Современная электроника №6/2022

ВОПРОСЫ ТЕОРИИ 61 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 6 2022 Поэтому применение аппарата тео- рии надёжности к описанию процес- сов и прогнозированию радиационной стойкости не разработано и не зафик- сировано в нормативных документах. Таким образом, вопросы комплекс- ного воздействия дестабилизирующих факторов космического пространства в настоящее время в нормативных доку- ментах отражаются весьма схематично, что требует от разработчиков аппара- туры учитывать наличие этих проблем самостоятельно. Литература 1. ЗаитовФ.А.,ЛитвиноваН.Н.,СавицкийВ.Г. и др. Радиационная стойкость в оптоэлек- тронике. М.: Воениздат, 1987. 166 с. 2. Артемов А.Д., ДанилинЮ.И., Курышев А.В. и др. Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. 2019, вып. 4. C. 50–56. 3. Вовк О.В. Комплексное воздействие раз- личных частиц и длительных повышен- ных температур на параметры кремние- вых фотодиодов // Вопросы оборонной техники, серия 11. М.: НТЦ «Информтех- ника», 1993, вып. 4 (139), 52 с. 4. Зи С. Физика полупроводниковых при- боров. Т. 1, 2. М.: Мир, 1984. 5. Killiany J.M., Baker W.D. Limitations of a Threshold-Insensitive CCD Input Technique in a Total Dose Radiation Environment, in 1995 Intern. Conf. Applic. CCDs Proc. P. 369–374. 6. Kaschieva S. Materials Science and Engineering B100 (2003) 23/26. Institute of Solid State Physics, Bulgarian Academy of Sciences. An advantage of MOS structures with ultra thin oxide during irradiation. 7. Булгаков Н.Н., Зинченко В.Ф. Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиационного воздействия на радио- электронную аппаратуру. 2020, вып. 1. C. 39–44. 8. Кофтонюк Н.Ф., Сальников Е.Н. Фото- чувствительные МДП-приборы для пре- образования изображений. М.: Радио и связь, 1990. 160 с. 9. Шалимова К.В. Физика полупроводников: учебник для вузов. М.: Энергоатомиздат, 1985. 392 с. 10. Ладыгин Е.А. Радиационная технология твердотельных электронных приборов // I отраслевая технологическая конфе- ренция, 2007. 11. Мамонтов А.П., Чернов И.П. Эффект малых доз ионизирующих излучений. Томск: Дельтаплан, 2009. 288 с. 12. Клименов В.А., Лидер А.М., Мамонтов А.М. и др. Физические основы современных технологических процессов. Томск: Дель- таплан, 2012, 176 с. 13. Сыров А.С., Смирнов В.В., Гордийко С.В. и др. RU 2693296. Способ от сбоев и отказов электронного блока космического аппа- рата, вызываемых внешними воздейству- ющими факторами и устройство для его осуществления, приоритет 28.11.2018. ФГУП МОКБ «Марс». 14. Лукьяненко В.И., Литвак А.К., Мурахов- ский Е.В. и др. Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппа- ратуру. 2019, вып. 2. C. 80–84. 15. ВерхотуровВ.И.,ДенисенкоВ.А.,ЛитвакА.К. Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. 1991, вып. 3. C. 56–63. 16. Вавилов В.С., Горин Б.М., Данилин Н.С. и др. Радиационные методы в твердотель- ной электронике. М.: Радио и связь, 1990. 17. Weber H.W., Bock H., Unfried E. , Gncenwood O.P. Neutron disimerry and damage calculations for the TRIGA MARK-ID reactor in Vienna. J. of nucl. mater. 1986, № 37. P. 236–240. 18. ИтальянцевА.Г.,МордковичВ.Н.,ТемперЕ.М. О роли атермических процессов в импульсном отжиге ионно-легирован- ных слоев кремния // Физика и техни- ка полупроводников. 