Современная электроника №3/2020

СОВРЕМЕННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ 17 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 3 2020 Из-за откровенного недопонимания сутипредложенногооппонентамииогра- ничения доступа к бюджетному финан- сированию, к сожалению, кроме экспе- риментальных работ в ряде фирм ОПК РФ, не удаётся продвинуть проект далее. Необходимо отметить и важнейшую технологическую проблему, без реше- ния которой невозможен серийный выпуск GaAs высоковольтных прибо- ров, а также СВЧ и ТГц-приборов. Это – ALD-технология (Atomic Layer Depo- sition – «атомно-слоевое осаждение»). К данному заключению авторы статьи пришли несколько раньше, чем вышла публикация Криса Ходсона, ведущего специалиста по атомно-слоевому осаж- дению на A III B V британской компании Oxford Instruments Plasma Technology (Low damage plasma processes for compound semiconductor applications – «Плазменные процессы с низким повреждением для сложных полупро- водниковых применений» – прим. ред.). Наэтовсё требуютсясредства, инемалые. ТемнеменеепервыеALD-опробованияна p-i-n-GaAs-структурахвСаранскеиСтавро- поле (наблаготворительныхначалах) дали просто необычайно перспективный тех- нологическийрезультат. В таблице 7 приведены результаты измерений p-i-n-GaAs-структур после Al 2 O 3 ALD-нанопассивации на установ- ке Picosun (Финляндия). Комментиро- вать – нет смысла. «А что за рубежом? – неизбежно заме- тят представители научных кругов и, в частности, специалисты в обла- сти силовой ЭКБ. – Мы же не можем “генетически” жить без “клонирова- ния”!» Наш ответ прост: «клонировани- ем» наших результатов занимаются в Китае, Украине, а также в Германии, где выделено на эти цели примерно €5,3 млн (или $6,10 млн) [13]. В этих стра- нах, в сущности, проводится работа по воспроизведению технологии нашего проекта. Заключение Активная разработка нового полу- проводникового LPE GaAs-материала должна стать платформой для абсо- лютно новой стратегии развития оте- чественной электроники, опережаю- щей мировой уровень, в том числе и в областях СВЧ-приборостроения, фото- ники, фононики и магнетоники. Коммерциализация нового направ- ления в гиперскоростной силовой электронике затронет многие направ- ления: электроэнергетику, транспорт, СВЧ-технику, цифровуюэкономику и др. Статья нацелена на привлечение отечественных инвесторов в проект в области электроники, фотоники, фоно- ники, магнетоники. Литература 1. Samsung создала прототип 3-нм полу- проводников GAAFET. Медиапоток. 2020: https://potokmedia.ru/russia_ world/138633/?utm_source=yxnews&utm_ m e d i u m = d e s k t o p & u t m _ referrer=https%3A%2F%2Fyandex.ru%2Fnews. 2. TSMCпланирует начать выпуск 3-нмполу- проводников в 2022 году. Overclockers.ua. 2019: https://www.overclockers.ua/news/ hardware/2019-12-07/125816/. 3. Гордеев А. И. Проблемы становления рос- сийской цифровой экономики и спосо- бы исключения ошибок при их решении. Современная электроника. 2019. №2. 4. Приватизация убила российскую микроэлектронную промышленность, бюрократия её добивает – Юрий Бори- сов. Bryansk.news. 2019: http://bryansk. news/2019/12/25/microelectronic/. 5. Борисов раскритиковал бюрократию в ВЭБ, Минфине и Минэкономики. Ком- мерсант. 2019: https://www.kommersant . ru/doc/4188501. 6. Алфёров Ж. И., Андреев В. М., Король- ков В. И., Портной Е. Л., Третьяков Д. Н. Гетеропереходы Al x Ga 1-x As-GaAs. Физика электронно-дырочных переходов и полу- проводниковых приборов.1969. 7. Войтович В. Е., Гордеев А. И., Дума- невич А. Н. Чем заменить SiC-диодыШот- тки? Силовая электроника. 2009. № 5. 8. Войтович В. Е., Гордеев А. И., Дума- невич А. Н. GaAs-диоды для PFC, SMPS, UPS, IPM, Solar invertors и замены син- хронных выпрямителей. Силовая элек- троника. 2012. № 6. 9. Гордеев А. И., Войтович В. Е., Звона- рёв А. В. Новая физическая твердотельная электроника на основе терагерцового расщепления и деформации запрещён- ной зоны LPE Si GaAs Si -кристаллов (ч. 1). Радиотехника. 2017. № 10. 10. Voitovich V. E., Gordeev A. I.,Saytiev A. B., Sysoev I. А. Extreme environment wideband, high-efficiency photovoltaics based on new physical principles and hyperfast LPE GaAs power electronics.Seminar on Electron Devices Design and Production (SED). 2019. 11. IBM представила «процессор будуще- го» с 7-нанометровыми транзисторами. Вести.ru. 2015: https://www.vesti.ru/doc. html?id=2639598. 12. Voitovich V. E., Gordeev A. I., Proko- penko N. N., Bugakova A. V. Prospects for Development of Fast Recovery Power GaAs SBD on the basis of LPE-Technology. International Seminar on Electron Devices Design and Production (SED). 2019. 13. 3-5 Power Electronics Secures New Financing. Globenewswire. 2018: https:// www . g l o b e n e w s w i r e . c om / n e w s - release/2018/11/13/1650816/0/en/3-5-Power- Electronics-Secures-New-Financing.html. 14. www.infineon.com . 15. www.cree.com . 16. www.vishay.com.