СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА №7/2012

ЭЛЕМЕНТЫ И КОМПОНЕНТЫ щают устройствами задержки, кото рые удерживают логику от переключе ния в течение времени, достаточного для рекомбинации генерированных ионами зарядов (при этом снижается быстродействие микросхем). Другой метод состоит в сохранении состоя ний узлов (Temporal Sampling) с пери одом большим, чем длительность им пульса тока, вызванного радиацией. Обычно его применяют в дополнение к тройному резервированию. Такая временная фильтрация защищает и от случайного переключения. Применя ются также проверка чётности и кор ректирующие коды (ECC). Фирма Atmel предлагает для косми ческих приложений ИС типа «море транзисторов» (Sea of Gates). Также ком пания выпускает ASIC на базе библио течных элементов ATC18RHA, выдер живающие дозу радиации до 300 крад, и радиационно стойкие 32 разрядные SPARC процессоры, предназначенные для бортовых компьютеров космичес ких аппаратов. Для предотвращения неисправностей, вызванных SEUи SET, процессоры оснащены TMR и устрой ствами обнаружения и исправления ошибок (EDAC, Error Detection and Cor rection), а также схемами проверки чётности в кэш памяти. Процессоры фирмы Atmel сохраня ют работоспособность при дозах об лучения до 300 крад в соответствии со стандартом Mil Std 883, Test Method 1019. При их использовании в аппара туре, находящейся на геостационар ной орбите, события типа SEU или SET могут происходить не чаще, чем один раз в 200 лет. В каталог компании 2012 г. включе ны радиационно стойкие микросхе мы следующих категорий: ● микросхемыASIC для аэрокосмичес ких систем; ● микросхемы для телекоммуникаций; ● микросхемы FPGA для космических систем; ● микросхемы памяти; ● микропроцессоры для авионики и космических систем; ● микросхемы для военной промыш ленности и авионики [4]. М ИКРОСХЕМЫ ASIC ДЛЯ АЭРОКОСМИЧЕСКИХ СИСТЕМ Линейка данных микросхем попол нятся всякий раз, когда компания внед ряет новые технологии. ATC18RHA – ASIC на базе библиотеч ных элементов, изготовленных по 11 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 7 2012 B BN BN Стандартная защёлка Двойная защёлка Q Q W B BN B W Q Рис. 2. Структура избыточности ячеек памяти Реклама ' СТА - ПРЕСС