Современная электроника №9/2019

СТРАНИЦЫ ИСТОРИИ 75 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 9 2019 Космический аппарат имел следующие системы: радиотехническую, телеметри- ческую, фототелеметрическуюдля ори- ентации относительно Солнца и Луны, энергетическую (с солнечными бата- реями), систему терморегулирования и комплекс научной аппаратуры, включая фотолабораторию. Полученные снимки обратной стороныЛуны, переданные на Землюс помощьюфототелевизионной системы, обеспечили Советскому Сою- зу приоритет в наименовании объектов на поверхности Луны. На карте появи- лись кратеры Циолковский, Джордано Бруно, Менделеев, Склодовская-Кюри и другие, а также лунные Море Мечты и Море Москвы. В очередной раз были продемонстрированыпервенство СССР в космических исследованиях и надёж- ность применённой радиоэлектронной аппаратуры. П ЕРВЫЕ СОВЕТСКИЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ 12 сентября 1958 года Джек Сен-Клер Килби продемонстрировал первую рабочую интегральную схему в фир- ме Texas Instruments (США). Впервые электронные компоненты были инте- грированы на одной подложке. Это устройство представляло собой гене- ратор на крошечной пластине герма- ния размером 11,1 × 1,6 мм. Интеграль- ная микросхема была представлена на выставке института радиоинженеров в марте 1960 года. За изобретение инте- гральной схемы Д.С. Килби был награж- дён Нобелевской премией по физике в 2000 году и Национальной медалью в области науки в 1970 году, а в 1982 году он был включён в число почётных изо- бретателей Национального зала сла- вы США. В СССР первая интегральная микросхема была создана в начале 1960 года в НИИ-35 (НИИ «Пульсар»). Об этом рассказывается в статье одно- го из первых советских специалистов в области микроэлектроники, разработ- чика и создателя первой серии отече- ственных интегральных схем, началь- ника отдела НИИ-35 Б.В. Малина [4]. Однако имеет смысл вспомнить о другом предприятии, созданном в Лат- вийской ССР в 1959 году. В 1962 году в Ленинграде руководство НПО «Лени- нец» обратилось с просьбой к руко- водству Рижского завода полупрово- дниковых приборов (РЗПП) создать интегральную микросхему для ЭВМ. Это обращение было неслучайным. На Рижском заводе уже имелись серьёзные достижения в полупроводниковом про- изводстве, в частности в точной фото- литографии, которая является важней- шим элементом изготовления полупро- водниковых изделий. Директор РЗПП дал такое поручение молодому инже- неру Юрию Валентиновичу Осоки- ну. Перед рижанами стояла принци- пиально новая задача: реализовать на одном кристалле два транзистора и два резистора, исключив их паразит- ное взаимное влияние. В СССР никто ничего подобного не делал, а о рабо- тах Д.С. Килби никакой информации в РЗПП тогда не было. Но специалисты РЗПП успешно преодолели все труд- ности, причём совершенно не так, как это сделали американцы. И уже осенью 1962 года были получены первые опыт- ные образцы германиевой твёрдой, как тогда называли, схемы 2НЕ-ИЛИ, полу- чившей заводское обозначение Р12–2. Она содержала два германиевых p-n-p- транзистора с общей нагрузкой в виде распределённого германиевого рези- стора р-типа. А к концу года завод выпу- стил первые 5 тыс. микросхем. То есть начало серийного произ- водства интегральных микросхем у нас и у американцев разделял неболь- шой срок. Таким образом, начав разра- ботку ИС позже Д.С. Килби и не зная о его разработках, о чем свидетельству- ет абсолютная непохожесть реализо- ванных решений, Ю.В. Осокин быстро его догнал. МикросхемыЮ.В. Осокина тут же нашли практическое примене- ние, «Ленинец» сделал на них первый в мире авиационный бортовой компью- тер «Гном». Они применялись также в квазиэлектронных АТС и другой граж- данской аппаратуре. Выпускались они до распада СССР. Это подтверждается датой изготовления этих микросхем из Риги, которые имеются в моей коллек- ции (см. рис. 3). Все эти инициативы на местах тре- бовали кардинальных решений в Госу- дарственном комитете по радиоэлек- тронике (ГКРЭ). Пора было предпри- нимать решительные действия для выделения из ГКРЭ и сосредоточения в самостоятельном ведомстве направ- ления работ по созданиюновых, и осо- бенно интегральных, электронных ком- плектующих. В начале 1961 года реше- ние по разделению ГКРЭ было принято окончательно, и председателем ново- го Государственного комитета Совета Министров СССР по электронной тех- нике был назначен А.И. Шокин. Пер- вым и главным его достижением стало в 1962 году подписание постановления ЦК КПСС и СМСССР о создании в Зеле- нограде Центра микроэлектроники. В соответствии с этим постановлением в составе Центра должно было быть соз- дано пять новых НИИ с тремя опытны- ми заводами: НИИ теоретических основ микроэлектроники, НИИмикросхемо- техники, НИИ технологии микроэлек- троники, НИИ машиностроения, НИИ специальных материалов. В 1965 году на предприятияхЦентра микроэлектрони- ки уже было введено в строй 60 тыс. м 2 площадей, трудилось несколько тысяч человек. Их усилиями была разработана и внедрена технология выпуска совре- менных для того периода гибридных микросхем, и начато их производство во введённых в строй корпусах завода «Ангстрем» – первого в стране специа- лизированного завода по производству интегральных микросхем. Исторически первыми интегральными микросхема- ми, разработанными в Зеленограде в 1962-65 годах, были устройства 201-й серии по теме «Тропа-1» (главный кон- структор А.К. Катман). В 1966 году сдали в эксплуатацию здание НИИМЭ, в этом институте были созданы технологии, и начат выпуск первых серий твердотель- ных полупроводниковых микросхем по теме «Логика» (см. рис. 4). Чтобы представить всё многооб- разие выпускавшихся микросхем к середине 60-х годов, я приведу услов- ные обозначения лишь некоторых Рис. 3. Первая интегральная микросхема, серийно выпускавшаяся в Риге с 1962 года Рис. 4. Одна из первых твердотельных микросхем из Зеленограда (завод «Микрон»)