СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА №7/2012

КМОП технологии с пятислойной ме таллизацией и топологическими нор мами 0,18 мкм (см. рис. 3). Ячейки па мяти для таких ИС разработаны с по мощью САПР фирмы Cadence на базе ячеек, устойчивых к одиночным сбоям. В микросхемы также интегрированы устройства обнаружения и исправле ния ошибок (EDAC). Особенности и ос новные параметры микросхем: ● обширная библиотека стандартной логики и устройств ввода/вывода; ● возможность использования до 6,5 млн. логических ячеек, эквива лентных NAND2; ● напряжение питания ядра 1,8 В, уст ройств ввода/вывода – 3,3 Вили 2,2 В; ● резервные спаренные буферы (Cold Sparing Buffers); быстродействующие LVDS буферы (655 Мбит/с); буферы PCI; ● электростатическая устойчивость не менее 2000 В для устройств вво да/вывода, не менее 1000 В для узлов ФАПЧ; ● допустимая доза радиации 300 крад в соответствии со стандартомMil Std 883, Test Method 1019; ● ни одного случайного переключе ния и защёлкивания при пороге ли нейной передачи энергии LET Threshold (LET, Linear Energy Trans fer) не более, чем 95 МэВ/мг/см 2 при Т = 125 ° С; ● уровни стандартов качества Mil Prf 38535 QML Q и QML V, ESCC9000; ● триггеры, устойчивые к одиночным отказам; ● диапазон рабочих температур –55…125 ° С; ● корпус MQFP (до 352 выводов) или MLGA (до 625 выводов). Предусмотрено пять исполнений микросхем с различным числом кон тактных площадок (216–544) и ис пользуемых логических элементов (от 1 Mgates/ATC18HA95_216 до 6,5 Мga tes/ATC18RHA_544); размеры корпусов от 6,19 × 6,19 мм до 14,0 × 14,03 мм. Для работы с микросхемами необхо димо получить программные средства (в разделе Tools интернет страницы компании www.atmel.com) , аппарат ные средства и образцы ИС (у дист рибьюторов Atmel), документацию и дополнительные справочные матери алы (на вкладке Documentation той же интернет страницы). Микросхемы MG2RT предназначены длякосмическихприложенийтипа «мо ре транзисторов», базирующихся на КМОП технологии с топологическими нормами 0,5 мкм. Массивы микросхем могутсостоятьизбольшогочиславенти лей(до480К), выполненныхиз трёхсло ёв металла с помощьюпроцесса SCMOS 3/2RT. Ячейки ИС отличаются высокой степеньюмаршрутизациииплотностью памяти. Высокая точностьходавстроен ных часов достигается применением систем ФАПЧ и программного обеспе чения Clock Tree Synthesis Software. Для подавления шумов ячеек и периферии используются специальные методы. Некоторые другие особенности и па раметры микросхем: ● оптимизированная библиотека для синтеза, поэтапного планирования (Floor Plan) и для автоматической ге нерации тестов (ATG, Automatic Test Generation); ● напряжения питания 3 и 5 В; ● максимальная задержка распростра нения в памяти NAND2 (при U пит = = 4,5 В) 450 пс; частота переключе ния триггеров (Toggle Frequency) не менее 610 МГц (при U пит = 4,5 В); ● потребляемаямощность 1,96мкВт/на элемент/МГц (при U пит = 5 В); ● матрица с 484 полностью програм мируемыми контактными площад ками; ● CMOS/TTL/PCI интерфейсы; ● поддержка основных САПР, включая Cadence, Mentor, Vital и Synopsys Refe rence Platforms; ● образцовые форматы EDIF и VHDL; ● соответствие категории качества Space Quality Grades (SCC, MIL PRF 38535); ● ни одного случайного переключе ния и защёлкивания при пороге ли нейной передачи до 80 МэВ/мг/см 2 ; ● испытания на общую дозу облуче ния 60 крад в соответствии со стан дартом MIL 883, Test Method 1019; ● широкий выбор корпусов MQFP и MCGA с числом выводов до 472; ● диапазон рабочих температур –55…125 ° С (максимальная темпера тура кристаллов 175 ° С). Микросхема MG2RTP с числом вен тилей до 270К. Особенности и пара метры приборов (отличные от харак теристик MG2RT): ● максимальная задержка распростра нения в памяти NAND2 (при U пит = = 4,5 В) 505 пс; ● потребляемаямощность2,7мкВт/эле мент/МГц; ● матрица с 360 полностью програм мируемыми контактными площад ками; ● испытания на общуюдозу радиации до 300 крад. Микросхемы МMH1RT – радиацион но стойкие ASIC, выполненные по КМОП технологии с топологически ми нормами 0,35 мкм. Массивы тран зисторов и встроенные массивы (Em bedded Array) содержат до четырёх металлизированных слоёв для межэле ментных связей, до 1,6 млн. вентилей и до 596 контактных площадок. Высокая плотность и большое число выводов в сочетании с возможностью встраива ния IP ядер делают эти ИС одним из лучших вариантов для системной ин теграции. Изделия поддерживаются передовымпрограммным обеспечени ем на основе отраслевых стандартов и коммерческих инструментов, включая Verilog, DFT, Synopus и Cadence Logic Design Planner. Другие особенности и параметры микросхем: ● задержка в цепях вентилей (Gate de lay) 170 пс; ● типы памяти SRAM и TPRAM; ● интерфейсы ввода/вывода CMOS, LVTTL, LVDS, PCI, USB и др.; ● программируемый выходной ток от 2 до 24 мА с шагом 2 мА; ● максимальные частоты 250 МГц (ФАПЧ), 220 МГц (LVDS), 800 МГц (Toggle Frequency) при U пит = 3,3 В; ● поддержка субмикронных САПР (Deep Submicron CAD Flow); ● ни одного случайного переключе ния и защёлкивания при пороге ли нейной передачи до 80 МэВ/мг/см 2 ; ● триггеры, устойчивые к одиночным отказам; ● испытания на общуюдозу радиации 300 крад в соответствии с Mil STD 883,Test Method 1019; ● градации качества QML Q и V в соот ветствии с SMD 5962 01B01 и 5962 08B01; ESCC QML в соответствии с ESCC 9202/076; ● поддержка САПР Cadence (доступ ные инструменты: NCslm Verilog Simulator; Encounter TM Floorplan ЭЛЕМЕНТЫ И КОМПОНЕНТЫ 12 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 7 2012 Рис. 3. Внешний вид микросхемы ATC18RHA ' СТА - ПРЕСС