Современная электроника №3/2023

СОВРЕМЕННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ 61 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА • № 3 / 2023 совершенствования световых приборов « дальнего света », когда луч может осве - щать до 1 км пространства по ходу дви - жения . На рис . 18 представлена полу - проводниковая структура лазерного диода с понятными пояснениями . Лазерный диод , как разновидность излучающего полупроводникового « све - тодиода » (LED – Light Emitting Diodes), был изобретён в ХХ веке и наиболее популярен для световых эффектов , ког - да луч , особенно в темноте , хорошо виден . А благодаря высокой концентрации виден на большом расстоянии , что даёт возможности точечной подсветки . Понят - но , что обычный LED с его относительно рассеянным свечениемпроизводит иной эффект , нежели лазерный диод , изобра - жение которого представлено на рис . 19. Именно такие используют в « лазер - ных указателях » с мощностью 1–5 мВт , несмотря на то , что лазерные диоды оснащены двумя зеркалами на проти - воположных концах полупроводника . Одно из зеркал имеет частичную про - зрачность , подобно двухстороннему зеркалу . Поэтому технически лазерный диод от светодиода LED отличается по конструкции исполнения . Исходящий лазерный луч формирует конус излуче - ния всего лишь в 1–2º по сравнению с конусом светового излучения светоди - ода в 90º. Увеличение тока сверх опре - делённого значения через LED резко снижает его эффективность . А эффек - тивность лазерных диодов с увеличени - ем тока почти не меняется . Эти особен - ности указывают на ценность лазеров для отдельных случаев применения , где светодиоды значительно уступа - ют . Внутри диода лазер можно сфоку - сировать на крошечной точке люмино - фора для создания узкого интенсивного луча яркостью , в 20–50 раз превыша - ющей яркость светодиода . При малом приложенном напряжении лазерный диод может заменить обычный свето - диод ; эффекта « лазера », как сконцен - трированного пучка света , не будет заметно , но при увеличении электри - ческого тока увеличивается мощность ; когда превышается порог плотности потока , полупроводник излучает свето - вой импульс с определённой его свой - ствами длиной волны ; яркий пучок ещё более усиливается внутренними зерка - лами . Вид на готовый универсальный модуль полуполярного галлий - нитрид - ного лазера для поверхностного монта - Рис . 15. Иллюстрация концентрации луча в лазерном устройстве Рис . 16. Вид на полупрофессиональное лазерное устройство Рис . 17. Иллюстрация действия устройства в помещении Рис . 18. Полупроводниковая структура лазерного диода Рис . 19. Маломощный лазерный диод , длина волны 850 нм Металлический контакт Материал P- типа Материал N- типа Внутренний слой Лазерное излучение