Современная электроника №3/2023

ЭЛЕМЕНТЫ И КОМПОНЕНТЫ 21 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА • № 3 / 2023 В таблице приведена зависимость ОПЗ основных материалов , используемых в современной микроэлектронике , от приложенного к р -n- переходу обратно - го напряжения [40]. Из таблицы видно , что у материалов SiC и GaN зависимость ОПЗ от при - ложенного к р -n- переходу напряже - ния очень слабая . Создать СИТ c их использованием невозможно , но и при создании полевых MOSFET из - за это - го возникают трудности – для управ - ления транзистором необходимо высокое управляющее напряжение и тонкий подзатворный диэлектрик . Сегодня найдены решения по обхо - ду этой проблемы , но за счёт услож - нения технологии . Входная ёмкость из - за тонкого диэлектрика высокая , и это ограничивает частотные свой - ства приборов . Разработка приборов на Si по предло - женным конструкциям позволяет соз - давать ключи с уникальными параме - трами , которые значительно улучшат массогабариты и надёжность лётной электроники и электроники для элек - тромобилей . Технология формирова - ния кристаллов построена на хорошо освоенных в серийном производстве приёмах – Trench и Locos, поэтому себестоимость этих приборов должна быть низкой по сравнению с себестои - мостью приборов на SiC и GaN. Создание КП 926 и КТ 9154 с изотип - ным гетеропереходом [33] позволит снизить сопротивление кристалла до 0,0005 мОм , что позволит уменьшить кристал на 3-4 порядка . Но уменьше - ние кристалла приведёт к проблеме токоотвода . Возможно , нужно будет создавать конструкции с перевёрну - тым монтажом кристалла . Создание транзисторов на SiC и GaN с изотипными гетероистоками , кото - рые модулировали бы низкоомную область стока , невозможно из - за кон - структивных и электрофизических осо - беностей этих приборов . Заключение В данной работе рассмотрена исто - рия появления и развития ново - го класса приборов – приборов со статической индукцией . Их выход - ные характеристики триодного типа позволяют создавать мощные уси - лители НЧ с высоким качеством зву - чания , а способность работать как в полевом , так и в биполярном режи - мах – создавать идеальные клю - чи . Конструктивные особенности СИТ позволяют на их основе созда - вать принципиально новые прибо - ры со статической индукцией : при - бор с N- образной характеристикой ( дефензор ), СИТ с быстродействую - Таблица . Зависимость ОПЗ от приложенного к р -n- переходу обратного напряжения Параметры , характеристики Si GaAs SiC GaN Подвижность электронов , μ , см ²/ В ⋅ с 1450 9200...11 000 900 1000 Ширина ОПЗ Wp-n, мкм ( при U = 200 В ) > 100 от 40 1,33...2,0 1,21...1,5 Относительная ёмкость p-n- перехода , С 0,1 1,0 > 30 > 30 Предельная частота переключения , МГц ( при 600 В приборов ) > 10 – 0,15 2...5 Реклама