Современная электроника №5/2020

ЭЛЕМЕНТЫ И КОМПОНЕНТЫ 41 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 5 2020 Таблица 3. Раскадровка децимального номера GS8662D38CGD-633IT GS 8 66 2 D 38 C GD - 633 I T 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12/13 14 Таблица 4. Расшифровка децимального номера GS8662D38CGD-633IT № ячейки Параметр Вариации параметра Расшифровка конкретного примера 1 Принадлежность к компании GS GSI 2 Тип памяти 4: LLDRAM-II 7: асинхронный тип 8: синхронный тип Синхронный тип 3 Объём памяти См. таблицу 5 «Объём памяти ИС GSI» 72 Мбит 4 Семейство SRAM 2: SigmaQuad-II/II+ или SigmaDDR-II/II+ 3: SigmaQuad-III или SigmaDDR-III 4: SigmaQuad-IV или SigmaDDR-IV SigmaQuad-II/II+ 5 Функции См. таблицу 6 «Функции ИС GSI» SigmaQuad B4 6 Шина данных 6, 7, 8: x8 9: x8 (только для LLDRAM-II) 9, 10, 11: x9 (только для SigmaQuad/DDR) 16, 17: x16 (только для асинхронной SRAM) 18, 19, 20, 21: x18 24: x24 (только для асинхронной SRAM) 32: x32 (только для асинхронной SRAM) 36, 37, 38, 39: x36 72, 73: x72 (только для NBT и SyncBurst) х36 7 Релиз микросхемы Пусто: 1-ый релиз A: 2-ой релиз B: 3-ий релиз C: 4-ый релиз 4-й релиз 8 Корпус См. таблицу 7 «Корпуса ИС GSI» Green 13 × 15 мм, 165-FPBGA 9 – 10 Максимальная частота тактирования XX: МГц или нс 633 МГц 11 Диапазон рабочих температур Пусто: коммерческий 0…+70°С, I: индустриальный –40…+85°С, E: расширенный –40…+125°С, M: военный –55…+125°С Индустриальный –40…+85°С 12 При изготовлении по индивидуальным требованиям Пусто: без индивидуальных требований, V: напряжение питания и тактирования 1,8 В, X: специальное обозначение не из каталога Без индивидуальных требований 13 Квалификационный статус Пусто: квалифицированный, ES: инженерные образцы Испытания пройдены 14 Упаковка Пусто: в пакетике, T: на паллете или в катушке На паллете или в катушке Таблица 5. Объём памяти ИС GSI (приложение к таблице 4) Тип памяти Значение ячейки 3 таблицы 4 Описание Для асинхронной SRAM 0 256 Кбит 1 1 Мбит 2 2 Мбит 3 3 Мбит 4 4 или 4,5 Мбит 6 6 Мбит 8 8 или 9 Мбит Для SigmaQuad/DDR 18 16 или 18 Мбит 34 32 или 36 Мбит 66 64 или 72 Мбит 67 64 или 72 Мбит 130 128 или 144 Мбит 131 128 или 144 Мбит 258 256 или 288 Мбит Для NBT и SyncBurst 4 4 или 4,5 Мбит 8 8 или 9 Мбит 16 16 или 18 Мбит 32 32 или 36 Мбит 36 32 или 36 Мбит 64 64 или 72 Мбит 68 64 или 72 Мбит 128 128 или 144 Мбит 130 128 или 144 Мбит 256 288 Мбит Для LLDRAM-II 288 288 Мбит 576 576 Мбит Таблица 6. Функции ИС GSI (приложение к таблице 4) Тип памяти Значение ячейки 5 таблицы 4 Описание Для SigmaQuad/ DDR D SigmaQuad B4 DT SigmaQuad B4 (Weak/Strong ODT) DV 2.5 V SigmaQuad B4 E LV and HV HSTL H HV (1.5 V) HSTL L LV (1.2 V) HSTL P POD Q SigmaQuad B2 QT SigmaQuad B2 (Weak/Strong ODT) QV 2.5 V SigmaQuad B2 R SigmaDDR B4 S SigmaSIO DDR T SigmaDDR B2 TT SigmaDDR B2 (Weak/Strong ODT) Для NBT и SyncBurst DW Double Late Write E Dual Cycle Deselect (DCD) F Flow Through Only H High Drive Output L Low Drive Output LW Late Write Z No Bus Turnaround Для LLDRAM-II C Общая шина данных S Отдельные шины данных для чтения и записи ментацию можно загрузить с сайта про- изводителя. Выход на рынок радиационно стой- ких микросхем памяти GSI несомнен- но стал значимым событием в отрасли, поскольку объём и производительность новых микросхем многократно пре- восходят имеющиеся предложения от других производителей. Основными применениями для своих микросхем компания видит датчики звёздного неба, приёмо-передающие устройства телеметрии, вычислители для дистан- ционного зондирования Земли, а так- же датчико-преобразующую аппарату- ру для ракетно-космической техники. IP-контроллер для ПЛИС Асинхронная память не требует раз- работки IP-контроллера, как правило, он уже аппаратно реализован в процес- соре. Однако совсемпо-другому обстоят дела с синхроннойпамятью. Практиче- ски в каждомизделии SRAMприменяется в качестве внешней памяти для ПЛИС и управляется с помощью IP-контроллера. Для среднепроизводительной памя- ти NBT и SyncBurst контроллер явля- ется относительно простым в адапта- ции, его можно скачать с веб-страницы каждой микросхемы и адаптировать под свою систему. IP-контроллеры для SigmaQuad и SigmaDDR требуют более тонкойнастройки. ПосколькуGSI произ- водитмикросхемыснаивысшимитехни- ческимипоказателями, компания хочет быть уверенной, что её клиентыполуча- ютмаксимумвозможностейотприменя- емых микросхем. По этой причине GSI предоставляет уже адаптированныйкон- троллерподконкретнуюзадачу клиента. Средний срок подготовки контроллера составляет около 2 недель. Контроллер поставляется в виде исходного кода на Таблица 7. Корпуса ИС GSI (приложение к таблице 4) Значение ячейки 8 таблицы 4 Описание B 14 × 22 мм, 119-BGA C 14 × 22 мм, 209-FPBGA D 13 × 15 мм, 165-FPBGA E 15 × 17 мм, 165-FPBGA K 14 × 22 мм, 260-BGA U 6 × 8 мм, 48-FPBGA X 6 × 10 мм, 48-FPBGA CE 21 × 25 мм, 165-CCGA (Rad-Hard) CQ Ceramic QFP (Rad-Hard) GB Green 14 × 22 мм, 119-BGA GD Green 13 × 15 мм, 165-FPBGA GE Green 15 × 17 мм, 165-FPBGA GK Green 14 × 22 мм, 260-BGA GL RoHS-compliant (6/6) 144- μ BGA GM RoHS-compliant (6/6) 144-FBGA GT Green TQFP LE 21 × 25 мм, 165-CLGA (Rad-Hard) RE 165-LBGA (Rad-Tolerant)