Современная электроника №2/2022

КОМПЕТЕНТНОЕ МНЕНИЕ 67 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 2 2022 реходах A IV B IV /A IV и телепортации на s-электронной жидкости [6]; 11) гибридизация и моно-/гетерокри- сталлографическая совместимость 2-фо- тонного квантово-точечного генератора с цифровой и логической квантово-то- чечными ячейками; 12) скин-фазная логика в металлах, стоящих правее атома водорода в ря- ду восстановления; 13) исключение постулата о «потолке» скорости света по Эйнштейну в твёр- дых телах – как ненужной и консерва- тивной догмы, что проявляется при по- ляризации по Клаузиусу – Моссотти [7]; 14) фотонные запрещённые зоны с ми- нимумом энергощели до размеров тол- щины фронта волны (ангстремы); 15) теории Блоха и Брэгговских ре- шёток; 16) эффект Поккельса. Понимание теории и физических законов, изложенных выше в п. 1–16, предоставляет возможность реализо- вать суперкомпьютер в формате план- шета, т.е. квантовый компьютер без применения «саркофагов» и т.п. Фотонные и фононные кристаллы К фотонным и фононным материа- лам относятся: 1) LPE i- Si GaAs Si , т.е. арсенид-галлие- вый изолятор с ρ ≥ 10 9 Ом ⋅ см с «трой- ной» подрешёткой Ga, As и слабоди- сперсной биузловой подрешёткой Si вGaAs; с атомнойполяризацией атома Ga ≈ 146 × 10 –30 м (для сравнения – атом Li в ниобате лития LiNbO 3 имеет прак- тически такойже коэффициент поля- ризации – 151 × 10 –30 м [4]). При этом необходимо учитывать, что при по- ляризации атом Ga может быть «раз- дут» полевой энергией в два раза эф- фективнее, чем, допустим, атомы Rb (по Ридбергу) для квантово-кубитной запутанности– квантовые компьюте- рына ионах. Построение квантового компьютера на ионахGa или кванто- во-ямныхмагнитно-атомныхцентрах лантаноидов вGaAs (спин-комнатная электроника – на свойствах атомно- орбитальной электроники – будет рассмотрена намиподробно в после- дующих публикациях). Кданнымкри- сталлам присматривается «Росатом»; 2) совершенно очевидно, что сюда же подходят и кристаллы AlN (опытное производство в г. С.-Петербурге), а также будущие или настоящие кри- сталлы-диэлектрики Ga 2 O 3 и «чи- стые» сапфиры – Al 2 O 3 ; 3)AlN/GaN – наносэндвичи [8]; 4) легированный фотонный излуча- тель AlN [8]. «Комнатный» сверхпроводник «Комнатный» сверхпроводник на наногетероструктурах Si-3C-SiC, выра- щенных дилатационным (атомное замещение) методом. Сверхпроводя- щая «комнатная» куперовская пара (электронная жидкость) образуется на основе несвязанных p-электронов на границе гетерофаза – твёрдый ваку- ум – физический вакуум. Магнонные, или спин-кристаллы Кристаллы на основе выращен- ных наноструктурных гетеросистем Si-3C-SiC обладают скоростным гисте- резисом . Квантово-точечные домены в SiC обладают великолепным быстродействием (запись/считывание спин-квантовой памяти). Металлофазные логические материалы Для создания ОЗУ и 2-фотонных процессоров, а также регистров будут использоваться такие металлы, как Cu, Au, Ag с соотношением скоростей прохождения скин-электромагнитных волн по функции . Базовые физические принципы построения 2-фотонных процессоров на примере кристаллов LPE i- Si GaAs Si Эффект мультизонной проводимо- сти в LPE i- Si GaAs Si кристаллах (эффект расщепления запрещённой энергети- ческой зоны GaAs), дополняющий зон- ную теорию проводимости от зонной инжекции Шокли до квантовых диод- ных генераторов на гетероструктурах AlGaAs/GaAs Ж.И. Алфёрова, подробно описан в публикации [3]. Смысл состоит в том, что в процессе кристаллизациижидкофазнойэпитаксии (LPE)GaAs вкварцевомреакторе содновре- меннымлегированиематомамикремния (Si) в решётке GaAs образуются амфотер- ные, водородоподобные энергетические центры, симметричные относительно серединызапрещённой зоныE i GaAs. Выяснено, что акцепторного и донор- ного типа E SiGa и E SiAs образуют внутрен- Рис. 1. Зонная диаграмма и квазиуровни Ферми кремниевых квантово-ямных центров Рис. 2. Зонная диаграмма с учётом эффектов полевого туннелирования по Штарку и Францу – Келдышу