СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА 7/2016

СОВРЕМЕННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ 23 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 7 2016 ключ на основе ИК-фемтолазера и резо- натора LPE i-GaAs (SiO)). Все назван- ные элементы с позиции конструкции ифизики прекрасно просматриваются. Что касается цифровой входной систе- мы, то, конечно, нужна тактовая часто- та хотя бы в 1,0 ТГц. Физически её мож- но реализовать на квантово-точечных встроенных экситонах в LPE i-GaAs (SiO). АЦП Ключевые моменты, как уже говори- лось, следующие: ● линия ускорения; ● эффект дубликата входящей волны по линии обратной связи; ● фазово-частотныйкомпаратор (непу- тать с «вольтаическим» компаратором); ● скоростные цифровые схемы (в тера- герцовом диапазоне) – дешифратор, регистры и т.д. Всё при желании можно сделать, был бы уровень понимания и финансвые средства. Цифровые системы Подходов здесь несколько, а именно: ● динамическая память на «реактив- ных» транзисторах (диэлектрических транзисторах GaAs – HJMOSFET – реактивные DRAM; ● статическая энергонезависимая память – на туннельной гетероин- жекции GaAs – HJMOSFET (с плава- ющим затвором) с петастиранием; ● динамическая память на гибридных конструкциях HJMOSFET – HNT – транзисторах (HNT – это что-то напо- добие n + -i-n + -транзисторов с HJMOS- затвором). Наконец, есть возможность реализа- ции мечты величайшего отечествен- ного специалиста по микроэлектро- нике К.А. Валиева (автор этой статьи в 1974 г. имел честь представлять ему в НИИМЭ свою дипломную работу по физике плотности энергосостояний в МОП-структурах), а именно, – кванто- вого компьютера. В.Е. Войтович создал водородоподобные симметричные отно- сительно уровняФермикомплементар- ные (биполярные) состояния большой плотности (до 10 17 см –3 ), которые автор данной статьи называет встроенными квантово-точечными экситонами, что даёт большие возможности. Скорость отклика электроновидырок с амфотер- ных «гнёзд» –не хуже 10 –12 с, онине «гре- ются» при возврате, то есть рекомбина- ция ИК-излучения до уровня InSb/PbTe; удобно создать экситонную энергетику ИК-подогревом и далее – поле – через нанозатвор. Такимобразом, фактически имеется всё для создания квантового ком- пьютера в России. «Экситонные» компью- терыРоссия могла бы создать «вчера». ФАР Строится по схеме: ● терагерцовый высоковольтный умно- житель – столб; ● гетеробарьерыиз поляроидногометал- ла, выполненные на резонаторе LPE i-GaAs и расположенные пофазово; ● волна, возбуждающая систему GaAs – поляроид; ● излучение. Металлоперфоратор на выходе высо- ковольтного тераумножителя. З АКЛЮЧЕНИЕ 1. В статье показано, что «всё новое – это хорошо забытое старое». На фоне ограниченных финансовых и техно- логических ресурсов Россия имеет возможность стать одним из миро- вых лидеров в стратегически важ- ных терагерцовых информацион- ных системах. Фактически, это один из проектов по созданию отечествен- ной «цифровой» экономики. 2. В публикации впервые показана инва- риантность и ёмкость новыхфизиче- ских моделей и перспективных кон- структивных решений в дальнемСВЧ-, тера- и петадиапазонах частот в части создания параметрических генерато- ров, усилителей, умножителей, смеси- телей, делителей, фазовращателей, линий задержки, линий ускорения, фильтров, аттенюаторов и др. 3. В статье подчёркнуты абсолют- но новые возможности реализа- ции неизвестных ранее цифровых и аналогово-цифровых технических решений для дальнего СВЧ, терагер- цового диапазона, включая кванто- вые встроенно-экситонные циф- ровые технологии на основе моно- кристаллов LPE i-GaAs (SiO). Впервые предложен единый ТГц-блок «пять в одном», объединяющий связь, радар, «цифру», РЭП и навигацию. 4. В очередной раз подчёркивается, что новая высокотемпературная высоко- вольтная гиперчастотная радиаци- онно-стойкая электроника и ради- офизика на базе уникальных моно- кристаллов LPE i-GaAs (SiO) – это новый бизнес, доходы от которого могут быть сравнимы с доходами от нефтяного бизнеса. 5. Предложенный в серии публикаций в журнале «Современная электрони- ка» ряд проектов на основе монокри- сталлов LPE i-GaAs (SiO) может стать основой формирования опережаю- щих мировой уровень ФЦП в области электроники и радиофизики («Про- грамма экспортозамещения»). 6. Автор считает, что статья будет полезна руководителям и специа- листам «Ростеха», Концерна КВО «Алмаз-Антей», АФК «Система» («РТИ»), «Роскомоса», «Росатома», «Росавиации», а также руководите- лямфинансовых «двигателей» эконо- мики – Сбербанка, Внешторгбанка, Газпромбанка, ВТБ-капитал и других. 7. Приведённые в статье технические решения патентуются. Л ИТЕРАТУРА 1. Перспективные терагерцовые поляризо- ванные информационные системы. Часть 1. Современная электроника. 2016. №6. 2. Зверев В.А., Кривопустова Е.В., Точили- на Т.В. Учебное пособие для конструк- торов оптических систем и приборов «Оптические материалы». Часть 1. Санкт- Петербургский университет информаци- онных технологий, механики и оптики. Санкт-Петербург. 2009. 3. Павлов П.В., Хохлов А.Ф. Физика твёрдого тела. М. Высшая школа. 2000. 4. Гроссе П. Свободные электроны в твёрдых телах. Москва. Изд. «Мир». 1982. 5. Kroll N.M. Parametric Amplification in Spatial- ly ExtendedMedia Amplification to the Design of Tunable Oscillator at Optical Frequencies. Phys. Rev. 1962. V. 127. №4. P. 1207–1211. 6. Ахманов С.А., Хохлов Р.В. Об одной воз- можности усиления световых волн. ЖЭТФ. 1962. Т. 43. №1. С. 351–353. 7. Ахманов С.А. и др. Перестраиваемый параметрический генератор света на кристалле KDP. Письма в ЖЭТФ. 1966. Т. 3. №9. С. 372–378. 8. Giordmaine J.A., Miller R.C. Tunable Coherent Parametric Oscillation in LiNbO 3 at Optical Frequencies. 1965. Phys. Rev. Lett. 14. Р. 973–976. 9. Андронов А.А., Захаров А.А. и др. Новые источники и приёмники ИК и терагер- цового диапазона. Учебно-методический материал по программе повышения ква- лификации «Новые подходы к пробле- мам генерации, обработки, передачи, хранения, защиты информации и их применения». Нижегородский государ- ственный университет им. Н.И. Лобачев- ского. Нижний Новгород. 2007. 10. Войтович В.Е., Гордеев А.И., Звонарёв А.В. Фотонная и релятивистская энергетика на основе LPE i-GaAs-монокристаллов. Современная электроника. 2015. №7.