СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА №7/2015

ПРОЕКТИРОВАНИЕ И МОДЕЛИРОВАНИЕ 81 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 7 2015 Рис. 7. График соответствия между прогнозом и результатами работы модели схемы УМ класса Е ческими параметрами. Это делает- ся путём применения преобразова- ния Фурье к моделируемым сигналам тока и напряжения усилителя класса E, а затем согласования результирующих гармонических импедансов в частот- ной области на шаге 4. Шаг 4: применение средств проектирования для оптимизации схемного решения в соответствии с требуемыми значениями импеданса для нескольких первых гармоник На этом, последнем, этапе любая полученная ранее схема с требуе- мым значением импеданса частот- ных гармоник может быть представ- лена реальными компонентами. Суще- ствует множество схемотехнических решений, которые потенциально могут удовлетворять установленным параметрам. Для проверки получен- ного решения разработчику обыч- но достаточно согласовать несколь- ко первых гармоник. На рисунке 6 показана физическая схема, созданная при выполнении вышеописанных действий. Для под- ключения к СВЧ-транзистору исполь- зовались компоненты EBOND (модель контактных линий подключения тран- зистора к печатной плате). Во всех остальных случаях соединения компо- нентов использовались простые линии передачи. Форма сигналов, полученных в ходе моделирования физической схемы, оказалась сходной с идеализирован- ной схемой (см. рис. 7). Кроме того, эти результаты точно соответствуют исходному прогнозу утилиты синтеза, использованной на шаге 1, что особен- но важно для разработчиков. Короткий видеоролик, описываю- щий предлагаемый подход более под- робно, можно посмотреть по ссылке, приведённой в списке литературы [1]. На той же странице можно загрузить бесплатную копию рабочей среды Keysight ADS. З АКЛЮЧЕНИЕ Хотя создание УМ класса E может быть сложной задачей, новый способ проектирования предлагает более про- стую и быструю альтернативу традици- онному подходу. Он позволяет разра- ботчикам существенно упростить пер- вичный анализ разрабатываемого УМ, что впоследствии сократит время раз- работки и повысит надёжность конеч- ного изделия. Л ИТЕРАТУРА 1. www.keysight.com/find/eesof-how- to-pa-series. Рис. 6. Синтезированная физическая схема УМ класса Е, построенная на базе GaN транзистора компании Cree © СТА-ПРЕСС