СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА 6/2016

ПРОЕКТИРОВАНИЕ И МОДЕЛИРОВАНИЕ 71 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 6 2016 0 В 0,5 В 0,5 В 1,0 В 1,5 В 2,0 В 2,5 В 3,0 В 3,5 В 4,0 В 4,5 В 5,0 В 5,1 В 1,0 В 1,5 В 2,0 В 10К 50К 0К 100К 200К 300К 500К 1,0 meg 1,5 meg 2,5 В 3,0 В 3,5 В 4,0 В 4,5 В 5,0 В SEL влияние стационарного ионизирующе- го излучения только косвенным обра- зом, через процедуру подгонки пара- метров транзисторов под эксперимен- тальные данные. Однако, как отмечают сами разработчики, этого часто быва- ет недостаточно, поскольку, получив отрицательный результат, разработ- чик не находит ответа на вопрос «Как модифицировать схему, чтобы соот- ветствовать требованиям?». В результа- те процесс проектирования, по суще- ству, является методом проб и ошибок, который тянется годами. Таким обра- зом, можно утверждать, что в настоя- щее время в России не применяются полноценные современные средства моделирования поведения ИС с учётом ионизирующих излучений. Доступные в России зарубежные САПР ИС общего назначения не обладают инструмента- ми для схемотехнического моделиро- вания радиационных эффектов. Такие средства разрабатываются специали- зированными фирмами и не предна- значены для продажи или попадают под санкции. Для полноценного развёртывания работ по созданию системы схемо- технического моделирования нано- и микросхем с учётом действия деста- билизирующих факторов космическо- го пространства (ДФКП), в том числе и ионизирующих излучений, необ- ходим доступ к исходным кодам про- граммы моделирования. САПР СИМИ- КА может служить основой для развёр- тывания таких работ. Проведённые в инициативном порядке эксперименты по встраива- нию в модель МОП-транзистора все- го двух эффектов деградации показа- ли существенное отличие поведения схемы типа инвертор при различных дозах радиации (см. рис. 5). З АКЛЮЧЕНИЕ Доступный для российских разработ- чиков полнофункциональный САПР СИМИКА, разработанный российским дизайн-центром ООО «Интегральные решения», является набором инстру- ментов, обеспечивающим полный цикл разработки аналого-цифровых инте- гральных схем, в том числе фотопри- ёмных КМОП-матриц и видеосистем на кристалле. По ряду показателей разработанное программное обеспечение превос- ходит САПР СБИС мировых лидеров. Реализованная в САПР полнофунк- Новости мира News of the World Новости мира «Росэлектроника» за 5 лет нарастит замещение импортной ЭКБ в три раза Холдинг «Росэлектроника» (входит в Гос- корпорацию Ростех) планирует к 2021 г. уве- личить замещение импортной электронно- компонентной базы (ЭКБ) на российском рынке более чем в три раза – до 70%. Об этом сообщил генеральный директор АО «Росэлектроника» Игорь Козлов. По его словам, на сегодня импортозаме- щение в секторе ЭКБ находится на уров- не 20%. При этом Игорь Козлов отметил, что хол- динг стремится наращивать производство не обычных компонентов, а так называе- мой «критической базы», обеспечиваю- щей надёжность и безопасность функцио- нирования национальных электронных систем. «Производить отечественные обыч- ные конденсаторы, резисторы, – в этом нет никакого смысла, потому что сегодня этот товар уже является массовым, скоро будут в «рассыпуху» продавать, – сказал он. – А вот радиационно-стойкая база – да, связ- ные процессоры, отечественная операцион- ная мобильная система – да, потому что это вопрос национальной безопасности. Уро- вень локализации отечественного произ- водства по радиационно-стойкой и крити- ческой базе к 2021 г. будет, я думаю, в райо- не 70%», – сказал глава госхолдинга. Говоря о перспективах развития отече- ственной электронной промышленности, Игорь Козлов выразил мнение, что в тече- ние 10 лет она станет конкурентоспособ- ной по всем показателям и займёт достой- ное место на мировом рынке. «У нас поя- вился свой собственный задел. Я имею в виду задел Российской Федерации, не задел Советского Союза, на котором мы так долго жили. У нас есть люди, которые в состоянии этот задел реализовать. Нам нужно время для концентрации усилий, нам нужно время, чтобы перевести этот задел в практическую плоскость», – заявил гла- ва «Росэлектроники». www.ruselectronics.ru циональная программа моделирова- ния, учитывающая эффекты деграда- ции элементов ИС при воздействии ДФКП, позволит разработчикам ИС рас- считать работоспособность интеграль- ной схемы до этапа изготовления опыт- ного образца и проведения испытаний, что существенным образом сэкономит время и ресурсы. Л ИТЕРАТУРА 1. САПР интегральных схем СИМИКА. www.symica.ru. 2. Бумагин A., Гулин Ю., Заводсков С., Кри- вякин B., Руткевич А., Стешенко В., Сухо- руков А., Шишкин О. Специализирован- ные СБИС для космических применений: проблемы разработки и производства. ЭЛЕКТРОНИКА. Наука. Технология, Биз- нес. 2010. №1. Рис. 4. Обработка результатов моделирования в программе SIMProbe