Современная электроника №4/2020

СТРАНИЦЫ ИСТОРИИ 72 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 4 2020 Герой нашего времени: к 90-летию Нобелевского лауреата и академика Ж.И. Алфёрова Жорес Иванович Алфёров (1930–2019) В этом году исполняется 90 лет со дня рождения нашего соотечественника, выдающегося учёного – Жореса Ивановича Алфёрова. Его исследования в области гетеропереходов внесли огромный вклад в современную физику полупроводников. Активная общественно-политическая деятельность Жореса Ивановича говорит о нём как о настоящем гражданине и патриоте страны. Владимир Бартенев (bartvg@rambler.ru) Трудно писать о Жоресе Ивановиче Алфёрове, известном советском и рос- сийском учёном, получившем миро- вое признание, который только год назад активно участвовал в научной и общественной жизни. Теперь его нет с нами. Однако мы не должны думать, что открытия Алфёрова – дело прошло- го. Мы должны смотреть в будущее и делать всё для того, чтобы Россия заня- ла достойное место среди мировых лидеров в производстве микроэлек- троники. Вспоминаются слова Жоре- са Ивановича: «Я отношусь к оптими- стам, потому что считаю, что у России будущее, безусловно, есть. И нужно за это будущее бороться…» [1]. Жорес Алфёров родился в Витебске 15 марта 1930 года. После окончания школы в Минске с золотой медалью поступил в Белорусский политехни- ческий институт. Проучившись там несколько семестров, перевёлся в Ленинградский электротехнический институт им. В. И. Ульянова (Ленина) – ЛЭТИ (ныне Санкт-Петербургский государственный электротехниче- ский университет). В 1952 году Алфё- ров с отличием окончил институт по специальности «Электровакуумная тех- ника». Полученная Жоресом Иванови- чем специальность далека от физики полупроводников, тем не менее инте- рес к полупроводниковой электрони- ке у Алфёрова проявился ещё во время учёбы в институте. Что этому способ- ствовало? В 1948 году американские физики Джон Бардин, Уолтер Брат- тейн и Уильям Брэдфорд Шокли соз- дали полупроводниковый транзистор [2]. Это важное научное открытие озна- меновало начало новой эпохи. В томже 1948 году не прошла мимо Алфёрова и первая публикация в СССР об усили- телях на полупроводниках профессо- ра Красилова «Кристаллический три- од» [3]. Алфёров начал интересоваться полупроводниковой темой на кафе- дре основ электровакуумной техники под руководством Наталии Николаев- ны Созиной. После окончания ЛЭТИ Ж.И. Алфёрова направили на рабо- ту в Ленинградский физико-техниче- ский институт им. Иоффе, где Жорес Иванович начал работать младшим научным сотрудником в лаборатории академика Владимира Максимовича Тучкевича. При участии Алфёрова в Ленинградском Физтехе были разра- ботаны первые советские транзисторы и диоды. Кандидатскую диссертацию, посвящённуюисследованию германи- евых и кремниевых силовых выпрями- телей, Алфёров защитил в 1961 году. С 1965 года Жорес Иванович – стар- ший научный сотрудник. Доктор- скую диссертацию на тему «Гете- ропереходы в полупроводниках» Алфёров защитил в 1970 году, став док- тором физико-математических наук. С 1972 года он стал профессо- ром ЛЭТИ. В 1973–2003 годах рабо- тал заведующим базовой кафедрой оптоэлектроники ЛЭТИ при ЛФТИ. В 1987–2003 годах – директор, а в 2003–2006 годах – научный руково- дитель ЛФТИ. В 1972 году Алфёров избран членом-корреспондентом Ака- демии наук СССР, в 1979 году – акаде- миком. Всего за свою жизнь великий учёный написал более 500 научных работ, три монографии и стал авто- ром 50 изобретений. В 1988–2004 го- дах Алфёров – декан физико-техниче- ского факультета Ленинградского, а затем – Санкт-Петербургского государ- ственного политехнического универси- тета (СПбГПУ). В 2004 году он основал и возглавил кафедру физики и техноло- гий наноструктур в Институте физики, нанотехнологий и телекоммуникаций (ИФНиТ). Был научным руководителем ИФНиТ СПбГПУ. Вот так, если кратко, складывалась научная и педагогиче- ская карьераЖореса Ивановича Алфё- рова. Возникает закономерный вопрос: в чём секрет феноменального успеха и награждения Алфёрова Нобелевской премией по физике в 2000 году?