СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА №9/2016

СОВРЕМЕННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ 19 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 9 2016 товка к измерению адгезии проводи- лась в два этапа: 1) сначала на металлизированную поверхность гальваническим мето- дом наносился слой никеля толщи- ной 3 … 4 мкм, после чего никель при- пекался в сухом водороде при темпе- ратуре +850 ° C в течение 30 мин; 2) затем изделия помещались в специ- альную оправку, в которой к никели- рованной поверхности прижимался никелевый вывод, площадь припаи- ваемого торца которого составляла 1 мм 2 . Между выводом и никелиро- ванной поверхностью помещалась прокладка припоя ПСр72 толщи- ной 200 мкм. Пайка проводилась при температуре +870 ° C в вакууме 7 × 10 –5 торр. Измерения адгезии припаянного никелевого вывода к МП проводили с помощью разрывной машины Instron 3366L4610 в режиме статического нагружения со скоростью 0,5 кгс/мин. Результаты измерения адгезии пред- ставлены в таблице 3. При измерении адгезии максималь- ная нагрузка, которую выдерживал никелевый вывод, составила 2,5 кгс/мм 2 . Из таблицы 2 видно, что из зарубежных составов максимальную адгезиюпока- зывают составы С.4 (при температу- ре вжигания 1400 ° C в сухом водоро- де) и С.2 (как в сухом, так и во влажном водороде, но при более низкой темпе- ратуре вжигания 1340 ° C). Важно отме- тить, что во влажной среде поверхность алюмонитридной керамики окисляется и на её поверхностиформируется слой из оксидов: Al 2 O 3 , Al 5 Y 3 O 12 и AlYO 3 [5]. Это приводит к снижению теплопро- водности керамики, что является нега- тивнымфактором. Поэтому предпочти- тельно использовать режимы вжигания, в которых время нахождения образцов во влажной среде минимально. В ЫВОД Исходя из результатов измерения адгезии МП к AlN-керамике, можно сказать, что некоторые составы метал- лизационных паст, применяемых для металлизации алюмооксидной кера- мики (Al 2 O 3 ), можно использовать для металлизации алюмонитридной керамики. Наиболее оптимальными составами являются составы В и С.2, вжигание которых осуществлялось при Т = +1340 ° C в сухом водороде. Для более глубокого исследования проч- ностных характеристик МП на AlN- керамике, полученных на основе соста- вов В и С.2, необходимо проведение дополнительных экспериментальных работ. Л ИТЕРАТУРА 1. НепочатовЮ.К., Земницкая А.А., Муль П.А. Разработка керамики на основе нитри- да алюминия для изделий электрон- ной техники. Современная электрони- ка. 2010. №9. 2. Непочатов Ю.К., Плетнёв П.М., Денисо- ва А.А. Патент 2560456 Россия. МПК51 С 04 В 35/581. С 04 В 35/64. Способ обжига керамических деталей. №2013121253/03. Заявлено 07.05.2013. Опубл. 20.08.2015. Изобретения. 2015. №23. 3. Непочатов Ю., Красный И., Абраамян А., Бандин А., Денисова А. Разработка тепло- проводящих керамических дисков для СВЧ-транзисторов и силовых полупрово- дниковых модулей. Современная электро- ника. 2016. №3. 4. Земницкая А.А., Пестрецова Н.Е., Ла- рин К.В., Борискин С.А., Дитц А.А. Сборник статей IХ международной конференции студентов и молодых учёных «Перспек- тивы развития фундаментальных наук» 2012. Технология получения керамиче- ских подложек из нитрида алюминия методом литья. 5. Никитушкин И.В., АнненковЮ.М. Нацио- нальный исследовательский Томский политехнический университет. Тепло- проводная нанокерамика из нитрида алюминия и сопутствующие материалы, полученные методами высокоинтенсив- ных технологий. Российская молодёжная научная конференция «Энергетика, элек- тромеханика и энергоэффективные тех- нологии глазами молодёжи». Секция 1. Энергоэффективные технологии в элек- тромеханике. 6. Непочатов Ю.К., Денисова А.А., Плет- нёв П.М., Красный И.Б. Вестник СГУПСа №10. 2015. Особенности обжига алюмо- нитридной керамики. Новости мира News of the World Новости мира Московская промышленность пошла в рост По итогам восьми месяцев обрабатыва- ющие промышленные производства столи- цы впервые в 2016 г. продемонстрировали рост на 0,1% по сравнению с аналогичным периодом прошлого года. Об этом сообща- ет Аналитический центр города Москвы. Как отмечают эксперты, точками роста по итогам января–августа стали такие отрас- ли, как производство машин и оборудова- ния (+20%), а также лёгкая промышлен- ность, включая производство кожи и обуви (+15%), текстильное и швейное производ- ство (+7,5%). Наиболее динамичное увели- чение объёмов (193% по сравнению с анало- гичным периодом прошлого года) отмечено в производстве электронной аппаратуры. Как подчёркивают в ГБУ «Аналитиче- ский центр», положительная динамика про- мышленного производства в Москве под- тверждается и другими экономическими показателями, в том числе ростом прибы- ли обрабатывающих производств и энер- гопотребления в лидирующих отраслях. Так, по данным Мосэнергосбыта, зафик- сировано увеличение энергопотребления на 23% в производстве электроники, на 8% – в химической и на 4% – в лёгкой про- мышленности. Кроме того, на 9% выросло потребление электроэнергии в столичных технопарках. В свою очередь рост прибыли отмечен в большинстве отраслей столичной экономики, кроме пищевой, металлургиче- ской и деревообрабатывающей промышлен- ности, а также нефтеперерабатывающей. Начавшийся промышленный рост анали- тики связывают, в частности, с программой стимулирования развития индустриального потенциала Москвы, запущенной столичным правительством в конце 2015 г. и начавшей давать результаты. Комментируя данные статистики, заме- ститель мэра Москвы по вопросам экономи- ческой политики и имущественно-земель- ных отношений Наталья Сергунина подчер- кнула, что в Москве действует механизм стимулирования эффективно работающих предприятий, которые становятся драйве- ром развития экономики города. В рамках мер поддержки предприятиям, которые эффективно используют территорию, активно инвестируют, выплачивают сотруд- никам высокую заработную плату, город пре- доставляет значительные налоговые льготы и льготы по аренде земли. Общее снижение налоговой нагрузки для реального сектора столичной экономики в рамках программы поддержки составляет до 25%, в результа- те чего промышленные компании получают возможность для высвобождения дополни- тельных ресурсов на развитие производства. www.depr.mos.ru

RkJQdWJsaXNoZXIy MTQ4NjUy