СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА №7/2015

ЭЛЕМЕНТЫ И КОМПОНЕНТЫ 43 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 7 2015 Новости мира News of the World Новости мира проектирования электронных устройств на базе печатных плат: от создания базы данных радиоэлектронных компонентов до генерации файлов, используемых в произ- водстве. В состав САПР Delta Design вхо- дит ряд функциональных компонентов, в частности: ● TopoR (Topological Router) – высокопро- изводительный топологический трасси- ровщик печатных плат, который на сегод- няшний день не имеет аналогов и успеш- но используется не только в России, но и за рубежом; ● SimOnе – симулятор для полнофунк- ционального SPICE-моделирования ради- оэлектронных схем, который по скорости и точности анализа превосходит боль- шинство аналогов и ни в чём не уступа- ет лидерам рынка. Место проведения Форума: Москва, ул. Русаковская, 24, отель «Холидей Инн Сокольники». Для регистрации на семинар необходимо заполнить электронную форму на сайте организатора. www.plmrussia.ru Intel и Micron разработали память в 1000 раз быстрее NAND На IDF 2015 компании Intel и Micron сооб- щили о завершении разработки нового класса памяти 3D XPoint. Передовая тех- нология позволяет сделать накопители до 1000 раз быстрее (их скорость измеряется в десятках наносекунд, а не микросекунд, как в NAND) и до 1000 раз выносливее. Кроме того, 3D XPoint позволяет добиться в 10 раз более плотного размещения, чем в существующих аналогах. Intel Optane – именно так будет называть- ся новая технология – позволит создавать высокопроизводительные накопители. По предварительным данным, накопители на базе этой технологии будут обладать суще- ственными преимуществами по сравнению с традиционными SSD. Например, они обе- спечат 7,2-кратный прирост производитель- ности в операциях ввода-вывода при малой очереди запросов и 5,21-кратный – при большой очереди запросов. Ещё одно пре- имущество Optane – жизненный цикл нако- пителей существенно увеличится, а пробле- ма износа ячеек с невозможностью после- дующей записи в них исчезнет. В линейке ожидаются варианты как для дата-центров, так и для ноутбуков, в форм- факторах M.2 и U.2, причём как с интер- фейсом SATA, так и с DDR4. У Intel пока нет планов по передачи технологии каким- либо другим производителям: мощностей Micron на данный момент хватит для обеспе- чения рынка. Разработчики 3D Xpoint счи- тают технологию самым значимым проры- вом со времён появления 25 лет назад тех- нологии NAND, которая до сих пор лежит в основе флэшек и SSD. Новая память займёт место где-то меж- ду NAND и DRAM (основа оперативной памяти): до скорости последней новая раз- работка не дотягивает, но при этом энер- гонезависима. Глава Intel Брайан Кржа- нич считает, что полностью раскрыть воз- можности 3D Xpoint можно только изменив архитектуру компьютеров и операционных систем. www.pcweek.ru © СТА-ПРЕСС