Современная электроника №6/2021

ЭЛЕМЕНТЫ И КОМПОНЕНТЫ 28 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 6 2021 гральных схем, а в 1989 г. уже реализо- вывалась программа перехода ЭВМ 4-го поколения на БИС к 5-му поколению. На 2001 г. общий доход 44 китай- ских компаний, разрабатывающих и производящих электронную про- дукцию, составил около 2 млрд дол- ларов, а это 82% дохода электрон- ной промышленности КНР. Развитие микроэлектроники в Китае привлекло мировых гигантов на недорогие про- изводственные площадки с дешёвой рабочей силой. Санкции против китайской микроэлектронной промышленности В 1989 году правительством КНР при- нято решение о развитии специальных экономических зон в провинциях Чжу- хай и Шеньчжень. В то же время санк- ционная политика США накладывала новые и новые ограничения на доступ к финансам, технологиям и оборудова- нию для промышленных предприятий Китая. Как показывает история, санк- ции во многом стимулируют промыш- ленность стран, против которых они были введены. В апреле 2021 стало известно о санк- циях США против китайских суперком- пьютеров. Министерство торговли США внесло в санкционный список семь китайских компаний, которые теперь не смогут приобретать оборудование для суперкомпьютеров. Однако эти санкции не повлияют на один из самых мощных суперкомпью- теров планеты — Sunway TaihuLight, поскольку он собран на китайской эле- ментной базе. Этот факт очень нагляд- но свидетельствует о суверенности и защищённости микроэлектронной промышленности Китая сегодняшне- го дня. В том числе благодаря введению санкционной политики КНР сейчас является одним из передовых произ- водителей электроники с развитой микроэлектронной промышленно- стью. В настоящее время промышлен- ность Китая самостоятельно произ- водит и готова поставлять партнёрам в РФ широкий ряд электронных ком- понентов высоконадёжного и радиа- ционно-стойкого исполнения: ПЛИС, ЦАП и АЦП, микросхемы памяти раз- личных типов, модули и микросхемы питания, интерфейсные микросхемы, процессоры, ВЧ/СВЧ-компоненты и изделия, пассивные компоненты и соединители. Рассмотрим некоторые изделия из приведённого ряда. Элементная база ПЛИС В настоящее время китайские про- изводители предлагают одну из самых высокопроизводительных высоко- надёжных ПЛИС в мире, имеющую характеристики: ● количество вентилей на чип – до 69 млн; ● рабочая частота – до 800 МГц; ● макс. объём блочной памяти ОЗУ – до 52 Мбит; ● количество блоков DSP – до 3600; ● при радстойкости TID >100 крад (Si); ● стойкость к защёлкиванию SEL > > 75 МэВ × см 2 /мг. Производство ПЛИС глубоко осво- ено китайской промышленностью. Широкий ряд ПЛИС, с характеристи- ками, близкими и даже превосходящи- ми западные аналоги, предлагается к поставкам и применению уже сегодня, перспективные ИС находятся в разра- ботке. Ряд освоенных в производстве ПЛИС уже имеют опыт поставки в РФ. Микросхема JFM7K325T-C про- изводства китайской компании Fudan успешно конкурирует с ана- логами ведущих мировых про- изводителей высоконадёжных ПЛИС (см. рис. 5). Что касается характеристик, то модель аналогична по логическим ресурсам, назначению и шагу выво- дов. В то же время модель превосхо- дит аналоги по статическому энерго- потреблению. Характеристики ПЛИС JFM7K325T-C: ● количество вентилей: 32,5 млн; ● частота: 600 МГц; ● макс. объём блочной памяти ОЗУ: 16 020 Кбит; ● количество DSP: 840; ● количество GTX приёмо-передатчи- ков: 16; ● количество аналого-цифровых бло- ков XADC: 1; ● максимальное число пользователь- ских выводов: 500; ● корпус: FCCGA900; ● TID: ≥ 100 кРад (Si); ● SEL: ≥ 75 МэВ × см 2 /мг. Существуют различные исполне- ния данной ИС – высоконадёжное, Рис. 5. Радстойкая ПЛИС Рис. 6. Память PROM