СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА №6/2015

ЭЛЕМЕНТЫ И КОМПОНЕНТЫ 58 WWW.SOEL.RU СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ◆ № 6 2015 Из анализа рисунков 6–8 следует, что только один из рассматривае- мых приборов (International Rectifier) не изменяет своего значения пробив- ного напряжения (при приложенных напряжениях затвор–исток вплоть до ∼ 2,5 В) под воздействием ТЗЧ (в дан- ном случае ионов брома, йода и золо- та). С ростом значений напряжения затвор–исток происходит быстрая деградация прибора. Транзистор SUM45N25-58 производства Vishay обеспечивает радиационную стой- кость только для половины заявлен- ного блокирующего напряжения (см. рис. 6). Характеристики p-канального транзистора Si7431DP (Vishay) ста- бильны при облучении ионами крип- тона до напряжений затвор–исток 5 В (см. рис. 7). З АКЛЮЧЕНИЕ Использование технологии изоля- ции канавками в производстве ра- диационно-стойких силовых полу- проводниковых приборов – новое направление развития электроники для космических применений. Слож- ная физика одиночных радиацион- ных эффектов и другая конструкция полупроводниковых приборов тре- буют модификации существующих конструктивно-технологических под- ходов обеспечения радиационной стойкости вновь разрабатываемых приборов. Л ИТЕРАТУРА 1. Постановление Правительства Россий- ской Федерации от 26 ноября 2007 г. №809 о федеральной целевой программе «Раз- витие электронной компонентной базы и радиоэлектроники на 2008–2015 гг.». www.consultant.ru/document/cons_doc_ LAW_158088. 2. Jayant Baliga B. Trends in Power Semicon- ductor Devices. IEEE Transactions on Elec- tronDevices. 1996. V. 43. №10. P. 1717–1729. 3. Ma L., Amali A. et al. New Trench MOSFET Technology for DC/DC Converter Appli- cations. Power Semiconductor Devices and ICs. Proceedings. 2003. P. 354–357. 4. Lorenz L. Key Power Semiconductor Devices and Development Trends. International Workshop on Physics of Semiconductor Devices. 2007. P. 743–750. 5. Titus J. L. An Updated Perspective of Single Event Gate Rupture and Single Event Bur- nout in Power MOSFETs. IEEE Transac- tions on nuclear science. 2013. V. 60. № 3. P. 1912–1920. 6. Allenspach M. SEGR and SEB in N-Chan- nel Power MOSFETS. IEEE Transactions on Nuclear Science. 1996. V. 43. № 6. P. 2927–2931. 7. Lauenstein J-M. et al. Recent Radiation Test Results for Power MOSFETs. Proceeding of 2013 Nuclear and Space Radiation Effects Conference. 2013. 8. Lauenstein J-M. et al. SEE Test Report, V. 2. Single Event Effects Testing of the Vishay Si7431DP P-Type Power MOSFET. 2011. 9. www.irf.com/product-info/datasheets/data/ irhlf87y20.pdf. Рис. 7. Результаты испытаний на одиночные радиационные эффекты для Si7431DP [8]: V ds – напряжение сток–исток; V gs – напряжение затвор–исток Рис. 8. Результаты испытаний на одиночные радиационные эффекты для IRHLF87Y20SCS [9]: V ds – напряжение сток–исток; V gs – напряжение затвор–исток Новости мира News of the World Новости мира Ivideon привлёк $4 млн от венчурного фонда Impulse VC 2 июня 2015 г. на «Startup Village» между венчурным фондом Impulse VC и сервисом облачного видеонаблюдения Ivideon (рези- дентом «Сколково») была заключена сдел- ка об инвестировании. Ivideon – это сервис облачного видеона- блюдения через Интернет, который позволя- ет наблюдать за тем, что дорого, где бы вы ни были. Ivideon обеспечивает более мил- лиона пользователей качественным серви- сом каждый день. К середине 2015 года Ivideon превра- тился в глобальный и развитый IT-бизнес, имеющий большой объём продаж не только в России, но и в США и Европе. Поэтому, как и любой быстрорастущей компании, Ivideon потребовались инве- стиции для ускорения роста и развития. Верным решением для достижения этой цели было привлечение средств от инве- стиционного фонда. Инвестиции пойдут на международную экспансию серви- са Ivideon в Европу, а также Северную и Южную Америку. Ivideon.com © СТА-ПРЕСС