Современная электроника №2/2019

КОМПЕТЕНТНОЕ МНЕНИЕ 76 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 2 2019 мум на полтора-два порядка выше, чем в дрейфово-электронных системах. Решение данной проблемы возмож- но на базе уже упоминавшегося про- екта [3, 4]. Необходимо подчеркнуть, что необходимые финансовые вложе- ния при этом на порядок ниже, чем у ведущих «цифровых» фирм мира. Это, вероятно, и есть новый технологиче- ский выход, прорыв для РФ. ВИП ДЛЯ ТЕРАГЕРЦОВЫХ ЦИФРОВЫХ И БЕСПРОВОДНЫХ СИСТЕМ Вряд ли стоит рассчитывать на то, что на ШИМ-модуляции будут созда- ны современные энергоплотные источ- ники вторичного электропитания для СВЧ или терагерцового применения. Переход на СВЧ резонансно-контур- ные источники вторичного электро- питания могут в перспективе обеспе- чить новые униполярно-инжекцион- ные гипербыстрые силовые приборы (аналогов в мире нет), которые сейчас патентуются. В рамках проекта в ближайшей пер- спективе (2–3 года) планируется поста- вить на отечественный и зарубежный рынки (при условии финансирова- ния) СВЧ-силовую ЭКБ для новейше- го поколения резонансно-контурных преобразователей (СВЧ ВИП) – пока на принципах мультизонной тео- рии [4], а затем на принципах резонанс- но-контурной аккумуляции энергии в диэлектрике (на электронно-фонон- ных поляроидах) [3], т.е. «диэлектриче- ские» электро-ВИП на терагерцовых частотах. Будущее, как видится, имен- но за этим, поскольку максвелловская энергия генерируется и транспортиру- ется в твёрдом теле как минимум на три порядка быстрее, чем в «электронной» силовой ЭКБ, да и максвелловская кон- турная накачка не является проблем- ной. Т ЕРАГЕРЦОВЫЕ БЕСПРОВОДНЫЕ СИСТЕМЫ Решения, которые пытаются выпол- нить в зоне терагерцовой связи на принципах зонной проводимости (FinFET, SBD, SSD, MDM и др. прибо- ры), обеспечивают милливаттнуюмощ- ность, и этим всё сказано. Лампа бегу- щей волны (ЛБВ) или лампа обратной волны (ЛОВ) – это стекло/керамика/ вакуум/габариты/шум (ЛОВ – на вто- рой гармонике). Есть, конечно, и дру- гие пути. Один из них изложен в [3], где предлагается разработать «терагерцо- вую» беспроводную систему (связь, локация, навигация – три в одном) на полностью диэлектрическом тракте (без «железа»). В итоге нужно констатировать, что терагерцовые системы (милли- метровые, субмиллиметровые, а в перспективе ИК-волны) придётся создавать на основе твёрдовакуум- ной, т.е. диэлектрической электрон- но-фононной атомно-орбитальной электроники, как, впрочем, и «анало- говую цифру». Всё достаточно деталь- но изложено в [3], фактически это программа создания терагерцовой электроники (включая терагерцо- вые ФАР). Материалыдля этойцели в [3] обозна- чены – это не только i- Si GaAs Si (уже соз- данный), i- Ge GaAs Ge ( Т раб. =+300°С) (гете- рофазные диэлектрические монокри- сталлы), но и i- Si GaP Si /i- Ge GaP Ge ( Т раб. чипа до +500°С). ЭтоиGa 2 O 3 ( Т раб.чипа до +800°С), иAlN ( Т раб.чипа до +800°С), и Al 2 O 3 ( Т раб.чипа до +1200°С). Всё это необходимо как российским оборонительным систе- мам, например для гиперзвуковых аппаратов на стыке страто- и тропо- сфер или, в будущем, от МИГ-41 до меж- планетных станций на орбитах, при- ближенных к Солнцу (возможно созда- ние радиолокационной обсерватории на Меркурии). З АКЛЮЧЕНИЕ Как следует из сказанного, програм- ма импортозамещения в отечествен- ной электронике на данном этапе – это национальный тупик, что необходимо учитывать при создании программы цифровой экономики. Необходимо вернуть национальное самосознание и достоинство, прекра- тить копирование западных образцов и разработать программы (технологиче- ские платформы) с опережением миро- вого уровня. В России хватает идей, фундамен- тальных и прикладных разработок, проектов, которые смогли бы вывести страну на передовые позиции в миро- вой электронике (сейчас – отставание как минимум на 18 лет с 0,3% долей на мировом рынке). Автор предлагает часть своего труда в виде комплексного проекта для разра- ботки национальной программы циф- ровой, а точнее «терагерцовой» эко- номики, и создания предпосылок для «петагерцовой» экономики. Л ИТЕРАТУРА 1. В России создан самый мощный кванто- вый компьютер в мире: https://newsland. com/community/88/content/v-rossii- sozdan-samyi-moshchnyi-kvantovyi- kompiuter-v-mire/5922965 2. Первое приближение к петагерцо- вой электронике: http://ko.com.ua/ pervoe_priblizhenie_k_petagercevoj_ jelektronike_123835 3. Гордеев А. Перспективные терагерцо- вые поляризованные информацион- ные системы. Современная электрони- ка. 2016. № 6, 7. 4. Гордеев А.И., Войтович В.Е., Звонарев А.В. Новая физическая твердотельная элек- троника на основе терагерцового рас- щепления и деформации запрещённой зоны LPE Si GaAs Si -кристаллов. Часть 1. Радиотехника. 2017. № 10. НОВОСТИ МИРА В Р ОССТАНДАРТЕ ИСПЫТАНО ОБОРУДОВАНИЕ ДЛЯ СЕТЕЙ 5G ВНИИФТРИ Росстандарта провёл ком- плексные измерения характеристик обо- рудования для использования в составе сетей связи нового поколения. В уникаль- ном испытательном комплексе были из- мерены ключевые радиотехнические па- раметры антенных систем, предназначен- ных для использования в инфраструктуре сетей 5G. Для измерения характеристик антен- ных модулей в большой безэховой камере ВНИИФТРИ был развёрнут аппаратный изме- рительный комплекс, позволяющий работать с широкополосными сигналами в частотном ди- апазоне 0,5…50 ГГц, предназначенными для высокоскоростной передачи больших объёмов информации. Были измерены объёмные диа- граммы направленности антенн, достижимые уровни их эффективной изотропно-излучае- мой мощности, проведена оценка спектраль- ных характеристик формируемых сигналов, а также побочного и внеполосного радиоизлуче- ния. Кроме этого, оценивалась помехоустой- чивость оборудования, включая устойчивость к сложным видам радиопомех, имитирующих работу радиолокационной станции. Во ВНИИФТРИ продолжается разработ- ка средств и методов измерений радиотех- нических характеристик антенн с цифровы- ми интерфейсами. Пресс-служба ВНИИФТРИ