СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА №8/2016

ЭЛЕМЕНТЫ И КОМПОНЕНТЫ 36 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 8 2016 Вход Экран Фильтр электромагнитных помех Источник напряжения DC/DC Нагрузка емые преобразователи можно рассма- тривать в качестве замены аналогичных изделий ведущих американских произ- водителей (с обзором радиационно- стойких DC/DC-преобразователей про- изводства США для сетей 100 В можно ознакомиться в статье [7]). Выбрана топология преобразовате- лей, стойкая к воздействию ионизиру- ющих излучений и функционирующая при высоком входном напряжении. Применён высоковольтный радиаци- онно-стойкий транзистор MOSFET с вертикальной структурой, обладаю- щий балансом между относительно высокими потерями на переключение и низкими потерями на проводимость, при этом преодолены противоречи- вые требования, которые предъявля- ются полевому транзистору, располо- женному на первичной стороне пре- образователя. Конструкция преобразователей ха- рактеризуется компактными габарита- ми и небольшим весом и приспособле- на для условий космического полёта. Необходимо отметить, что КПД пред- ставленных изделий (особенно мало- мощных) меньше, чем КПД подобных изделий производства компаний из США. Кроме того, у них нет функции внешней синхронизации и не пред- лагается ряд моделей с низкими уров- нями напряжения (менее 5 В, то есть 3,3 В и менее) для питания современ- ных цифровых нагрузок. Л ИТЕРАТУРА 1. Кессаринский Л.Н., Бойченко Д.В., Ники- форов А.Ю. Анализ радиационного пове- дения импульсных стабилизаторов напря- жения. Микроэлектроника. 2012. №4. Том 41. 2. Кессаринский Л.Н., Бойченко Д.В. Эффек- ты от отдельных ядерных частиц во вто- ричных источниках питания. Спецтехни- ка и связь. 2011. №4–5. 3. Кессаринский Л.Н., Борисов А.Я., Бойчен- ко Д.В., Ахметов А.О. Влияние электриче- ского режима на показатели стойкости импульсных стабилизаторов к одиноч- ным сбоям от ТЗЧ. Микроэлектроника. 2015. №1. Том 44. 4. Найвельт Г.C., Мазель К.Б., Хусаинов Ч.И. и др. под ред. Найвельта Г.С. Источники электропитания радиоэлектронной аппа- ратуры. Справочник. М. Радио и связь. 1986. 5. Робертс Стив. Решение проблем пульса- ций и помех DC/DC-преобразователей: входная и выходная фильтрация. Ком- поненты и технологии. 2015. №8. 6. Борисов В.Ф., Лавренков О.П., Назаров А.С., Чекмарёв А.Н. под ред. Назарова А.С. Кон- струирование радиоэлектронных средств. М. Изд-во МАИ. 1996. 7. Жданкин В.К. Радиационно-стойкие DC/DC-преобразователи для систем элек- троснабжения космических аппаратов нового поколения с постоянным повы- шенным напряжением (100 В). Электро- питание. 2014. №1. Рис. 16. Схематическое представление идеального монтажа связки ЭМП-фильтра и источника Новости мира News of the World Новости мира Минкомсвязь доработает правила использования спектра радиолюбителями Министерство связи и массовых коммуника- ций Российской Федерации разработало про- ект приказа, который предлагает упрощение действующих правил радиообмена для радио- любителей с учётом сложившейся практики. Так, из действующих требований к использованию радиочастотного спек- тра любительской службой и любительской спутниковой службой в РФ будут исключены дополнительные требования для формиро- вания позывных сигналов, а также ограни- чения по времени использования любитель- ских радиомаяков. Проект приказа разме- щён на Федеральном портале проектов нормативных правовых актов для прове- дения общественного обсуждения. Также проектом приказа предлагается исключить Крымский федеральный округ из условной нумерации федеральных округов в связи с вступлением в силу Указа Прези- дента РФ №375 от 28 июля 2016 г. и преоб- разованием Крымского федерального окру- га (ФО) в Южный ФО. Планируемый срок вступления в силу при- каза – первый квартал 2017 г. www.minsvyaz.ru «Микроэлектроника 2016» собрала около 100 российских разработчиков Как сообщает Госкорпорация Ростех, около 100 российских научных центров и компаний приняли участие в отраслевом форуме «Микроэлектроника 2016», который прошёл с 26 по 30 сентября 2016 г. в крым- ской Алуште. Организаторами мероприятия выступили НИИ микроэлектронной аппара- туры «Прогресс» холдинга «Росэлектрони- ка» и НП «ГЛОНАСС». Форум «Микроэлектроника» впервые в новейшей истории России прошёл в про- шлом году. Однако подобные мероприятия регулярно проводились в крымском Гурзу- фе в 1970–1990 гг. В этом году в рамках форума прошла научная конференция «Интегральные схе- мы и микроэлектронные модули», а также деловая программа. В частности, на конфе- ренции выступили представители крупнейших предприятий холдинга «Росэлектроника»: АО «НПП им. А.И Шокина «Исток», НПП «Пуль- сар», НИИ «Феррит-Домен», Новосибирского завода полупроводниковых приборов, НИИМА «Прогресс» и других компаний Ростеха. Кроме того, были представлены докла- ды ведущих сотрудников исследователь- ских центров и университетов России. Все- го в рамках восьми тематических секций конференции был представлен 191 доклад. В рамках форума 30 сентября прошёл сеанс видеосвязи с другим отраслевым меро- приятием – конференцией «Перспективные рынки – взгляд в будущее», которая прошла под эгидой Минпромторга с 29 сентября по 1 октября 2016 г. на базе саратовского НПП «Алмаз», входящего в «Росэлектронику». Кроме того, в рамках форума состоялся финал конкурса стартап-проектов по микро- электронике «Фестиваль инноваций», орга- низованный при поддержке Зеленоградско- го нанотехнологического центра, кластера космических технологий фонда «Сколково» и Центра развития социальных инноваций «Технологии возможностей». www.rostec.ru