СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА №4/2016

СОВРЕМЕННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ 29 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 4 2016 Тепло- и электропроводящая паста (клей) Линза (I.R. = 1.4 … 1.6) Проволочный контакт Медная дорожка Печатная плата Схема светодиода Директор Кембриджского центра исследования GaN отмечает, что свой- ства кубического нитрида галлия были уже изучены, но его применение было ограничено из-за проблем с техноло- гией выращивания этой термодинами- чески нестабильной кристаллической структуры [4]. Высокое качество куби- ческого SiC на кремниевых подлож- ках компании Anvil и опыт разработ- ки традиционных структур из нитри- да галлия для светодиодов на пластинах большой площади, которым обладают сотрудники данного центра, позволи- ли значительно улучшить качество материала [4]. Этот проект также опи- рается на сотрудничество с компани- ей Plessey – вместе у них есть надежда впервые разработать зелёные светоди- оды (см. схему), эффективность кото- рых будет сравнима с эффективностью синих и красных светодиодов. Генеральный директор компании Anvil утверждает, что разрабатывае- мый сотрудниками компании метод даёт возможность выращивать кубиче- ский GaN на подложках большого раз- мера [4]. Сотрудничество в данном про- екте позволит использовать отработан- ную на приборах силовой электроники технологию для производства мощных светодиодов, что гарантирует сочета- ние низкой себестоимости и высокой эффективности. Л ИТЕРАТУРА 1. Золина К.Г., Кудряшов В.Е., Туркин А.Н., Юнович А. Э. Спектры люминесценции голубых и зелёных светодиодов на осно- ве многослойных гетероструктур InGaN/ AlGaN/GaN с квантовыми ямами. ФТП. 1997. Т. 31. №9. 2. ШубертФ.Е. Светодиоды. М. ФизМатЛит. 2008. 3. Туркин А . Гетероструктуры GaN от Plessey Semiconductors – технология, продукты, перспективы. Полупроводниковая свето- техника. 2016. №2. 4. www.edn-europe.com .