Современная электроника №5/2022

ВОПРОСЫ ТЕОРИИ 64 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 5 2022 Литература 1. ЗаитовФ.А.,ЛитвиноваН.Н.,СавицкийВ.Г., Средин В.Г. Радиационная стойкость в оптоэлектронике. М.: Воениздат, 1987. 166 с. 2. Блог компании RUVDS.com // URL: http:// nuclphys.sinp.msu.ru/pilgrims/cr16.htm. 3. Модель космического про- странства / под ред. акад. С.Н. Вернова. М.: МГУ, 1983. 4. Безродных И.П. и др. Радиационные условия на геостационарной орбите // Вопросы электромеханики. Т. 117. 2010. С. 33–42. 5. Артемов А.Д., ДанилинЮ.И., Курышев А.В. и др. Функционирование БИС после про- тонного и нейтронного воздействий // Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. 2019. Вып. 4. С. 50–56. 6. Чернышев А.А., Глотюк А.Н., ПоповЮ.А. и др. Радиационная стойкость интеграль- ных микросхем // Зарубежная электрон- ная техника. 1984. № 8(279). С. 87. 7. Влияние облучения на материалы и эле- менты электронных схем / пер. с англ. под ред. В.Н. Быкова, С.П. Соловьева. М.: Атомиздат, 1986. 427 с. 8. Мырова Л.О., Чепиженко А.З. Обеспече- ние стойкости аппаратуры связи к иони- зирующим и электромагнитным излуче- ниям. М.: Радио и связь, 1988. 297 с. 9. Коршунов Ф.П., Богатырев Ю.В., Вави- лов В.А. Воздействие радиации на инте- гральные микросхемы. М.: Наука и тех- ника, 1996. 254 с. 10. Wondrak W., Betnge K., Silber O. Radiation defect distribution in proton-irradiated silicon. J. Appl. Phys, 2017, vol.62(8), p. 3464–3466. 11. Мальханов С.E. Энергетические уровни в кремнии, облученном быстрыми элек- тронами // Физика и техника полупрово- дников. 1994. Т. 28. Вып. 8. С. 1431–1433. 12. Курсалов Ю.В., Савченко И.С., Хора- стянов Т.Л., Хрулев А.К. Воздействие протонного излучения на кремние- вые транзисторы. 13. Азимов К.С., Григорьева Г.М. и др. О вли- янии областей разупорядочения на рекомбинацию в облучённом протона- ми р -кремнии // Тез. докл. конференции «Радиационные дефекты в полупрово- дниках». М., 2012. 14. Коноплева Р.Ф., Остроумов В.Н. Взаи- модействие заряженных частиц высо- ких энергий с германием и кремнием. М.: Атомиздат, 1975. 39 с. 15. Hasegava M., Mori S., Ohsugi T., Kojima H., Taketani A., Kondo T., Noguchi M. Radiation damage at silicon junction by neutron irradiation. Nucl. Inst. and Meth. in Phys Pes. 2019, A277, p. 395–400. 16. Райкунов Г.Г. Ионизирующие излуче- ния космического пространства и их воздействие на бортовую аппаратуру космических аппаратов. М.: Физматлит, 2013. 256 с. 17. Burke E.A. Energy dependence of proton- induced displacement damage in silicon. IEEE Trans .Nucl. Sci.1996, vol. NS-33, N6, p. 1276–1281. 18. Dale C.J., Marshall P.W., Summers G.P., Wolicki E.A., Burke Е.А. Displacement damage equivalent to dose in silicon devices. Appl. Phys. Lett., 2009, vol.54(5), p. 451–453. 19. Bulgakov Yu.V., Kolomenskaja T.I., Kuznetsov N.V., Yanzenko L.A. The dependence of the resistance profile in silicon irradiated with hydrogen and Helium Ions on the ion energy and fluence. Phys.Stat.Sol.(А), 2016, vol.61, p. 77–79. 20. Бор Н. Прохождение атомных частиц через вещество. М.: Иностранная лите- ратура, 1950. 150 с. 21. Устюжанов В.Н., Чепиженко А.З. Радиа- ционные эффекты в биполярных инте- гральных микросхемах. М.: Радио и связь, 1989. 