Современная электроника №1/2021

СТРАНИЦЫ ИСТОРИИ 70 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 1 2021 кратные заграничные командировки в советское время (в США – три раза, в Европу – пять раз) могли вызвать вопросы у бдительных органов НКВД. Но самое главное, что поражает в творче- ском пути Александра Фёдоровича, это широкий круг решённых им проблем. Буквопечатающие радиотелеграфные аппараты, первые громкоговорящие радиоустановки, звуковая кинематогра- фия, аппаратыоптической имеханиче- ской звукозаписи, телевизионные кино- проекторыи, наконец, главное дело всей его жизни – радиоуправляемая телеме- ханическая военная техника. Александр Фёдорович Шорин умер 21 октября 1941 года, находясь в эва- куации в Ульяновске. Похоронен на Воскресенском кладбище Ульяновска. Эту статью автор начал с упомина- ния о 50-летнем юбилее посадки на Луну первого в мире управляемого (по радио) советского лунохода [8]. Мож- но рассматривать этот луноход, остав- шийся на Луне после выполнения своей миссии, как своего рода вечный памят- ник всем тем большим коллективам учёных, инженеров и рабочих, совер- шивших научный подвиг. И, конечно же, как дань уважения первопроходцу телемеханики Александру Фёдорови- чу Шорину. Литература 1. Попов А. С. Прибор для обнаружения и регистрации электрических колебаний. Журнал Русского физико-химического общества. Т. 27. 1895. 2. Бартенев В. Г. Об истории отечествен- ной телемеханики. Современная элек- троника. 2017. № 5. 3. Бартенев В. Г. 90 лет Остехбюро. Совре- менная электроника. 2011. № 4. 4. Урвалов В. А., Шошков Е. Н. Александр Фёдорович Шорин. М. Наука. 2008. 5. Пат. 12301. Шорин А. Ф. Устройство для записи звуков на кинематографи- ческой ленте. Заявл. 19.01.28. Выдан 31.12.29. 6. Пат. 11631. Тагер П. Г. Устройство для воспроизведения звуков, записанных на кинематографической ленте. Заявл. 28.06.28. Выдан 30.08.29. 7. Шорин А. Ф. Проблемы звукозаписи. Жур- нал «Радиофронт». 1937. № 5. 8. Энциклопедия «Космонавтика». Совет- ская энциклопедия. М. 1985. НОВОСТИ МИРА В ЫПУЩЕНЫ ПЕРВЫЕ КВАНТОВЫЕ ТУННЕЛЬНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ B IZEN Британский стартап отгрузит первые приборы на 1200 В с использованием но- вой кремниевой архитектуры под названи- ем Bizen, которая подходит для корпусов TO247 или TO263. Первые устройства на Bizen включают три компонента (на 1200 В / 75 А, 900 В / 75 А и 650 В / 32 А) и доступны в стандартных кор- пусах силовых полевых МОП-транзисторов TO247 и TO263. Транзисторы Bizen изготав- ливаются с использованием стандартных кремниевых подложек на линиях обработки кремния большей геометрии. Первоначаль- ная пилотная линия для тестирования техно- логии Bizen была создана на производствен- ной базе шотландской компании Semefab. – Чтобы получить такой уровень произ- водительности от традиционных полевых МОП-транзисторов на основе кремния, раз- мер устройства должен быть намного боль- ше. Эффективности 1200 В / 75 А в корпусе TO247 можно достичь, используя матери- алы с широкой запрещённой зоной, такие как карбид кремния. Однако этот подход имеет другие проблемы, – говорит Дэвид Саммерленд, генеральный директор и ос- нователь Search For The Next (Ноттингем), компании-разработчика технологии Bizen. Карбид кремния (SiC) требует гораздо боль- ше времени для обработки и грязен с точки зрения углеродных выбросов, – добавляет Саммерленд. – Кроме того SiC не масшта- бируется, как кремний. Данные, которые мы получили в результате физических испыта- ний пластин, доказывают, что при использо- вании Bizen на кремниевых подложках наши транзисторы обеспечивают те же характери- стики, что и карбид кремния или нитрид гал- лия. Однако производственное оборудование, необходимое для изготовления QJT (Quantum Junction Transistor, квантового процессора с транзистором с p-n-переходами), точно такое же, как для стандартного кремниевого полево- го МОП-транзистора, при этом процесс Bizen не усложняет производство. Bizen применяет квантовое туннелирова- ние в процессе изготовления биполярных пластин. В результате получается очень прочное и надёжное устройство, в основе которого лежит традиционная технология биполярного кремния. Bizen также сокраща- ет время изготовления КМОП-транзисторов (но не МОП-транзистора на основе карби- да кремния) с пятнадцати до двух недель и вдвое уменьшает количество технологиче- ских слоёв. QJT тоже используют восьмис- лойный биполярный процесс. По словам Саммерленда, тесты пластин также показывают, что техпроцесс Bizen обе- спечивает усиление по току более 1 млн. Это открывает возможность прямого соединения силового транзистора QJT на 1200 В / 75 А с низковольтным слаботочным выходным пор- том ЦП, например ШИМ (широтно-импульс- ной модуляции) в монолитной конструкции. – QJT – первое силовое устройство в дорож- ной карте семейства Bizen. Вскоре будет соз- дан PJT (Processor Junction Transistor), интегри- рованное устройство Bizen со своим собствен- ным процессором, которое также может быть произведено за восемь дней производственно- го цикла, что знаменует новую эру интеллек- туальных устройств питания , – добавил Сам- мерленд. Были опубликованы сравнительные пока- затели производительности для компонента 1200 В / 100 А (в корпусе TO247), который также находится в краткосрочной дорожной карте. Потери при номинальном токе состав- ляют четверть (<300 мВ) тех, которые демон- стрирует SiC-устройство, входная ёмкость бу- дет в четыре-пять раз меньше (<1 пФ). В июле Semefab начала производить диоды Шоттки на 1200 В на основе SiC, вскоре планируется серийное производство устройств на 1700 В. www.wafertrain.com