Современная электроника №6/2021

КОМПЕТЕНТНОЕ МНЕНИЕ 71 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 6 2021 Можно ли создать такую безопасную систему свероятностьюошибкидо10 –12 %? Конечно, можно. Этообеспечивается тем обстоятельством, чтонапланетенет абсо- лютно одинаковых людей по внешним («оптическим»)признаками, конечно, нет совпадающегоспектраэнергииизлучения в «чёрноволновом» диапазоне [1]. «Чёрноволновое» излучение содержит гамму квантов излучения в диапазоне 5…15 мкм, обеспечивающих информа- циюо поверхности лица, рук, человече- ского тела. Это терагерцовый диапазон, этот набор комбинаций спектра излуче- ния от каждого человека может принять в память только экзафлопсный компью- тер. На фоне такой технологии дей- ствия хакеров становятся невозможны- ми. Кроме того, система распознавания личности исключает действия мошен- ников. В этом и заключается смысл вве- дения абсолютно безопасного «чёрно- волнового» искусственного интеллекта в банковских цифровых сетях. Частотный диапазон «чёрноволново- го» излучения тела человека: ● базовый – 6 × 10 13 …2 × 10 11 Гц; ● совокупный – 6 × 10 13 …3 × 10 11 Гц. Имеющиеся технологии и материа- лы в России: ● LPE i- Si GaAs Si – фотонно-фононный изолятор на эффекте расщепления запрещённой зоны [5]; ● AlN фотонно-фононный приёмник ИК излучения [2]; ● Si-SiC терагерцовый генератор на ча- стоты 3 × 10 13 …3 × 10 11 Гц. Технологии LPE i- Si GaAs Si и AlN тол- стых бездефектных кристаллов, а так- же технология лантаноидных наноге- тероструктур Si-SiC для ТГц-генерации и «чёрноволнового» приёма в необхо- димых для мирового рынка объёмах могут быть развёрнуты в России за один-полтора года. Физическая модель «чёрноволново- го» приёма/излучения, построенная на более ранних работах советских учёных С.А. Ахманова, Р.В. Хохлова [3], показана в работах [4–6]. Она так- же была представлена в докладе А.И. Гордеева на 25-й Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночно- го видения (Москва, 24–26 мая 2018 г.). Цифровые терагерцовые и петагерцовые системы для нового банкинга В РФ имеются условия для рывка по таким технологическим направлени- ям, как: ● кулоновские субтерагерцовые, с пре- дельной частотой коммутации GaAs MOS цифровые СБИС с длиной кана- ла до 100 нм (f T = 600 ГГц) и до 65 нм (f T до 1000 ГГц) 300…500 Гбит/с; ● фотонно-фононно-плазмоидные цифровые системы на частотах прозрачности беспроводных си- стем 5,0…7,5 ТГц (до 2…3 Тбит/с); 25…30 ТГц (до 10…15 Тбит/с) и до 600…800 ТГц (до 300…400 Тбит/с). В первом случае системы могут быть выполнены на сэндвич-подложках диа- метром 150 мм Si-Se-Ge-GaAs (МOCVD) – GaAs (LPE 2 ), во втором случае – на мате- риалах LPE i- Si GaAs Si и на тринитридном AlN на частотах вблизи 600 ТГц. В России всё есть с точки зрения технологии, уникальнейших мате- риалов, но, к сожалению, достаточно и некомпетентности, даже в высших научных кругах. Мы рассчитываем на заинтересованность крупнейших бан- ков в развитии новейших цифровых систем. В области фотонно-фононно-плаз- моидной технологии создания ново- го поколения квантовых/фотонных компьютеров есть не только сторон- ники этого направления, но и явные научные лидеры – в научных центрах Сарова, Ростова-на-Дону, Самары, Санкт-Петербурга. Добавим, что име- ется также проект Федеральной про- граммы по созданию фотонных ком- пьютеров на базе Росатома. 6G, 7G – реальность создания к 2030 году или миф? Перспективы создания 5G в Рос- сии весьма туманны. На частотах 6 ГГц они никому не нужны. Часто- ты 27…29 ГГц с полосой производи- тельности до 10…15 Гбит/с, которые по меркам Запада являются «сред- ними по возможностям», России с её собственной элементной базой при существующем положении дел не по зубам, хотя, в принципе, технологи- чески – всё есть. В том числе имеет- ся возможность реализации синтеза- торов частот, объёмно-акустических фильтров, p- и n-канальных LPE GaAs MOSFET с комбинированным каналом на граничные частоты до 500 ГГц с мощ- ностью как минимум 1,0 Вт/300 ГГц, а также на основе зонно-релятивист- ских LPE GaAs MOSFET (p- и n-канал) – до 3,0 Вт / 300 ГГц. Таким образом, для создания 6G име- ется всё необходимое, нужно только, чтобы не было противодействия со стороны определённых научных кру- гов и чтобы были приняты соответ- ствующие решения на государствен- ном уровне. Что касается 7G, то здесь практиче- ски нет особых проблем выполнить твердотельные терагерцовые прибо- ры (усилители, генераторы, фазовра- щатели, синтезаторы, смесители, умно- жители, УПЧ, оптические модуляторы, WGM (Whispering Gallery Mode) на модах Блоха, гетероантенны на основе структуры металл-диэлектрик и мно- гое другое). Следовательно, преодолев консер- ватизм и повысив уровень компетен- ции высших академических кругов в физике твёрдого тела, Россия может в кратчайшее время приступить к реа- лизации этой стратегической задачи (ёмкость рынка 7G – до 1,2 триллио- на долларов). Заключение В статье показано, как построить новейшую гиперскоростную ультра- современную технологию безлюдно- го банкинга с элементами искусствен- ного интеллекта. Статья рассчитана на заинтересованность со стороны Сбер- банка, ВТБ, ВЭБ, Газпромбанка. В публи- кации показаны будущие технологии для терагерцовой цифровой экономи- ки в России в целом. Литература 1. Гордеев А.И. Как завоевать мировой рынок электроники в посткремние- вую эпоху? // Современная электрони- ка. 2021. №3. 2. Кукушкин С.А., Шарофидинов Ш.Ш. Новый метод получения объёмных кри- сталлов AlN, GaN и AlGaN с использовани- ем гибридных подложек SiC/Si // Физика твёрдого тела. 2019, т. 61. Вып. 12. 3. Ахманов С.А. , Хохлов Р.В. Об одной воз- можности усиления световых волн // ЖЭТФ. 1962. Т. 43. № 1. С. 351–353. 4. Гордеев А.И., Войтович В.Е., Звонарев А.В.. Новая физическая твёрдотельная элек- троника на основе терагерцового рас- щепления и деформации запрещённой зоны LPE Si GaAs Si -кристаллов. Ч. 1 // Ради- отехника. 2017. № 10. 5. Гордеев А.И. Перспективные терагерцо- вые поляризованные информационные системы в 2 ч. // Современная электро- ника. 2016. № 6, 7. 6. Войтович В.Е. , Гордеев А.И., Звонарев А.В. Терагерцовая тепловольтаика на основе монокристаллов LPE i-GaAs (SiO), в 2 ч. // Современная электроника. 2017.№3, 4.