Современная электроника №7/2020

ПРОЕКТИРОВАНИЕ И МОДЕЛИРОВАНИЕ 56 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 7 2020 этом позволяют проводить расчёты с высокой точностью. Такой подход при разработке серийных устройств являет- ся более предпочтительным, чем анали- тические методы, т.к. последние имеют весьма ограниченное применение, тре- бует использования сложного математи- ческого аппарата и могут вносить зна- чительные погрешности в вычисления. Применение компьютерного моде- лирования позволяет оценить возмож- ные критические ситуациии установить Рис. 13. Области смещения, вызванного тепловым расширением (а) и деформацией транзистора (б) а б предельные режимыэксплуатациинепо- средственно в среде разработки. Полу- ченные результаты могут использо- ваться в качестве граничных условий для моделирования на последующих этапах проектирования электронного устройства. Такимобразом, мультифизи- ческое моделирование способно умень- шить количество брака, материальные издержки, увеличить срок службыизде- лия, провести предпроизводственную оценку выполненных исследований. Литература 1. Красников Г. Е. , Нагорнов О. В. , Старо- стин Н. В. Моделирование физических процессов с использованием пакета Comsol Multiphysics. Национальный исследовательский ядерный универси- тет «МИФИ». Москва. 2012. 2. Кучерявая И. Н. Применение мульти- физического моделирования в реше- нии задач электротехники. Журнал «Работы ИЭД НАН Украины». 2015. Выпуск 42. НОВОСТИ МИРА «К РОКУС Н АНОЭЛЕКТРОНИКА » ВЫПУСТИЛА ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМУЮ ПАМЯТЬ НОВОГО ПОКОЛЕНИЯ «Крокус Наноэлектроника» (КНЭ), порт- фельная компания РОСНАНО, объявила о выпуске чипов энергонезависимой рези- стивной памяти, созданных на базе тех- нологического процесса 55 нм ULP (Ultra Low Power). Результаты тестирования подтверди- ли заявленные характеристики. Даль- нейшие работы будут проводиться в сотрудничестве с российскими и зару- бежными партнёрами. Основная цель – интеграция российских чипов памяти в инновационные продукты наиболее пер- спективных областей микроэлектроники: Интернет вещей, системы искусственно- го интеллекта, промышленную автома- тизацию, портативную и медицинскую аппаратуру. Резистивная память (ReRAM) – одна из разновидностей энергонезависимой памя- ти (позволяет сохранять данные при от- сутствии питания). «Крокус Наноэлектро- ника» является единственным в России предприятием, способным серийно выпу- скать энергонезависимую память нового поколения. Первые образцы имеют объём памяти 1 Мбит и в краткосрочной перспективе могут быть масштабированы вплоть до 128 Мбит. Выпущенные чипы демонстри- руют энергопотребление при операциях чтения и записи на уровне передовых ми- ровых технологий энергонезависимой па- мяти. Первым продуктом с новой микросхемой памяти, который планируется к выпуску, яв- ляется чип радиочастотной идентификации (технология UHF RFID), использующийся, в частности, для маркировки товаров при складском учёте. Высокая энергоэффективность памя- ти, производимой на заводе КНЭ, явля- ется ключевым фактором для таких при- ложений, как Интернет вещей и системы искусственного интеллекта. Это сделает реальным выпуск автономных приложе- ний искусственного интеллекта, работаю- щих от батарейки. Одним из преимуществ технологии ReRAM является устойчивость чипов к воз- действию неблагоприятных условий, в том числе высоких температур. Это создаёт дополнительные перспективы её примене- ния в высоконадёжной электронике, вклю- чая медицинскую технику. Разработка и выпуск чипов памяти КНЭ были произведены на КМОП от Shanghai Huali Microelectronics Corporation (HLMC). ООО «Крокус Наноэлектроника»