СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА №9/2016

СОБЫТИЯ 89 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 9 2016 та «Московский институт электронной техники», Московского технологиче- ского университета, компании Synopsys, АО «Зеленоградский нанотехнологиче- ский центр», Некоммерческого парт- нёрства «ГЛОНАСС», Центра развития социальных инноваций «Технологии возможностей». Лучшими были названы шесть про- ектов, среди которых: ● технология группового корпусиро- вания кристаллов на основе гибко- пластичных полимеров «ПлатЭКС» (г. Зеленоград); ● проект отечественной разработки нитрид-галлиевых (GaN) приборов и устройств на их основе, представ- ленный компанией ОАО «НИИЭТ» (г. Воронеж); ● визуализатор (суперлинза) ближ- него поля излучающих объектов со сверхразрешением, представлен- ный университетом ИТМО (г. Санкт- Петербург); ● скоростная компактная беспро- водная видеокамера, управляемая со смартфона по Wi-Fi, также пред- ставленная университетом ИТМО (г. Санкт-Петербург); ● модулярно-логарифмический сопро- цессор (самостоятельный IP-блок СнК) для математических операций с изменением традиционных прин- ципов вычислений на фундаменталь- ном уровне, представленный ФГУП «РФЯЦ-ВНИИЭФ» (г. Саров); ● профессиональный 3D-принтер PICASO PRO 250В – пример готово- го бизнес-решения, представленный Зеленоградским наноцентром. Финалисты конкурса «Фестиваль инноваций» были приглашены в соз- даваемый в настоящее время Корпо- ративный акселератор АО «Российская электроника» для очного представления проектов, минуя первичный отбор. Кро- ме того, не только финалисты, но и дру- гие интересные проекты участников конкурса поступили в pipe-line инве- стиционного департамента Зеленоград- ского нанотехнологического центра. В рамках конкурса была также учреж- дена специальная номинация Центра развития социальных инноваций «Тех- нологии возможностей», призванная определить лучшие проекты, направ- ленные на решение проблем инва- лидов с помощью передовых техно- логий в области микроэлектроники. Первое место, статус резидента про- граммы «Технологии возможностей» и стипендия в размере 100 000 руб. были присуждены проекту «Спутник». Второе место занял проект «Белая чай- ка – очки пространственного ориенти- рования для людей с ограничениями зрения, получивший стипендию в раз- мере 20 000 руб. Дипломы были пере- даны победителям через организато- ров Форума. Первое место на «Фестивале иннова- ций» было отдано совместной разра- ботке ООО «Научно-производствен- ный центр «ПлатЭКС» (г. Зеленоград) и НИУ МИЭТ. Денис Вертянов, руко- водитель компании, представил тех- нологию группового корпусирования кристаллов на основе гибко-пластич- ных полимеров и способ изготовления микросборок по технологии внутрен- него монтажа кристаллов в кремние- вую подложку. Данная технология решает ряд кон- структивно-технологических проб- лем, которые в первую очередь связа- ны с разваркой выводов кристаллов микросхем в процессе корпусирова- ния. К таким проблемам относят сле- дующие наиболее известные дефекты: трещины в местах соединения прово- локи с контактными площадками кри- сталлов, образование пустот и обры- вов, замыкание проволочных выводов и наводки и другие. Традиционные тех- нологии корпусирования сегодня уже не могут удовлетворить как технологи- ческим, так и экономическим требова- ниям, предъявляемым к современным изделиям микроэлектроники. Для решения упомянутых проблем было разработано несколько вари- антов изготовления высокоплотных микро- и радиоэлектронных модулей без использования процессов развар- ки. Технология внутреннего монта- жа кристаллов в кремнии, представ- ленная компанией «ПлатЭКС», явля- ется перспективной и предназначена как для реализации технологий груп- пового планарного корпусирования кристаллов на гибко-пластичных осно- ваниях, так и для создания многокри- стальных модулей и микросборок, в том числе модулей памяти, GPS/ГЛОНАСС- приёмников, вычислительных модулей. Основными отличиями от традици- онных технологий являются изменения последовательности операций сбор- ки и монтажа, расположение кристал- ла внутри конструктивного основания и создание электрических соединений между контактными площадками кри- сталлов и контактными площадками основания без использования процес- сов разварки выводов кристаллов. Сна- чала кристаллы устанавливаются в осно- вание и защищаются кремнийоргани- ческим компаундом, затем с активной стороны элементов происходит фор- мирование слоёв основания из гибко- пластичного полимера. Производственный процесс, постро- еный на основе типовых технологи- ческих операций, начинается с фор- мирования технологической маски из металла на кремниевой пластине для последующего глубокого плазмо- химического травления (см. рис. 1).