Современная электроника №9/2022

КОМПЕТЕНТНОЕ МНЕНИЕ 50 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 9 2022 нитридных или дилатационных гетеро- системах, в том числе на новом радиа- ционно-стойком поколении pHEMT, а также униполярно-инжекционных, зон- но-релятивистских материалах или на сверхпроводниках (A IV B IV /A IV ), не требу- ющих охлаждения. Бортовые суперком- пьютеры будут созданы на принципах, изложенных в предыдущем разделе. Приёмный блок будет выстраивать- ся на комбинации брэгговских решё- ток (VGM-резонаторы) и диэлектриче- ских галлиево-алюминиевых антенн с последующим усилением субтерагер- цового сигнала на электронно-фонон- ных принципах. Входные компараторы также будут выполнены на диэлектриках с супер- квантованием и высочайшей избира- тельной способностью на новом поко- лении терагерцовых АЦП. Нет проблем с синтезаторами (гене- раторами частот), а также узловым зве- ном: объёмно-акустическими фильтра- ми на акустических фононах, допустим, тринитридном AlN. Абсолютно бесшумные выходные усилители могут быть выполнены на 40-нанометровых 2DEG-структурах в GaAs с присадками индия (этот чрез- вычайно полезный эффект обнару- жил д.т.н. П.П. Мальцев (ИСВЧПЭ РАН). С VGM-резонаторами успешно справит- ся МИФИ, где сосредоточены лучшие специалисты в области нанофотоники. Как итог, чего не хватает в РФдля раз- работки 6G-системы, превосходящей мировой уровень? Скорее всего, адек- ватного понимания, взаимодействия и координации в этой области между управляющими структурами и интеллек- туальной научно-технической элитой. Терагерцовая 5…7,5 ТГц GSM-, GPS- и фононная локация Окна прозрачности атмосферы и спектр электромагнитного излучения показаны на рис. 9 (а, б) [16]. Какие возможности есть у России в области разработок 7G, 8G, 9G, 10G? С учётом раздела «Терагерцовые элек- тронно-фононные ОЗУ», первич- ные процессорные решения − просто исключительные на фоне зарубежных технологий, что предопределяет неиз- бежность лидерства России на трил- лионном рынке услуг и построения интеллектуальной тера- и, в перспек- тиве (2040 г.), петагерцовой экономики. Наглядное представление россий- ского технологического и терагерцо- вого уровня показано в сводной табл. 1. Общая ёмкость проектных услуг и продуктов на мировом рынке к 2035 году прогнозируется на уров- не более чем 3 триллиона долларов (т.е. два ВВП РФ) (табл. 2). В России есть всё для реализации ука- занных проектов, а именно: ● выполнен огромный объём работ в области фундаментальных и при- кладных исследований (см. раздел «Список литературы»); ● разработана практическая мелко- серийная технология уникальных материалов (LPE GaAs- и гетеро- структуры на его основе, атомноза- мещённые гетероструктуры Si/3C-SiC, тринитридные гетеросистемы, спин- электронные материалы, изотопно- цифровые кристаллы, фотонные и фононные кристаллы); ● разработана стартаповская техно- логия получения силовых, СВЧ-, оптоэлектронных, светодиодных, лазерных, спин-электронных, пи- роэлектронных, фотонных, изотоп- но-цифровых приборов. Организация научно- технологических центров В центре дорожной карты указанных проектов находится проект по созда- нию «Центра экстремальной электро- ники, фотоники и фононики» с рабочи- ми температурами продуктов проекта до +1000°С и с исключительной ради- ационной стойкостью. Проект с осени 2021 г. находится в Правительстве Ульяновской области. В текущий период проект передан в Ростех (АО «Концерн радиостроения «Вега»), через члена совета директоров в Концерн «КРЭТ», заместителюпредсе- дателя комитета по науке ГД, в АО «Кон- церн ВКО «Алмаз-Антей» (через АО «ОКБ «Планета»), часть проекта находится в инвестиционном портфеле Росатома. Комплексная, новая Программа по ЭКБ проекта с опережением мирового уровня на 5-6 лет будет разработана в ноябре 2022 г., и она может стать базой для Новой Стратегии развития отече- ственной электронной промышлен- ности до 2030 года, т.е. стать стратегией обеспечения национальной монополии в отдельных сегментах мирового рынка в областях субнано- и наноэлектроники, силовой, СВЧ-, ТГц-электроники, фото- ники ифононики и спин-электроники. То есть фактически созданы условия не для концепций, а для стратегического планирования «Программы экспорто- замещения» («Твёрдая нефть»). Заключение 1. В статье представлены реальные ме- гапроектына основе создания новых уникальных, не имеющих аналогов на мировомрынке материалов: LPEGaAs- и гетеросистемы, атомно-защищён- ные наноструктуры в системе Si/3C- SiC, в томчисле для спин-электроники / комнатной сверхпроводимости; три- нитридные, с самоорганизацией гете- росистемы, изотопно-цифровые, фо- тонные, фононные кристаллы. 2. Пора «включать мозги» (по меткому выражению Президента РФ) и при- нять наши предложения в реальную стратегическуюПрограмму развития электроники, фотоники, фононики и спинтроники с опережением миро- вого уровня как минимум на пять лет. 3. Необходимо возродить МЭП РФ, по- скольку на кону национальный су- веренитет. Литература 1. Электронику начнут с чистого нуля // Коммерсант. 2022. № 168. 13 сент. URL: https://www.kommersant.ru/ doc/5558844. 2. Войтович В.Е., Гордеев А.И., Звонарев А.В. Терагерцовая тепловольтаика на основе монокристаллов LPE i-GaAs (SiO) в 2 ч. // Современная электроника. 2017. № 3; 2017. № 4. 3. ГуляевЮ.В., Годик Э.Э. Физические поля биологических объектов // Вестник Ака- демии наук СССР. 1983. № 8. 4. Гордеев А.И., Войтович В.Е., Звонарев А.В. Новая физическая твердотельная элек- троника на основе терагерцового рас- щепления и деформации запрещён- ной зоны LPE SiGaAsSi-кристаллов. Ч. 1 // Радиотехника. 2017. № 10. 5. Ахманов С.А., Хохлов Р.В. Об одной воз- можности усиления световых волн // ЖЭТФ. 1962. Т. 43. № 1. С. 351–353. 6. Гордеев А.И. Перспективные терагерцо- вые поляризованные информационные системы в 2 ч. // Современная электро- ника. 2016. № 6; 2016. № 7. 7. Баграев Н.Т., Кукушкин С.А., Осипов А.В. и др. Терагерцовое излучение из нано- структур карбида кремния // Физика и техника полупроводников. 2021. Т. 55, вып. 11. С. 1027–1033. 8. Баграев Н.Т., Кукушкин С.А., Осипов А.В. и др. Регистрация терагерцовогоизлучения с помощью наноструктур карбида крем- ния // Физика и техника полупровод- ников. 2021. Т. 55, вып. 12. С. 1195–1202. 9. Гордеев А.И., Войтович В.Е., Святец Г.В. Перспективные фотонные и фононные отечественные технологии для терагер-