Современная электроника №5/2020

СОВРЕМЕННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ 22 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 5 2020 на одной плате размещать кристаллы полупроводниковых приборов, тре- бующие изоляции от заземлённой экранной стороны подложки, и кри- сталлы активных элементов, которым необходимо соединение с заземлён- ной стороной. Также сочетание позво- ляет покрывать стенки отверстий с алмазным слоем диаметром более 0,3 мм слоями металлических плё- нок или полностью заполнять метал- лом, например сплавом вольфрама и меди. Таким образом можно получить короткозамыкающие перемычки для соединения элементов топологии схе- мы с одной стороны подложки с эле- ментами топологии, расположенны- ми на обратной стороне, и улучшить электрические характеристики за счёт уменьшения паразитной индуктивно- сти соединений. Авторами статьи разработаны кон- струкция и технология ГИС СВЧ с использованием подложки из нитрида алюминия со сквозными отверстиями, заполненными алмазом, с проводящей металлизационной структурой, позво- ляющей формировать топологический рисунок, включающий пассивные эле- менты и микрополосковые линии, а также создавать СВЧ-устройства повышенной мощности, обладающие улучшенными электрофизическими характеристиками. Применение алмазного слоя на под- ложке из нитрида алюминия со сквоз- ными отверстиями, заполненными алмазом, позволяет увеличить пре- дельную выходную мощность, обе- спечить эффективный отвод тепла от кристаллов полупроводниковых приборов и повысить срок службы усилителей мощности приёмопере- дающих устройств СВЧ. Литература 1. Мякишев Ю ., Гуляев В. , Журавлёв К. Ква- зимонолитные интегральные схемы: тех- нология и приборы. Электроника: Наука, Технология, Бизнес. 2006. № 6. 2. Непочатов Ю. Металлизация керамиче- ских подложек с использованием лазера и теплового переноса металлизацион- ного слоя. Современная электроника. 2019. № 4. 3. Непочатов Ю., Городецкий Д., Абраа- мян А., Самусов И., Окотруб А. Тепло- отводы на основе нитрида алюминия с алмазным покрытием. Современная электроника. 2017. № 6. 4. Темнов А. М. и др . Гибридно-монолит- ные интегральные приборы СВЧ: кон- струирование и технология изготовле- ния. Обзоры по электронной технике. 1987. Вып. 20 (1319). 5. Juan L. T., Asher P. G. A.W. – band monolithic balanced mixer. JEEE 1985 microwave and millimeter-wave monolithic circuits Symp. Digest of papers. Ed. M. Cohn. New Jork. 1985. P. 71. 6. Патент РФ№ 2474921 МПК H01L 27/00, Н05К 1/00. Приоритет 30.08.2011. Опубл. 10.02.2013. 7. Ральченко В. Г., Савельев А. В. и др . Двух- слойные теплоотводящие диэлектри- ческие подложки алмаз-нитрид алю- миния. Микроэлектроника. 2006. Т. 35. № 4. С. 243. 8. IEEE Transaction оn Components. Hybrids and Manufacturing Technology. 1985. Vol. СНМТ-8. No 2. Р. 247. 9. Microwave and RF. 1984. Vol. 23. No 7. P. 74. 10. Васильев А., Данилин В., Жукова Т. Новое поколение полупроводниковых материа- лов и приборов. Через GaN к алмазу. Элек- троника: Наука, Технология, Бизнес. 2007. № 4. С. 68. ОФИЦИАЛЬНЫЙ ДИСТРИБЬЮТОР WWW.PROSOFT.RU Реклама