СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА 6/2016

СОВРЕМЕННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ 15 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 6 2016 Минпромторга от 31марта 2015 г.№662 «Об утверждении отраслевого плана мероприятий по импортозамещению в радиоэлектронной промышленности РоссийскойФедерации») может оказать- ся «кислородной подушкой» для разра- ботчиков системОПКРФ. Но одно дело – принять и утвердить программу репро- дукцииЭКБ с уровнемначала века, другое дело – её выполнить так, чтобы новые приборыбыли не хуже «начала века». Является ли Программа импортоза- мещения исчерпывающей для нацио- нальныхинтересов? Конечно, нет. Автор неоднократно подчёркивал (и многие это понимают), что это – «программа реанимации», а нужна «программа реа- билитации и развития», т.е. программа опережениямирового технологического уровня. Если этого не сделать, то страна в своёмразвитии будет отброшена дале- коназад. Скорее всего, программу опере- жения в областирадиофизикии электро- ники должныразработатьМинобрнауки иРАНи, вероятнее всего, на эту програм- му необходимо выделение ежегодных государственных субсидий в размере хотя бы 1% от углеводородного дохода (примерно $4 млрд в год), если ставить задачу сохранения национального суве- ренитета государства. Новый технологи- ческийоблик промышленности государ- ства должен создаваться талантливыми учёными. Тем более что такая практика уже существует в DARPA и постепенно выстраивается в ФПИ. Напрашивается вопрос – есть ли в Рос- сии фундаментальные и технологиче- ские предпосылки для создания про- граммы опережения (программы «экс- портозамещения» тающих ресурсов углеводородного сырья)? Если искоре- нить «лысенковщину» и противодей- ствие чиновников, то обнаружится, что запас идей у нас – на сто лет вперёд. Есть у нас и новые Ландау, и Прохоровы, и Алфёровы. Их даже искать не надо. Необ- ходимо только понять и признать, что это талантливые люди, по сути – нацио- нальное достояние, которых государство должно беречь и поддерживать. Конечно, достижение ролимирового технологического лидера в электрони- ке – непростая задача. Однако стремле- ние к этому – гораздо лучше, чем зара- нее заданная позиция второсортности и обречённости на неудачи. Витоге, нуж- ны государственные реформы в области науки, высоких технологий и интеллек- туальной собственности в этой сфере. Мои предложения по реформам в обла- сти науки и высоких технологий нахо- дятся в Управлении Президента РФ по научно-образовательной политике. Итоговый вопрос такой – каким обра- зом, за счёт каких радиофизических явлений и других технологий мож- но было бы создать не просто паритет в базовой твердотельной электронике, но и постараться сделать всё необхо- димое, чтобы превзойти мировой уро- вень в стратегически важном терагер- цовом диапазоне? Продолжение дан- ной статьи посвящено именно этому вопросу технологического опережения. Л ИТЕРАТУРА 1. Voitovich V., Rang T., Rang G . LPE Technology for Power GaAs Diode Structures. Estonian Journal of Engineering. 2010. 16. 1. P. 11–22. 2. Войтович В.Е., Гордеев А.И., Звонарев А.В. Фотонная и релятивистская энергетика на основе LPE i-GaAs-монокристаллов. Совре- менная электроника. 2015. № 7. 3. www.esto.nasa.gov/forum/estf2015/presen- tations/Deal_S1P6_ESTF2015.pdf. 4. www.hitech.vesti.ru/news/view/id/7311.