Современная электроника №1/2020

СОВРЕМЕННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ 34 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 1 2020 Конструкция гибридной интеграль- ной схемы из осаждённого на поверх- ностях керамики из нитрида алюминия слоя вертикально ориентированных углеродных нанотрубок, пропитан- ных кремнием и с нанесёнными на эти поверхности слоями металлов, пред- ставлена на рисунке 1. Конструкция гибридной инте- гральной схемы состоит из отшли- фованной пластины из керамики на основе нитрида алюминия (а), на которую нанесён слой прекурсо- ра (б) со сформировавшимися ката- лическими центрами, из которых выращен массив УНТ (в) (см. рис. 1). После обработки алюмонитридной пластины с нанесённым массивом УНТ лазерным излучением (г) по специаль- ной программе с целью получения про- бельных мест топологического рисун- ка схемы, часть массива УНТ (д) удале- на за счёт сгорания на воздухе УНТ при воздействии на них луча лазера. В про- цессе пропитки расплавленным крем- нием внутренние полости оставшихся УНТ и участки с удалёнными из масси- ва УНТ (пробельные места) заполняют- ся кремнием (е). После пропитки рас- плавленным кремнием на участки с не удалёнными УНТ из массива для полу- чения топологического рисунка схемы нанесён слой металлизации (ж). После травления слоя металлизации и получе- ния топологического рисунка, на участ- ки алюмонитридной пластины с УНТ, пропитанными кремнием и с нанесён- ным слоем металлизации, установлены кристаллы мощных транзисторов (з). Затем методом ультразвуковой сварки контактные площадки кристаллов мощ- ных транзисторов соединялись алюми- ниевой проволокой с тонкоплёночны- ми пассивными элементами гибридной интегральной схемы (и). Рис. 1. Конструкция и последовательность операций изготовления гибридной интегральной схемы из осаждённого на поверхностях керамики из нитрида алюминия слоя вертикально ориентированных углеродных нанотрубок, пропитанных кремнием и с нанесёнными на эти поверхности слоями металлов