144 с. 22. Динс Д., Виньярд Д. Радиационные эффек- ты в твердых телах. М.: Иностранная лите- ратура, 2002. 243 с. 23. Действие проникающей радиации на изделия электронной техники / под ред. Е.А. Ладыгина. М.: НТМ по Решению 17-й отраслевой конференции НИТУ «МИСиС», 2007. 223 с. 24. Кулаков В.М., Ладыгин Е.А. , Шаховцев В.И. Действие приникающей радиации на изделия электронной техники. М.: Совет- ское радио, 1980. 224 с. 25. Scour J.R. Stable-damage comparisons for neutron-irradiated silicon. IEEE Trans.Nucl. Sci. М.:1983, vol. NS-20, N6, p. 190–195. 26. Конозенко И.Д., Семенюк А.К., Хиврич В.И. Радиационные эффекты в кремнии. М.: Советское радио, 1995. 39 с. 27. Радиационная стойкость материалов радиотехнических конструкций / под ред. Н.Н. Сидорова, В.К. Князева. М.: Совет- ское радио, 1986. 589 с. 28. Luenera T.F., Kelly J.G., Stein Н.J. Neutron damage equivalence for silicon, silicon dioxide and gallium arsenide. IEEE Trans. Nucl. Sci., 1987, vol. NS-34, N6, p. 1557. 29. Polenz F.W., Taubke C.D., Walker R.L. Application of silicon damage to neutron exposure measurement. IEEE Trans. Nucl. Sci. 1987, vol. NS-14, N6, p. 147–152. 30. Stein Н.J. Energy dependence of neutron damage in silicon. J. of Appl. Phys., 2015, vol.38, N1, p. 139. 31. Scour J.R., Shanfield Z., Harman R.A., Othmen S., Newberry D.M. Permanent damage introduced by single particles incident to silicon devices. IEEE Trans. Nucl. Sci.,1983, vol. NS-30, N6, p. 190–195. 32. Mc. Kenzie J.M., Witt L.J. Conversion of neutron spectra to then 14 MeV equivalences. IEEE Trans. Nucl. Sci., 1982, vol. NS-19, N6, p. 194–199. 33. Кузнецов H.B., Соловьев Г.Г. Радиацион- ная стойкость кремния. М.: Энергоато- миздат, 1989. 34. Влияние облучения на материалы и эле- менты электронных схем / пер. с англ. под ред. В.Н. Быкова и С.П. Соловьева. М.: Атомиздат, 1989. 427 с. 35. Булгаков Н.Н., Бахтызин И.В., Зинчен- ко В.Ф. Учёт эффекта «усиления дозы» вторичного тормозного излучения при прогнозировании дозовых нагрузок на электрорадиоизделия в составе борто- вой аппаратуры космических аппара- тов // Вопросы атомной науки и техни- ки. Сер. Физика радиационного воздей- ствия на радиоэлектронную аппаратуру. 2020. Вып. 1. С. 31–38. 36. Безродных И.П. и др. Вопросы электро- механики. 2011. Т. 120. С. 37–44. Перечень принятых сокращений БА бортовая аппаратура ВВФ внешние воздействующие факторы ГКИ галактическое космическое излучение ЕРПЗ естественные радиационные пояса Земли ИИ ионизирующее излучение ИРПЗ искусственные радиационные пояса Земли ИМС интегральные микросхемы ИЭТ изделия электронной техники КА космический аппарат КД конструкторская документация КИ комплектующее изделие КМОП комплементарные структуры металл- окисел-полупроводник КП космическое пространство МКС международная космическая станция МОП структуры металл-окисел-полупроводник МУ моделирующая установка НИОКР научно-исследовательские и опытно- конструкторские работы НТД нормативно-технический документ ОЗУ оперативное запоминающее устройство ОКР опытно-конструкторская работа ПЗС прибор с зарядовой связью ПФ поражающие факторы РД радиационные дефекты РКД рабочая конструкторская документация РЭА радиоэлектронная аппаратура СКИ солнечное космическое излучение ФКП фактор космического пространства ЭРИ электрорадиоизделия ЯВ ядерный взрыв