Современная электроника №5/2023

СОВРЕМЕННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ 18 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА • № 5 / 2023 ТехникаРоссииближайшихлет : « вечнолетающие » дроны , кубсаты , мини - спутники наоснове « параллельной » электроники Материал статьи скомпилирован на основании школьных проектов , выполненных в рамках программы Ульяновского Образовательного центра « Сириус » Лалей Нуриевой , Никитой Брескану , Максимом Сыровым ( физико - математический лицей № 38, г . Ульяновск ) и Ренатой Галимовой , выпускницей гимназии № 2 ( г . Ульяновск ), ныне студентов РГУ нефти и газа ( НИУ ) им . И . М . Губкина ( г . Москва ), МГУ им . М . В . Ломоносова ( г . Москва ), Московского политехнического университета , МГТУ им . Н . Э . Баумана соответственно , где наставником и руководителем проектов был автор этой статьи , будучи главным специалистом АО « Концерн радиостроения « Вега » . Александр Гордеев ( ООО « АГАТ », г . Москва ) Вступление В данной статье мы продемонстриру - ем необычайные научно - технологиче - ские возможности России в глубокой перестройке экономики [1], [2] на осно - ве альтернативной на сегодня « парал - лельной » электронной индустрии [3], которая зарождается в текущий момент в периметре Росатома . Статья направлена на преодоление « летаргии » в управляющих структурах в части развития отечественной элек - троники и на быстрое преодоление катастрофических последствий Про - граммы импортозамещения от 2015 года в этой стратегической отрасли . Катализатором является проект Программы негосударственной ФЦП развития отечественной электрони - ки до 2030 года , разработанный авто - ром данной статьи с индикаторами и показателями , опережающими миро - вой уровень на 5–7 лет на имеющей - ся в реальности в РФ технологической платформе . Необходимость создания в РФ новой « параллельной » электронной индустрии Электроника в России – « дитя без глазу у семи нянек » – Ростех , АФК , Росатом ( цифра , алмаз ), Роснано , Скол - ково , РАН , частные компании и даже концерн ВКО « Алмаз - Антей ». Россия катастрофически отстаёт по цифровым технологиям от зарубежно - го уровня (2- нанометровые микропро - цессоры производства TSMC ( Тайвань ), Samsung ( Корея )), и это отставание уже невозможно ликвидировать даже к середине текущего столетия , поскольку в нанотехнологическое оборудование , технологии и софт , с учётом имеющих - ся промплощадок Белоруссии и раз - работки полевых транзисторов , основ цифровых и логических ячеек , потребу - ются ежегодные вливания от $30 млрд . Существует и проблема с кремнием зонной плавки диаметром от 150 мм и выше . И хотя вложено свыше миллиар - да рублей , но нет серийных SiC – моно - кристаллических подложек . Финанси - рование Минпромторгом ОКР систем Si-SiC-AlN-GaN или более дорогосто - ящих SiC-AlN-GaN ( Концерн « Алмаз - Антей ») также подчёркивает , что у нас нет качественного эпитаксиального GaN и , соответственно , гетеросистем на его основе под GaN pHEMT в стра - тегическом миллиметровом диапазо - не ( ЦРОФАР , ЦАФАР ), на чём выстра - иваются современные системы ПВО , боевая авиация , ударные БПЛА , кос - мическая « смотрящая » навигационная и связная техника . Что касается моно - кристаллов GaAs, то нужно отметить наличие устаревшей , но в целом каче - ственной технологии малого диаметра методом Чохральского диаметром до 3 дюймов в АО « Гиредмет » ( Росатом ), а также целенаправленное финанси - рование ОКР ( свыше 1 млрд руб .) по VGF- методу выращивания слитков монокристаллов GaAs в Обнинске ( за рубежом диаметр VGF GaAs кристал - лов составляет 150 мм и выше ). Остаётся острейшая проблема с хим - реактивами особой чистоты , газами , качеством цветных металлов , BeO, AlN- керамикой и др . Также необходимо отметить необходимость перехода от « семи нянек » к подчинённости одной организации , т . е . к созданиюМЭП РФ , как это было в СССР , посколь - ку на кону национальный сувере - нитет . Тем не менее , несмотря на вышеопи - санную мрачноватую картину , в Рос - сии есть технологический и научный фундамент для прорывного скачка в развитии отечественной электроники с опережением зарубежного уровня на пять – семь лет в части экстремальной радиационностойкой электроники на новых уникальных монокристал - лах арсенида галлия , полученного , в отличие от MOCVD классической технологии , используемой страна - ми G7, новым жидкофазным мето - дом , отличающимся возможностью создания « параллельной » мировой , новой электронной индустрии , зна - чительно превосходящей всё , что соз - дано на мировом рынке на таких мате - риалах , как Si, SiC, GaN. Необходимо отметить разработанные в ИПМаш РАН , г . Санкт - Петербург ( д . ф .- м . н . Сергеем Арсеньевичем Кукушки - ным ), « тринитридные » технологии выращивания кристаллов SiC, GaN, AlGaN c рабочими температурами в три раза выше , чем на Si, GaN, SiC, а также сверхпроводящих систем при комнатной температуре и новейших кристаллов для спин - волновой элек - троники и прорывной , меняющей мир изотопной цифры . Взамен трёх бесперспективных последовательных Стратегий и Про - граммы по импортозамещению под - готовлены Проект КЦП ( пока для Роса - тома ), а в ближайшей перспективе ( в течение 2–3 месяцев ) будет подго - товлен проект ФЦП по созданию экс - тремальной электроники , фотоники , фононики и спин - электроники для