2003. Т. 19, вып. 5. P. 928–930. 19. Коваленко А.К., Королева Е.А., Галеев А.П. и др. Вопросы атомной науки и техники, 2015, вып. 9. C. 11–13. 20. Zioch H.J. and all. Temprature dependence of radiation damage and its annealing in silicon detectors // IEEE Trans. Nucl. Sci., 2021, vol. 68, № 8, pt. 1. P. 1694–1700. 21. Stein H.J. Thermodynamic and morphological analysis of large silicon self-interstitial clusters using atomic simulations. J. of Applied Phys., 117 (2015), issued 3, April 07. 22. Гарнык B.С. Влияние характера рас- сеяния на время жизни неосновных носителей заряда в кремнии, легиро- ванном гафнием // Физика и техника полупроводников. 1994. Т. 28, вып. 2. С. 228–231. 23. Yang K.H., Kappert H.F., Schwutko G.H. Physical and Electrochemical characterization of crystalline silicon surfaces modulated by aluminum. Phys. St. Sol.(a), №2 (8st.), vol. 215(2018), 1700543. 24. Watkins G.D. In Lattice Defect in Semicond. Conf. Ser. № 231, Inst. Of Phys. London- Bristol, 2019. 25. КоршуновФ.П.,БогатыревЮ.В.,НосовЮ.П. Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. 2019. Вып. 3. С. 5–8. 26. Абрамочкин А.И., Карпов И.М., Окунь П.И. и др. Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. 2018. Вып. 3. С. 19–21. 27. Сирота Н.Н., Чернышев А.А., Коршу- нов Ф.П. Отжиг радиационных дефек- тов в кремниевых диодах, облучённых быстрыми нейтронами // Труды инсти- тута тв. тела и полупроводников. 2012. С. 33–39. 28. Ширшев Л.Г. Ионизирующие излуче- ния и электроника. М.: Советское радио, 1979, 191 с. 29. Wik M.W. Hardening of telecommunication Netwoks against Electromagnetic Pulses. Ericsson Reviev, 1984, vol. 61, № 4. Pp. 59–68. 30. Чернышев А.А. Основы надежности полу- проводниковых, приборов и интеграль- ных схем. М.: Радио и связь, 1988. 31. May T.C., Woods M.H. Alpha-Particle Induced Soft Errors in Dynamic Memories // IEEE Transactions on Electron Devices, 2021, vol. 68, № 4. P. 1454–1460. 32. Tojable T., Shinoda T., Aoki M. and all. A Soft Ensor RateModel for MOS Dynamic RAMs // IEEE Trans. on ElectronDevices, 2020, vol. 67, №4. P. 1680–1685. 33. Iwai H., Otsuka H., Matsumoto Y. and all. Comparisons of Intrinsic Guttering and Epitaxial Wafer in Terms of Soft Error Endurance and Other Characteristics of 64K Bit Dynamic RaM // IEEE Transductions on Electron Devices, 2021, vol. 68, № 4. P. 1649–1653. 34. Мамонтов А.П., Еремина А.А. Влияние интенсивности электронного облуче- ния на характеристики GaAs-приборов // Электронная техника. 1987, сер. (вып.) 6 (191). P. 6–11. 35. Miller P.R. Engineering to counter the EMP theat // Radio and Electron Eng., 1993, vol. 53, № 11, № 12. P. 387–392. 36. Борковский Я.И., Постников В.Н., Таран- цев В.А. и др. Вопросы атомной науки и техники, 2001, вып. 1. C. 9–12. 37. Борисов Ю.А., Герасимов В.Ф., Никифо- ров Н.Ю. и др. Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппа- ратуру. 2013, вып. 1–3. C. 174–176. 38. Мырова Л.О., Чепиженко А.З. Обеспече- ние стойкости аппаратуры связи к иони- зирующим и электромагнитным излуче- ниям. М.: Радио и связь. 297 с. 39. Вавилов В.С., Горин Б.М., Данилин Н.С. и др. Радиационные методы в твердо- тельной электронике. М.: Радио и связь, 1990. 184 с.