от 22.08.1990 № 1616449 / Максимен - ко Ю . Н ., Макаров В . А ., Фелькер Г . А ., Пальмихин М . Б . 39. Дефензор : заявка на патент от 05.05.2022 № 2022112569/289026205 / Максименко Ю . Н ., Глухов А . В ., Романюк А . И . Решение о выдаче патента от 10.11.2022. 40. Войтович В ., Гордеев А ., Думаневич А . Si, GaAs, SiC, GaN // Силовая электроника . 2010. № 5.