Современная электроника №6/2021

ЭЛЕМЕНТЫ И КОМПОНЕНТЫ 29 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 6 2021 радиационно-стойкое, индустри- альное. Ключевые характеристики серии: ● встроенное аппаратное ядро PCIE 2.1; ● 16 GTX приёмопередатчиков (до 12,5 Гбит/с); ● 16 020 Кбит блочной памяти; ● Precise TMR Tools; Микросхема доступна к постав- ке. Основные характеристики ПЛИС JFM7VX690T-RT / JFM7VX690T80-RT: ● количество вентилей: 69 млн; ● частота: 600 МГц; ● макс. объём блочной памяти ОЗУ: 52 920 Кбит; ● количество DSP: 3600; ● количество GTH приёмопередатчи- ков: 36/80; ● количество аналого-цифровых бло- ков XADC: 1; ● максимальное число пользователь- ских выводов: 850/600; ● корпус: FCCGA1761/FCCGA1927 (пла- стик); ● TID: ≥ 100 кРад (Si); ● SEL: ≥ 75 МэВ × см 2 /мг. Ключевые характеристики серии: ● Встроенное аппаратное ядро PCIE 3.0; ● 36/80 GTH приёмопередатчиков (до 13,1 Гбит/с); ● 52 920 Кбит блочной памяти; ● Precise TMR Tools; Образцы микросхем в исполнениях Space, Industrial, High-reliable доступны к поставке. Память PROM Характеристики современных рад- стойких PROM, выпускаемых пред- приятиями КНР, достигают следую- щих значений: ● ёмкость – до 1 Мбит при разрядно- сти 32 бита; ● напряжение питания 3,3 или 5 В; ● время доступа < 45 нс; ● радстойкость: TID 100 кРад (Si), SEL: ≥ 75 МэВ × см 2 /мг, SEU: ≥ 37 МэВ × см 2 /мг. Компоненты поставлялись в РФ для космических проектов (см. рис. 6). Память SRAM На данный момент производители предлагают микросхемы памяти ёмко- стью до 144 Мбит, разрядностью до 40 бит, быстродействием менее 15 с и напряжением питания 1,8, 3,3, 5 В, ради- ационной стойкостью TID 100 крад (Si), SEL: ≥ 75 МэВ × см 2 /мг, SEU: ≤ 1E –10 оши- бок/бит × день. Память FPGA PROM Для работы некоторых ПЛИС необхо- дима внешняя память. В качестве при- мера рассмотрим два чипа конфигу- рационной памяти ПЛИС B17V16RH и B18V04RH (см. рис. 7). 3D-память Технологическим достижени- ем современности можно назвать 3D-память. Долгие годы ёмкость запоминающих устройств увели- чивалась за счёт увеличения плот- ности размещения ячеек памяти на кристалле и за счёт роста площади кристалла. Технологические огра- ничения не позволяли упаковы- вать ячейки памяти многослойно, поскольку нижние и верхние слои находились в разных условиях при прохождении серии технологиче- ских этапов. Современные технологические про- цессы позволили использовать третье измерение для увеличения плотности размещения ячеек памяти. Реклама