Современная электроника №3/2022

РЫНОК 16 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 3 2022 производящих ПЭК для нужд китай- ской электронной индустрии. В каче- стве одного из наиболее ярких приме- ров реализации этого проекта можно привести китайскую фирму Yangtze Memory Technologies Company (YMTC), основной задачей которой является серийное производство флэш-памяти собственной разработки [99]. В сентябре 2021 года YMTC объяви- ла о начале серийного производства 128-слойной 3D NAND памяти. Компа- ния Powev Electronic Technology Co., про- изводитель устройств хранения и памя- ти изШэньчжэня, недавно представила свой новейший высококлассный твер- дотельный накопитель «Asgard AN4 1 TByte», основанный на 128-слойной трёхмерной трёхуровневой ячейке (TLC) NANDфлэш-памятиYMTC. Вновом твер- дотельном накопителе используется технология гибридного соединения Xstacking 2.0, которая предназначена для соединения массива TLC NAND и пери- ферийной схемы CMOS [100]. Завод Yangtze Memory – не един- ственный, построенный в КНР за последние годы. Государственные инвестиции в миллиарды долларов позволили создать компании, кото- рые стали магнитом для талантливых инженеров и менеджеров. Менедже- рам верхнего уровня предлагается зарплата до 300 000 долларов в год, что сравнимо с вознаграждением на эквивалентных должностях в Apple, Qualcomm и Intel. На вновь строя- щихся заводах Китая в настоящее вре- мя работают сотрудники, многие из которых пришли из Siemens, Micron, Samsung, Infineon и других известных фирм. Приведённые в этой статье факты позволяют говорить о том, что в ближай- шие несколько лет в различных странах мира можно будет наблюдать появле- ние новых современных предприятий, производящих как ПЭК общего назна- чения, так и узкоспециализированные сложные системы на кристаллах с тех- нологией 10, 7, 5, 3 и 2нм. По всей видимости, безусловное лидерство азиатских производителей, наблюдаемое в настоящее время, будет нарушено за счёт строительства заво- дов по производству полупроводнико- вых электронных компонентов в США и Европе и Китае. Литература 47. URL: https://www.bloomberg.com/news/ features/2018-01-18/intel-has-a-big-prob- lem-it-needs-to-act-like-it. 48. URL : h t t p s : / /www . t e ch s po t . c om/ news/90539-intel-10nm-p roduction-now- surpassing-14nm-7nm-remains.html. 49. URL: https://www.tsmc.com/english/ded- icatedFoundry/technology/logic/l_7nm. 50. URL: https://www.electronicsweekly.com/ blogs/mannerisms/manufacturing-man- nerisms/intel-gears-new-ceo-2021-02/. 51. URL: https://semiwiki.com/forum/index. php?threads/is-intel-10nm-really-denser- than-tsmc-7nm.11400/page-2. 52. URL: https://www.intel.com/content/www/ us/en/newsroom/resources/engineering. html#gs.npgyat. 53. URL: https://www.intel.com/content/www/ us/en/newsroom/resources/press-kit-in- tel-builds-arizona.html#gs.ocsbu7. 54. URL: https://www.intel.com/content/ www/us/en/newsroom/news/intel-breaks- ground-two-new-leading-edge-chip-facto- ries-arizona.html#gs.ocr091. 55. URL: https://www.intel.com/content/www/ us/en/newsroom/news/intel-announces- next-us-site-landmark-investment-ohio. html?wapkw=Ohio#gs.ociuf2. ОФИЦИАЛЬНЫЙ ДИСТРИБЬЮТОР