Современная электроника №2/2019

ПРОЕКТИРОВАНИЕ И МОДЕЛИРОВАНИЕ 61 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 2 2019 и КПД для пяти частот выбранного диа- пазона. Значение коэффициента усиле- ния превысило 9 дБ, в то время как КПД стока оказался больше 55% в режиме насыщения и порядка 50% при 7 дБ до уровня максимальной выходной мощ- ности. Максимальный КПД составил более 70% на частотах менее 1,95 ГГц. Усилитель также был протестирован в условиях реальных сигналов GSM и LTE (см. табл.). В результате благодаря применению собственного алгоритма линеаризации методом цифровой кор- рекции предыскажений был получен КПД 51% при средней выходной мощ- ности 45,5 дБм (18,2 Вт для сигнала GSM и 17 Вт для сигнала LTE). На рисунке 11 представлены спектральные характери- стики усилителя после двухдиапазон- ной линеаризации: уровень внеполос- ной интермодуляции для сигнала GSM составил менее –70 дБн (см. рис. 11а), а коэффициент утечки в соседний канал для сигнала LTE – менее –57 дБн (см. рис. 11б). З АКЛЮЧЕНИЕ Системы связи 4G/5G требуют раз- работки новых конструкций уси- лителей мощности, способных обе- спечивать высокий КПД в широком частотном диапазоне для работы в нескольких полосах и соответствия нескольким стандартам связи одно- временно. В этой статье был пред- ставлен проект конструкции уси- лителя Догерти, выполненный в NI AWR Design Environment (Microwave Office) на основе широкополосных транзисторов GaN HEMT диапазона 1,8–2,7 ГГц. Значения КПД составили около 50–60% для уровней выходной мощности порядка 100 Вт. Л ИТЕРАТУРА 1. Bathich K., Markos A.Z., Boeck G. A wideband GaN Doherty amplifier with 35% fractional bandwidth. Proc. 40th Europ. Microwave Conf. С. 1006–1009. 2010. 2. Bathich K., Gruner D., Boeck G. Analysis and design of dual-band GaN HEMT based Doherty amplifier. Proc. 6th Europ. Microwave Integrated Circuits Conf. С. 248– 251. 2011. 3. S un G., Jansen R.H. Broadband Doherty power amplifier via real frequency technique IEEE Trans. Microwave Theory Tech. Vol. MTT60. С. 99–111. Jan. 2012. 4. Wu D.Y., Annes J., Bokatius M., Hart P., Krvavac E., Tucker G. A 350 W, 790-to-960 MHz wideband LDMOS Doherty amplifier using a modified combining scheme. 2014 IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Dig. С. 1–4. 5. Yoshimura N., Umeta H., Watanabe N., Deguchi H., Ui N. A 2.5-2.7GHz broad- band 40W GaN HEMT Doherty amp- lifier with higher than 45% drain efficiency for multi-band application. 2012 IEEE Radio and Wireless Symp. Dig. С. 53–56. Рис. 11. Двухдиапазонная цифровая коррекция предыскажений: а) сигнал GSM; б) сигнал LTE а б 6. Monzon C. A small dual-frequency transformer in two sections. IEEE Trans. Microwave Theory Tech. Vol. MTT-51. С. 1157–1161. Apr. 2003. 7. Grebennikov A. RF and Microwave Power Amplifier Design. 2nd edition. McGraw- Hill. 2015. 8. Wu D.Y., Mkadem F., Boumaiza S. Design of broadband and highly efficient 45W GaN power amplifier via simplified real frequency technique. 2010 IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Dig. С. 1090–1093. 9. Cygan L.F. A high efficiency linear power amplifier for portable communications applications. 2005 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symp. Dig. С. 153–157. 10. Ahn G., KimM., Park H., Jung S., Van J., ChoH., Kwon S., Jeong J., Lim K., Kim J.Y., Song S.C., Park C., Yang Y. Design of a highefficiency and high-power inverted Doherty Amplifier. IEEE Trans. Microwave Theory Tech. Vol. MTT-55. С. 1105–1111. June 2007. 11. Grebennikov A. Multiband Doherty amplifiers for wireless applications. High Frequency Electronics. Vol. 13. С. 30–46. May 2014. НОВОСТИ МИРА «М ИКРОН » ПРОШЁЛ АУДИТ НА СООТВЕТСТВИЕ МЕЖДУНАРОДНОМУ СТАНДАРТУ IATF 16949:2016 «Микрон», крупнейший производитель и экспортёр микроэлектроники в России, пер- вым среди отечественных производителей успешно прошёл аудит на соответствие систе- мы менеджмента качества (СМК) требованиям международного стандарта IATF 16949:2016 в области проектирования и производства ин- тегральных микросхем в форме кристаллов на пластинах для автопрома. Письмо о соответствии (letter of conformance) получено по итогам аудита меж- дународной независимой организации United Registrar of Systems Ltd. (URS Certification, Ве- ликобритания), который «Микрон» успешно прошёл в конце 2018 года. Через год при по- ложительных результатах повторного ауди- та компания планирует получить сертифи- кат соответствия, который позволит сделать важный шаг в развитии системы менеджмен- та качества для работы на новых рынках. В дорожную карту продукции «Микрона» для автопрома входят как стандартные массо- вые контроллеры, так и адаптированные под требования конкретных автопроизводите- лей. Первая партия новой линейки микро- схем, управляющих светодиодными прибо- рами освещения автомобилей, произведе- на в 2018 году. Микроэлектроника для автомобильной промышленности является самым быстрора- стущим сегментом мирового рынка. С 2016 года темпы его роста, по данным WardsAuto, в среднем составляют 13,4% в год. «Микрон» осуществляет поставки продук- ции на экспорт с начала 90-х годов и в настоя- щее время является крупнейшим российским экспортёром изделий микроэлектроники. Все бизнес-процессы в компании выстроены и сертифицированы в соответствии со стан- дартами ISO 9001, ISO 14001 и ISO 50001. Пресс-служба ПАО «Микрон»