СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА №6/2015

ПРИБОРЫ И СИСТЕМЫ 72 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 6 2015 3 6 5 1 2 4 7 случае элемент стенда 1, перемещаю- щийся, например, по оси Z, сжимает угловой сильфон, что ведёт к смеще- нию отражательного элемента (ОЭ) – пластины 2, которая жёстко закрепле- на в верхней части сильфона на угол α относительно первоначального поло- жения (см. рис. 2). С двух сторон ОЭ 2 расположены оптические волокна (ОВ) 5 первого и второго измерительных каналов. При этом подводящие ОВ первого измери- тельного канала расположены соос- но с отводящими ОВ второго измери- тельного канала и, наоборот, подво- дящие ОВ второго измерительного канала расположены соосно с отводя- щими ОВ 1 первого измерительного канала [5]. Элементы оптических схем дифференциальных ВОПУМП юсти- руются так, что в отсутствие изме- ряемой физической величины све- товое излучение, выходящее из тор- цов ПОВ1 и ПОВ2, после отражения Рис. 3. Вариант установки ВОД перемещения относительно стола стенда: 1 – ВОПУМП; 2 – стол стенда; 3 – ВОК; 4 – основание для крепления ВОД перемещения; 5 – шток; 6 – элемент, воспринимающий давление штока; 7 – виброизолятор от зеркальных поверхностей ОЭ рав- номерно распределяется между тор- цами отводящих оптических воло- кон первого и второго измеритель- ных каналов. Ввиду того что скорости и ускоре- ния изменения положения стендов в пространстве чрезвычайно малы, однократное и двукратное диффе- ренцирование значений сигналов с выхода ВОД перемещения с помо- щью вычислительных устройств на базе современных микропроцессо- ров даёт возможность с высокой точ- ностью определить скорость и уско- рение стенда без установки на стен- де соответствующих датчиков. Таким образом, это позволяет снизить себе- стоимость, габариты и вес ВОИИС в два-три раза. На рисунке 3 в качестве примера при- ведён один из возможных вариантов установки ВОД перемещения относи- тельно стола стенда. При необходимо- сти можно аналогичным образом уста- новить датчик относительно поверхно- сти виброизолятора. Реализация предлагаемой ВОИИС позволит повысить надёжность и до- стоверность результатов измерений на крупногабаритных испытательных стендах в РК и АТ. Л ИТЕРАТУРА 1. Лебига В.А., Самсонов А.В., Птушкин О.М., Боткин C.Е. Опыт модернизации ин- формационно-измерительного комп- лекса испытательного стенда с приме- нением цифрового регистратора сигна- лов (НИИХСМ). www.nppmera.ru/opyit- modernizaczii-informaczionno-izmeri- telnogo-kompleksa-ispyitatelnogo-stenda- s-primeneniem-czifrovogo-registratora- signalov-niixsm. 2. Гориш А.В., Мурашкина Т.И., Пивкин А.Г., Рубцов И.С. Внедрение волоконно-опти- ческих средств измерений на летательных аппаратах – качественный скачок отече- ственной информационно-измеритель- ной техники. Информационно-измери- тельная техника. Сб. трудов научно-техн. конф. Под ред. Панова Д.В. Москва. РУДН. 2014. С. 324. С. 166–174. 3. Юрова О.В., Архипов А.В., Назарова И.Т., Мурашкина Т.И. Теоретические исследо- вания волоконно-оптического преобра- зователя угловых перемещений отража- тельного типа. Промышленные АСУ и кон- троллеры. 2011. № 10. 4. Пивкин А.Г., Мурашкина Т.И. Волокон- но-оптические датчики давления атте- нюаторного типа для ракетной техни- ки. Монография. Пенза. Изд-во Пенз. гос. ун-та. 2005. С. 150. 5. Бадеева Е.А., Юрова О.В., Щевелев А.С., Мака- ров Ю.Н., Гориш А.В. Дифференциальный волоконно-оптический преобразователь угловых перемещений. Современная элек- троника. 2010. № 8. Новости мира News of the World Новости мира Рынок интегральных микросхем растёт Согласно прогнозу Digitimes Research, объём выпуска ИС в этом году дос- тигнет $54,8 млрд, что на 12% боль- ше показателя прошло года, равного $49 млрд. Рост будет обусловлен спросом на смарт- фоны с поддержкой 4G, который позволит скомпенсировать такие неблагоприятные факторы, как уменьшение спроса на план- шеты, ПК и смартфоны. Компания TSMC выделила на 2015 год рекордно большие капиталовложения в раз- мере $12 млрд. Ведущий контрактный про- изводитель полупроводниковой продукции в течение года рассчитывает расширить про- изводственные мощности, на которых про- дукция будет выпускаться по 16-нм техно- логии FinFET, одновременно возводя линии для более передовой 10-нм технологии. В TSMC ожидают, что продажи 20-нм продукции, в 2014 году составившие $2,15 млрд, в 2015 году достигнут $6,34 млрд. Между тем компания Samsung Electronics сосредотачивается на 14-нм технологии FinFET. По мнению аналитиков, благодаря партнёрству с Globalfoundries, Samsung смо- жет предложить заказчикам более выгод- ные условия, чем конкуренты. Считается, что Samsung сможет получить больший про- цент выхода годной продукции в сегмен- те рынка, соответствующем нормам 1X нм. Всё это поможет Samsung по итогам года занять 10% мирового рынка ИС. www.digitimes.com © СТА-ПРЕСС