Современная электроника №8/2018

СОВРЕМЕННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ 30 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 8 2018 ● число оптических каналов ввода/вы- вода – 64 соответственно; ● скорость приёма/передачи информа- ции по оптическим линиям не менее 166 МГц; ● разрядность оптоэлектронных АЦП, ЦАП – 2 8 ; ● пропускная способность 3D М ФЭФ М АС-Х1 по оптическим каналам 10 624 Гбит/с; ● число каналов АЦП – 2, с частотой вы- борки до 3 ГГц; ● число каналов ЦАП в DAC – 2, с ча- стотой до 3 ГГц. Технические характеристики 3D М ФЭФМ АС-Х2: ● стандартный интерфейс связи АЦП, ЦАП и управления с абонентской аппаратурой оконечного устрой- ства; ● число оптических каналов ввода/вы- вода – 64 соответственно; ● скорость приёма/передачи информа- ции по оптическим линиям не менее 166 МГц; ● разрядность оптоэлектронных АЦП, ЦАП – 2 8 ; ● пропускная способность 3D М ФЭФ М АС-Х2 по оптическим каналам 10 624 Гбит/с; ● число каналов АЦП – 16, с частотой выборки до 1 МГц; ● число каналов ЦАП в DAC – 8, с ча- стотой до 1 МГц. Обобщённая структурная схема элементов 3D М ФЭФ М АС-Х1, -Х2 (60 × 30 мм) приведена на рисунке 71. Технические характеристики 3D М ФЭФ АС-Х3: ● стандартный интерфейс связи АЦП, ЦАП и управления с абонентской ап- паратурой оконечного устройства; ● число оптических каналов ввода/вы- вода – 128 (2 × 64); ● скорость приёма/передачи информа- ции по оптическим линиям не менее 166 МГц; ● разрядность оптоэлектронных АЦП, ЦАП – 28; ● пропускная способность 3D М ФЭФ М АС-Х3 по оптическим каналам 21 248 Гбит/с. Структурная схема элемента 3D М ФЭФ М АС-Х3 (60 × 30 мм) приведена на рисунке 72. Конструкция 3D М ФЭФ М АС пред- ставляет собой многослойную кера- мическую полосковую плату, изготов- ленную по технологии LTCC с установ- ленными на ней оптоэлектронными и электронными элементами и разъёма- ми с многоканальными линзовыми рас- трами. Эскиз конструкции 3D М ФЭФ М АС приведён на рисунке 73. На многослойной керамической полосковой плате 3D М ФЭФ М АС c двух сторон монтируются (методом перевёрнутого монтажа – flip-chip) оптоэлектронные кристаллы, корпус- ные микросхемы, навесные электрон- ные элементы и разъём для шин пита- ния, земли, синхронизации и интер- фейсов связи. Монтажная площадь кристаллов ФЭ СБИС полосковой платы с обеих сто- рон герметично закрывается корпуса- ми разъёмов с многоканальными лин- зовыми растрами. Установка корпусов разъёмов с мно- гоканальными линзовыми растрами на полосковую плату должна обеспечить соосность многоканальных оптических каналов ввода/вывода. 3D М ФЭФ М АС имеет две функцио- нально разделённые стороны. Сторона «Ф» – приём многоканального оптиче- ского сигнала, сторона «Л» – передача многоканального оптического сигнала. Расположение элементов (ОЭ кри- сталлов и микросхем) и их связи на сто- ронах «Ф» и «Л» многослойной полоско- вой керамической платы показаны на рисунке 72. Электрическая связь TMS320С6455 (сторона «Ф») с ПЛИС XC5VLX30T (сто- рона «Л») осуществляется через поло- сковую многослойную керамическую плату по интерфейсу SRIO 1х. В полосковой многослойной кера- мической плате организована сквоз- ная электрическая связь между зонны- ми контактными площадками пикселов матрицы лазеров вертикального излу- чения, смонтированной на стороне «Л» и зонными контактными площадками ОЭ МАЦ ОЭ МВЛ Лицевая сторона для монтажа Обратная сторона для монтажа EMIFA SRAM Оптический вход 64 64 3 SRIO Clock Flash DDR2 DDR2 DDS ADC Электрический разъём SAMTEC QMS-052-01-SL-D-EM2-TR Оптический выход Си ПЛИС XC5VLX30T LVDS SRIO EMIFB I 2 C Ethernet JTAG GND 3,3 В 1,8 В 1,5 В 1,25 В 1,2 В 3,3 В 1,8 В 0,512 В 0,256 В 0,128 В TMS320C6455 Рис. 71. Структурная схема 3D МФЭФ М АС-Х1, -Х2 Рис. 72. Структурная схема 3D М ФЭФ М АС-Х3 ОЭ МАЦ ОЭ МВЛ Лицевая сторона для монтажа Обратная сторона для монтажа EMIFA SRAM Оптический вход 64 64 64 64 3 SRIO Clock Flash DDR2 DDR2 Электрический разъём SAMTEC QMS-052-01-SL-D-EM2-TR Оптический выход Си ПЛИС XC5VLX30T SRIO EMIFB I 2 C Ethernet JTAG GND 3,3 В 1,8 В 1,5 В 1,25 В 1,2 В 3,3 В 1,8 В 0,512 В 0,256 В 0,128 В ОЭ МАЦ ОЭ МВЛ TMS320C6455