Современная электроника №2/2022

КОМПЕТЕНТНОЕ МНЕНИЕ 72 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 2 2022 та» без применения криогенной тех- ники и саркофагов к ним. Описана принципиально новая технология туннельно-полевой, безыинжекци- онной лазерной генерации еди- ничных фотонов, которая позволя- ет изменить архитектуру фотонного процессора с созданием единой на- нообъёмной лазерной, цифровой и логической ячейки процессора («три в одном») с интегрированным «свето»-скоростнымфононным ОЗУ. 2) В статье показано наличие уникаль- ных технологий по созданию ново- го поколения фотонных, фононных материалов для терагерцовой и пе- тагерцовой цифровой и аналоговой техники. 3) В статье показаны уникальные A IV B IV / A IV наногетеросистемы для «комнат- ной» сверхпроводимостиимагноники. 4)В статье показана системность под- хода и переход мышления от «циф- ровой трансформации» к реальным прорывным технологическим под- ходам для цифровой экономики, а именно: технология терагерцовых портативных фотонных, фонон- ных, магнонных терагерцовых су- перкомпьютеров с беспроводными системами связи 7G, 8G, 9G – через мини-спутники на LPE GaAs фото- вольтаике. 5)Статья тезисно создаёт основа- ние для разработки отечественной Программы по экстремальной ана- логовой и цифровой электронике, фотонике, фононике и магнонике, опережающей мировой уровень на несколько лет вперёд, с пересмотром текущей Стратегии развития отече- ственной электроники. 6) В статье показан коммерческий по- тенциал мирового рынка в трилли- онах $ на основе предложенных фо- тонных, фононных и магнонных технологий, с возможностью наци- ональной монополии отдельных сег- ментов мирового рынка. 7)Статья, на наш взгляд, отвечает ин- тересам госкорпораций «Росатом», «Роскосмос», «Ростех», «Росавиация», «Концерна ВКО «Алмаз-Антей», Кор- порации «Тактическое ракетное во- оружение» (КТРВ), а также коммер- ческим интересам ряда крупнейших банков РФ (Сбербанк, ВТБ, Газпром- банк, ВЭБ и др.). Литература 1. Гордеев А.И. Проблемы становления рос- сийской цифровой экономики и спосо- бы исключения ошибок при их решении // Современная электроника. 2019. № 2. 2. Гордеев А.И. Как завоевать мировой рынок электроники в посткремниевую эпоху? // Современная электроника. 2021. № 5. 3. Гордеев А.И., Войтович В.Е., Звонарев А.В. Новая физическая твёрдотельная элек- троника на основе терагерцового рас- щепления и деформации запрещённой зоны LPE SiGaAsSi-кристаллов (Ч. 1) // Радиотехника. 2017. № 10. 4. Гордеев А.И. Перспективные терагер- цовые поляризованные информацион- ные системы в двух частях // Современ- ная электроника. 2016. № 6; 2016. № 7. 5. Ахманов С.А., Хохлов Р.В. Об одной воз- можности усиления световых волн // ЖЭТФ. 1962. Т. 43. № 1. С. 351–353. 6. Кукушкин С.А., Осипов А.В. Оптические свойства, зонная структура и проводи- мость межфазной границы раздела гете- роструктуры 3C-SiC(111)/Si(111), выра- щенной методом замещения атомов // Письма в ЖТФ. 2020. Т. 46. Вып. 22. 7. Гроссе П. Свободные электроны в твёр- дых телах. М.: Мир, 1982. Рис. 13. Мультиразрядный компаратор с блоком усиления и фазовыми ЛУ (линиями ускорения) и ЛЗ (линиями задержки) на принципах Поккельса модуляции и (функциональный аналог оптомодулятора Маха-Цендера) 8. Кукушкин С.А., Шарофидинов Ш.Ш. Новый метод получения объёмных кристаллов AlN, GaN и AlGaN с исполь- зованием гибридных подложек SiC/ Si // Физика твёрдого тела. 2019. Т. 61. Вып. 12. 9. Степаненко С.А. Фотонный компьютер: Структура и алгоритмы, оценки параме- тров // Фотоника. 2017. № 7. 10. ЧеркашинН.А., Сахаров А.В., Николаев А.Е. и др. Особенности эпитаксиального роста III-N светодиодных гетерострук- тур на подложках SiC/Si // Письма в ЖТФ. 2021. Т. 47. Вып. 15. 11. Баграев Н.Т., Кукушкин С.А., Осипов А.В. и др. Терагерцовое излучение из нано- структур карбида кремния // Физика и техника полупроводников. 2021. Т. 55. Вып. 11. 12. Баграев Н.Т., Кукушкин С.А., Осипов А.В. и др. Магнитные свойства тонких эпи- таксиальных слоев SiC, выращенных методом самосогласованного замеще- ния атомов на поверхностях монокри- сталлического кремния // Физика и тех- ника полупроводников. 2021. № 55(2). С. 103–111.