Современная электроника №5/2023

СОВРЕМЕННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ 23 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА • № 5 / 2023 г . Москва ), на так называемых n-i-p (« ниппель ») LPE GaAs эпитаксиальных структурах . Такие структуры высту - пают как в роли фотоприёмников и преобразователей солнечной энер - гии ( в космосе до 1600 Вт / м 2 ), так и в роли объёмных мощных ИК - лазеров на границе ИК и красного диапазона световых волн . Также данный метод приёма / передачи энергии в космосе может быть использован с помощью фотовольтаидных электростанций на более высоких орбитах . ( Китай плани - рует создать солнечные электростан - ции мегаваттного уровня на апогей - ных орбитах в магнитосфере Земли .) Что касается « магнитной подвески », то из физики известно , что при про - хождении через проводник с круговым контуром ( катушка Гаусса , внутри кото - рой плазма , допустим , плазма ионос - феры ) возникает притягивающая или отталкивающая сила , действующая как на плазму , так и на проводник пропор - ционально IH/C, где I – ток в проводни - ке , H – сила наведённого магнитного поля , а С – скорость света . Поскольку скорость спутника как минимум первая космическая ( от 7 км / с ), то градиент концентра - ции плазмы , допустим , в первом ионо - сферном слое может оказаться очень высоким , что создаст условия « ком - плексной » составляющей наведён - ной плотности плазмы ( магнитное поле Земли – достаточно слабое , но и его влияние может быть учтено ). При стратосферной орбите вокруг мини - спутника появится очень плот - ная окружающая плазма , она очень подходит для создания « подушки непо - топляемости » мини - спутника . Пробле - ма ? Конечно же , бортовая температура , поскольку Si, SiC ( кстати , нерадиацион - ностойкие SiC MOSFET), а также GaN- электроника – попросту выгорят . Вот здесь и понадобится высокотемпера - турная , радиационностойкая электро - ника , в том числе сверхпроводящая фотоника , фононика на основе новей - ших уникальных материалов A III B IV , A IV B IV /A IV , которые осваиваются в пери - метре РАН ( г . Санкт - Петербург ) [8], [9] и Росатома , с температурой эксплуа - тации окружающей среды 250…450° С . В отечественных мини - спутниках , так же как и уИлонаМаска , будут использо - ваны двигатели Холла на ионах крипто - на (Kr), но на совершенно новой техно - логической основе , с предварительной УФ - камерой ионизации криптона ( в ближнем ультрафиолете на волнах λ = 240…320 нанометров на УФ - диодах д . ф .- м . н . С . А . Кукушкина ( ИПМашРАН , г . С .- Петербург )) в сверхсильных полях с использованиемсиловых преобразовате - лейпо типу озонаторов на Si- тиристорных преобразователях , работающих со ско - ростями тока di/dt ∼ 10 12 А / с на лазер - ных GaAs высоковольтных тиристорных ( десятки киловольт ) оптостолбах . Тири - сторные оптостолбы также исключи - тельно полезныи удобныдлямагнитно - полевой ускорительно - ионной установки сопла двигателя Холла со значительно более высокойионной тягой , чемвмини - спутниках «Starlink» ИлонаМаска . Особое значение имеет резкое усиле - ние тяги ионного двигателя с примене - нием сверхсильного магнитного поля на сверхпроводниковых структурах С . А . Кукушкина на основе электронной жид - костивнанослоевойсистеме 3 С /2H-SiC/Si ( комнатная сверхпроводимость !). Заключение 1. Встатьепоказана вероятность соз - дания « параллельной » электроники в России ( возможно , в Росатоме ) на фоне « путивникуда » на основе теку - щихСтратегий , Программ , импортоза - мещения , Концепцийипрочихини - циативв отечественнойэлектронике . 2. Статья ещё раз подчёркивает ( наряду с предшествующими публи - кациями в журнале « Современная электроника » [1], [2] и другими ), что у России в области ультрасовременной электроники опережающего уровня имеются такие возможности , которые и не снились в странах G7. Возникает вопрос – а кто препятствовал проек - там по LPE GaAs и « тринитридным » технологиям д . ф .- м . н . С . А . Кукушки - на ( ИПМаш РАН , г . С .- Петербург )? Кто « убивал » эти проекты ? Россия генети - чески не может обойтись без лысен - ковщины , несмотря на то , что создана платформа для прорывных техноло - гических направлений по LPE GaAs, тринитридной и атомно - замещённой технологиям , опережающим мировой уровень как минимум на пять лет . 3. Вечно летающие SMART мини - спутники – это абсолютно необходимый элемент государственной безопасности . Ультрасовременные космические тех - нологии – это основа основ сохранения национального суверенитета . 4. 7G на базе широкополосного косми - ческого Интернета – это цифровая эко - номика уже в четвёртом десятилетии , включая систему распознавания ( но только не на « тупиковых » нейросетях ). 5. « Крылатая » DHL, логистическая и инфраструктурная урбанизация , начиная с мегаполисов , с переходом на всю территорию РФ , включая в пер - спективе и электрический воздушный транспорт , – неплохая новая часть « интеллектуализации » терагерцевой биосреды обитания человека . 6. Новые дроны – мощный антитер - рористический инструмент . 7. Надеемся , что новая статья заинте - ресует топ - менеджеров : в части дронов – А . Р . Белоусова , вчастимини - спутников – Ю . И . Борисова , а также С . В . Чемезова . Литература 1. Гордеев А . И ., Войтович В . Е ., Святец Г . В . Крупнейшие в мире перспективные элек - тронные отечественные проекты с ёмко - стью мирового рынка в триллионы долла - ров // Современная электроника . 2022. № 9. 2. Гордеев А . И ., Войтович В . Е ., Святец Г . В . Перспективные фотонные и фононные отечественные технологии для терагер - цевых микропроцессоров , ОЗУ и интер - фейса с сверхнизким энергопотреблени - ем // Современная электроника . 2022. № 2. 3. Гордеев А . И . Как завоевать мировой рынок электроники в посткремниевую эпоху ? // Современная электроника . 2021. № 5. 4. Комплексные полупроводники критически важны для ожидаемого всплеска спроса на 5G в миллиметровом диапазоне // Теле - грамм - канал RUSMicro // URL: https://t. me/s/RUSmicro. ( Источник : “Compound semiconductor critical to expected 5G mmWave demand spurt” URL: https://www. digitimes.com/news/a20230317PD207/5g- compound-semiconductor-mmwave.html) 5. Материалы XXV Международной научно - технической конференции по фотоэлектро - нике и приборам ночного видения в Госу - дарственном научном центре Российской Федерации НПО « Орион » холдинга « Шва - бе » Госкорпорации Ростех 24 мая 2018 г . 6. Войтович В . Е ., Гордеев А . И ., Звонарев А . В . Терагерцевая тепловольтаика на основе монокристаллов LPE i-GaAs (SiO). В 2 ч . // Современная электроника . 2017. № 3, № 4. 7. ГордеевА . И . Перспективные терагерцевые поля - ризованные информационные системы в 2 ч . // Современная электроника . 2016. № 6, № 7. 8. КукушкинС . А ., Осипов А . В . Эпитаксиальный карбид кремния на кремнии . Метод согласо - ванного замещения атомов ( обзор ) // Жур - нал общей химии . 2022. Т . 92. № 4. С . 547–577. 9. Кукушкин С . А ., Осипов А . В . Оптические свойства , зонная структура и проводи - мость межфазной границы раздела гете - роструктуры 3C-SiC(111)/Si(111), выращен - ной методом замещения атомов // Письма в ЖТФ . 2020. Т . 46, вып . 22.